对比文件名称：2010-07-22_US2010181891A_发明申请_US20100181891A1 Package Structure for Solid-State Lighting with Low Thermal Resistance
目标专利名称：1749发光模块CN102456681B
本次调用模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔 **未公开** | 对比文件[0021]记载：“在制造MCPCB时，可以设置沟槽32以在MCPCB上形成两个区域。区域一为沟槽32外的区域，用于保持MCPCB的原始结构，即绝缘层302和电路层303。另一方面，区域二为沟槽32内的区域，即去除绝缘层302和电路层303后的散热基板30，用于通过连接层50与高导热电路板结合。” | 目标专利的空腔是直接形成在金属板中的凹坑，用于安置发光器件封装；对比文件的沟槽是在MCPCB的绝缘层和电路层中挖出，露出金属板表面，但金属板本身并未形成空腔结构。因此，对比文件未公开技术特征A。 |
| 技术特征B：在所述空腔上的氮化物绝缘基板 **《直接公开》** | [0015]“高导热电路板70设置在连接层50上”；[0016]“高导热电路板70的材料包括陶瓷，如氮化铝(AlN)”；[0021]“在沟槽实施例中，高导热电路板70设置在沟槽内的散热基板30上”。 | 对比文件明确公开了氮化铝绝缘基板（高导热电路板）设置在散热基板上的沟槽（空腔）内，与目标专利的氮化物绝缘基板在空腔中作用相同，都是用于承载发光器件并提高热辐射。因此，技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件 **《直接公开》** | [0015]“固态照明器件80设置在高导热电路板70上”；[0016]“固态照明80可以包括多个芯片”。 | 对比文件明确公开了多个固态照明芯片（发光器件）设置在氮化铝绝缘基板（高导热电路板）上，与目标专利相同。因此，技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层 **《直接公开》** | [0015]“固态照明器件80通过共晶工艺结合在高导热电路板70的电路层上”。 | 对比文件公开了发光器件通过共晶工艺结合在电路板上，必然存在结合层（如焊料、金属间化合物），该结合层位于氮化物绝缘基板（电路板）和发光器件之间，起到固定和电连接作用，与目标专利的结合层功能相同。因此，技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件全文未提及任何倒圆角结构，也未描述通过结合膏在绝缘基板横向表面形成支撑圆角。因此，技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何包围空腔的引导突起结构，也未提及非透射性无机材料。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述金属板上的绝缘层 **《直接公开》** | [0021]“MCPCB包括绝缘层302和电路层303；区域一保留绝缘层302和电路层303”。 | 对比文件明确公开了在金属板（散热基板）上设置有绝缘层（302），与目标专利的绝缘层作用相同。因此，技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个 **《直接公开》** | [0021]“电路层303在绝缘层302上，高导热电路板70上的电路可以与MCPCB的电路层303连接，然后连接到外部电路。” | 对比文件公开了绝缘层上的电路层（相当于基板焊盘），该电路层通过高导热电路板上的电路与发光器件电连接，起到与目标专利基板焊盘相同的电连接功能。因此，技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘 **《隐含公开》** | [0021]描述MCPCB结构包括绝缘层302和电路层303，但未明确提及阻焊剂。然而，本领域公知MCPCB通常具有阻焊层覆盖电路层，并暴露焊盘区域。 | 虽然对比文件未明确记载阻焊剂，但MCPCB作为常规电路板，本领域技术人员可以合理推断其包含阻焊层以保护电路并暴露焊盘，否则无法实现焊接连接。因此，技术特征I被隐含公开。 |
| 技术特征J：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板与空腔深度的比较，也未公开倒圆角结构。因此，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露 **未公开** | 无引导突起，因此无相关公开。 | 对比文件未公开引导突起，故无法涉及基板焊盘在空腔和引导突起之间暴露。因此，技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开引导突起及距离差异。因此，技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未提及阻焊剂的光学性质。因此，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率 **《隐含公开》** | [0017]“氮化铝的导热率大于140W/mK”。170Kcal/m·h·℃约等于197.7W/mK，大于140W/mK。 | 对比文件公开了氮化铝导热率大于140W/mK，该范围涵盖了170Kcal/m·h·℃（197.7W/mK）。本领域技术人员根据对比文件的教导，可以选择导热率满足要求的氮化铝基板，以实现低热阻。因此，技术特征N被隐含公开。 |
| 技术特征O：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层 **未公开** | 对比文件[0018][0019]公开了第一附着层和第二附着层为多层金属（Ti/Ag或Ti/Au），但这些是用于连接散热基板和连接层，并非发光器件焊盘。发光器件焊盘仅提及电路层。 | 对比文件未公开发光器件与氮化物绝缘基板之间的焊盘由至少两个金属层构成。因此，技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开发光器件焊盘的最上层为金或金合金。因此，技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开焊盘金属层厚度范围。因此，技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开发光器件的具体布置图案。因此，技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：其中，所述多个发光器件相互串联连接 **《直接公开》** | [0015]“高导热电路板70包括具有布线、串联和并联设计的电路层”。 | 对比文件明确公开了电路层可以设计为串联，使得多个发光器件相互串联连接，与目标专利相同。因此，技术特征S被直接公开。 |
| 技术特征T：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未提及齐纳二极管。因此，技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未提及温度传感器。因此，技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开温度传感器及距离。因此，技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开引导突起和温度传感器。因此，技术特征W未被公开。 |
| 技术特征X：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开温度传感器安装在氮化物绝缘基板上。因此，技术特征X未被公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开温度传感器掩埋在绝缘层中。因此，技术特征Y未被公开。 |
| 技术特征Z：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置 **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开引导突起和温度传感器位置。因此，技术特征Z未被公开。 |
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