对比文件名称：2007-04-24_KR1020070043000A_发明公开_KR1020070043000A 스티어링 칼럼의 비틀림을 측정하기 위한 위치 센서
目标专利名称：1677转矩角传感器CN105865679B
调用的模型名称：AI语言模型（本评估由AI完成）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述转矩角传感器包括《未公开》 | 对比文件公开了一种用于测量转向柱扭转的位置传感器，其整体结构包括转子、定子、收集器等，但未包含用于检测输入轴与输出轴之间角度变化的角度传感器单元。 | 对比文件仅涉及转矩（扭转）测量，其传感器结构不包含角度传感器单元，而目标专利的转矩角传感器必须同时包括转矩传感器单元和角度传感器单元，因此对比文件未公开技术特征A的整体概念。 |
| 技术特征B：壳体《隐含公开》 | 对比文件未明确提及“壳体”一词，但描述了各部件的支撑和固定方式，例如[142]中提及“지지체(support)”用于机械固定。 | 本领域技术人员可合理推断，为实现传感器各部件的安装与保护，必然存在一个壳体结构，尽管对比文件未直接描述，但根据常见传感器设计，壳体是隐含的必要部件，因此隐含公开。 |
| 技术特征C：设置在所述壳体中的转矩传感器单元《直接公开》 | [22]：第一磁性结构是转子结构，包括固定在支撑组件上的多个磁铁。第二磁性结构是磁定子结构，包括两个轴向带齿的环。第三磁性结构是由两个盘构成的固定收集器结构。这些部件共同形成测量扭转的传感器，相当于转矩传感器单元。 | 对比文件明确公开了用于测量转向柱扭转的传感器组件，该组件包括转子（磁铁）、定子、收集器等，这些部件构成转矩传感器单元，且必然设置在外壳（壳体）中，故技术特征C直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述壳体中的角度传感器单元《未公开》 | 对比文件未涉及任何与角度测量相关的结构，如主齿轮、子齿轮等。 | 对比文件全部内容围绕扭转测量，未提及用于检测绝对旋转角度的角度传感器单元，本领域技术人员无法从其内容合理推断出角度传感器单元的存在，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中所述转矩传感器单元包括《直接公开》 | [22]、[104]等段落详细描述了转矩传感器单元的组成：转子（磁铁）、定子（两个环带齿）、收集器（两个盘和分支）、磁敏感元件等。 | 对比文件明确说明了转矩传感器单元的各个部件，因此“包括”这一前序特征被直接公开。 |
| 技术特征F：转矩磁体《直接公开》 | [22]：第一磁性结构是转子结构，包括固定在支撑组件上的多个磁铁。 [104]：转子结构10包括安装在圆柱支撑体上的6极磁铁11。 | 对比文件明确公开了作为转子的磁铁（即转矩磁体），其随着旋转轴转动产生磁场变化，故直接公开。 |
| 技术特征G：设置在所述转矩磁体外侧的定子《直接公开》 | [22]：第二磁性结构是磁定子结构，包括两个环，环上具有轴向齿，与磁铁相互作用。 [104]：磁铁11作用于两个定子21、22。 | 定子环布置在磁铁外部，通过齿与磁铁径向相对，直接构成“设置在转矩磁体外侧的定子”，故直接公开。 |
| 技术特征H：收集器《直接公开》 | [22]：第三磁性结构是由两个盘构成的固定收集器结构，具有弯曲分支，用于形成测量间隙。 [83]：固定收集器结构30收集定子环的磁通并将其集中到测量间隙。 | 对比文件明确公开了收集器（collector structure）这一部件，故直接公开。 |
| 技术特征I：所述收集器被配置为收集响应于所述转矩磁体的旋转的磁场强度的变化《直接公开》 | [22]：收集器结构通过弯曲分支形成测量间隙，磁敏感元件位于其中，检测磁场变化。 [83]：收集器收集定子环的磁通（该磁通随磁铁旋转而变化），并将其集中到测量间隙供检测。 | 收集器的功能正是收集随磁铁旋转而变化的磁场，对比文件文字清楚表达了这一配置，故直接公开。 |
| 技术特征J：印刷电路板《直接公开》 | [106]：两个霍尔探针51、52被焊接到电路60。 [139]：磁敏感元件50被印刷电路60固定。 | 对比文件公开了“电路”（인쇄 회로，即印刷电路板），作为支撑和电连接元件，故直接公开。 |
| 技术特征K：设置在所述转矩磁体的横向侧《隐含公开》 | [139]：测量间隙40位于定子21、22的径向外部（“반경 방향으로 고정자(21, 22)의 외부에 위치하는 측정 간극(40)”），而印刷电路60固定磁敏感元件50于该间隙中。 | 转矩磁体位于中心，测量间隙和印刷电路板位于定子径向外部，即磁体的横向侧。对比文件虽未明确说“横向侧”，但本领域技术人员根据其描述可推断出印刷电路板设置在磁体的横向（径向）侧，故隐含公开。 |
| 技术特征L：磁装置模块《直接公开》 | [113]：描述了一种区别方案，即使用集成两个磁敏感元件的一个电气部件（“두 개의 자기 감지 부재를 집적한 하나의 전기부품”）。 | 对比文件明确公开了将两个磁敏感元件集成在一个封装中的磁装置模块概念，故直接公开。 |
| 技术特征M：耦接到所述印刷电路板并且被配置为检测由所述收集器收集的磁场强度的变化《直接公开》 | [106]：霍尔探针51、52焊接到电路60，检测磁场。 [22]、[83]：收集器将磁通集中到测量间隙，磁敏感元件（霍尔探针）位于间隙中检测磁场变化。 | 磁敏感元件直接固定在印刷电路板上，且其功能就是检测收集器所收集的磁场变化，故直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述收集器的一部分与所述磁装置模块连接《隐含公开》 | [22]：收集器的弯曲分支形成测量间隙，磁敏感元件（即磁装置模块）位于该间隙中。 [83]：收集器将磁通集中到测量间隙，由磁敏感元件检测。 | 收集器的分支与磁敏感元件相对，磁通通过间隙耦合到磁敏感元件，这种间接连接形式可以视为功能上的连接。本领域技术人员可合理推断收集器的一部分（分支）必然与磁装置模块连接（磁路连接），故隐含公开。 |
| 技术特征O：所述收集器的另一部分环绕所述转矩磁体的周长的一部分《直接公开》 | [85]：收集器的角形扇形部33、34的径向宽度小于定子环的宽度，它们位于定子环内部。 [88]：角形扇形部完全位于定子环内部。定子环环绕磁铁，因此收集器的扇形部也环绕磁铁的一部分。 | 对比文件中的收集器包括角形盘状部，这些盘状部布置在定子环上，从而间接环绕磁铁的周长的一部分，故直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述磁装置模块包括第一磁装置和第二磁装置《直接公开》 | [106]：公开了两个霍尔探针51、52作为两个独立的磁敏感元件。 [113]：公开了集成两个磁敏感元件的一个电气部件。 | 无论两个独立元件还是集成封装，均明确公开了磁装置模块包含第一和第二磁装置，故直接公开。 |
| 技术特征Q：所述第一磁装置和所述第二磁装置独立地操作且设置于配置在一个封装模块中的磁装置模块中《直接公开》 | [113]：公开了“두 개의 자기 감지 부재를 집적한 하나의 전기부품”（集成两个磁敏感元件的一个电气部件），且它们可独立工作。 | 对比文件明确描述了集成两个磁敏感元件于一个封装中的方案，其独立操作是霍尔元件的固有特性，故直接公开。 |
| 技术特征R：所述磁装置模块安装在PCB的远端处《隐含公开》 | [106]：霍尔探针焊接到电路60。 [139]：印刷电路60固定磁敏感元件50。虽未指出“远端”，但通常电路板的一端安装敏感元件。 | 本领域技术人员公知，磁敏感元件通常安装在电路板的一端以便于靠近测量间隙，对比文件未排除这种常规布置，且结合其结构可合理推断磁装置模块安装在PCB的远端（远离连接端），故隐含公开。 |
| 技术特征S：其中所述收集器包括布置于所述定子的上侧的上收集器《隐含公开》 | [84]：收集器结构包括两个部件31、32，每个具有角形盘状部33、34，分别与两个定子环23、24相对。 [124]：定子环在轴向上布置，一个在上，一个在下。 | 对比文件具有两个收集器部件，分别对应于两个在轴向上布置的定子环，本领域技术人员可合理将其中一个称为上收集器，另一个称为下收集器，故隐含公开。 |
| 技术特征T：和布置于所述定子的下侧的下收集器《隐含公开》 | 同上，两个收集器部件分别对应两个定子环的轴向位置，形成上下对称布置。 | 基于与特征S相同的理由，本领域技术人员可推断出下收集器的存在，故隐含公开。 |
| 技术特征U：其中所述上收集器与第一传输构件一体形成《直接公开》 | [22]：收集器结构由盘状部分和延伸出的弯曲分支一体形成。 [84]、[112]：角形盘状部与弯曲分支（分지）一体构成收集器部件。 | 对比文件明确公开了收集器的盘状部与弯曲分支是一体形成的，该分支相当于传输构件，故直接公开。 |
| 技术特征V：其中所述第一传输构件的下表面与所述磁装置模块的上表面面接触《未公开》 | 对比文件中，收集器的分支端面与磁敏感元件之间形成测量间隙，并非面接触。 [22]：“자기 감지 부재가 위치하는 측정 간극의 형성을 위해 서로 폐합되는 절곡된 분지”，分支形成间隙，元件位于间隙中。 | 对比文件始终描述测量间隙的存在，该间隙使得收集器的传输构件与磁装置模块不接触，因此没有公开“面接触”这一特征，即使隐含暗示也无。故未公开。 |
| 技术特征W：其中所述下收集器与第二传输构件一体形成《直接公开》 | 同特征U，下收集器（另一个收集器部件）也具有一体形成的弯曲分支（第二传输构件）。 | 理由同U，直接公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二传输构件的上表面与所述磁装置模块的下表面面接触《未公开》 | 同特征V，对比文件的两个收集器分支均形成间隙，无接触。 | 与特征V相同，对比文件未公开任何面接触，反公开了间隙，故未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述磁装置模块设置成各向异性磁阻IC和Hall IC中任一个《直接公开》 | [106]：公开了霍尔探针（Hall probe）。 [113]：提及磁敏感元件，对应霍尔IC。 | 对比文件明确使用了Hall IC，而Hall IC是Y选项中之一，故直接公开。 |
| 技术特征Z：其中所述主齿轮与所述第一子齿轮之间的转数比为1：3.7778《未公开》 | 对比文件未涉及任何齿轮结构，无主齿轮、子齿轮及转数比的描述。 | 对比文件不包含角度传感器单元所需的任何齿轮组，因此完全未公开该转数比特征。 |
### 公开特征代码（按指示在结尾插入）
直接公开特征：C, E, F, G, H, I, J, L, M, O, P, Q, U, W, Y
隐含公开特征：B, K, N, R, S, T
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