对比文件名称：2009-09-17_JP2009533860A_发明专利_JP2009533860A Light-emitting diode module
目标专利名称：1749发光模块CN102456681B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔**（未公开） | 对比文件段落[2]：“複数の凹部１４を備えている予めエッチングされた基板１２”。 | 对比文件中的基板12未明确为金属板，且在实施例中提及硅基板，因此本领域技术人员无法毫无疑义地得出金属板形成空腔的技术方案，也未隐含公开。 |
| **B：在所述空腔上的氮化物绝缘基板**（未公开） | 对比文件未记载氮化物绝缘基板，LED直接安装在凹部底面。 | 对比文件没有公开在空腔中设置额外的氮化物绝缘基板，因此未公开。 |
| **C：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件**（未公开） | 对比文件公开LED安装在凹部内，但未提及氮化物绝缘基板。 | 由于对比文件未公开氮化物绝缘基板，故不存在在其上设置发光器件的结构，未公开。 |
| **D：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层**（未公开） | 对比文件未提及结合层。 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板及其上的结合层，未公开。 |
| **E：倒圆角，包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分**（未公开） | 对比文件无倒圆角结构。 | 对比文件未公开倒圆角及氮化物绝缘基板，未公开。 |
| **F：引导突起，在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料**（未公开） | 对比文件段落[2]公开了遮蔽24，但遮蔽设置在传感器周围，并非包围空腔，且未指定材料。 | 对比文件的遮蔽24用于阻挡直接光，但其结构、位置和材料均不同于引导突起，未公开。 |
| **G：所述金属板上的绝缘层**（未公开） | 对比文件未提及金属板上的绝缘层。 | 对比文件未公开金属板及绝缘层，未公开。 |
| **H：基板焊盘，在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个**（未公开） | 对比文件未明确基板焊盘。 | 对比文件未公开基板焊盘的结构，未公开。 |
| **I：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘**（未公开） | 对比文件未提及阻焊剂。 | 对比文件未公开阻焊剂，未公开。 |
| **J：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板**（未公开） | 对比文件未公开氮化物绝缘基板厚度与空腔深度关系，未公开倒圆角。 | 对比文件未公开相应结构，未公开。 |
| **K：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露**（未公开） | 对比文件未公开基板焊盘暴露位置。 | 对比文件未公开基板焊盘与空腔、引导突起的位置关系，未公开。 |
| **L：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离**（未公开） | 对比文件未公开距离差异。 | 对比文件未公开引导突起及距离差异，未公开。 |
| **M：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质**（未公开） | 对比文件未提及阻焊剂性质。 | 对比文件未公开阻焊剂，更未提及其性质，未公开。 |
| **N：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率**（未公开） | 对比文件未提及氮化物绝缘基板及导热率。 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，也未公开导热率数值，未公开。 |
| **O：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层**（未公开） | 对比文件未提及焊盘包括多个金属层。 | 对比文件未公开焊盘的具体层结构，未公开。 |
| **P：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层**（未公开） | 对比文件未提及焊盘最上层材料。 | 对比文件未公开焊盘最上层为金或金合金，未公开。 |
| **Q：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内**（未公开） | 对比文件未提及焊盘厚度范围。 | 对比文件未公开焊盘厚度，未公开。 |
| **R：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案**（未公开） | 对比文件未公开LED布置图案。 | 对比文件未公开LED的布置成Z字形图案，未公开。 |
| **S：其中，所述多个发光器件相互串联连接**（未公开） | 对比文件未明确LED连接方式。 | 对比文件未公开LED的串联连接，未公开。 |
| **T：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上**（未公开） | 对比文件未提及齐纳二极管。 | 对比文件未公开齐纳二极管，未公开。 |
| **U：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻**（隐含公开） | 对比文件段落[2]：“温度センサは、例えば、ＮＴＣ温度センサ、ＰＴＣ温度センサ又はダイオード接合温度センサであっても良い。”以及“温度も、温度センサ２２ｂによって２つの異なる位置において検出され”。传感器设置在凹部之间的平面部分20上。 | 对比文件明确公开了温度传感器（如NTC热敏电阻），其电阻随温度变化，且用于检测LED模块的温度，因此其电阻变化由LED产生的热引起。传感器安装于凹部间的平面部分，与LED电路通常独立，本领域技术人员可以合理推断该温度传感器与发光器件电隔离，且其电阻响应于LED的热量。因此，对比文件隐含公开了技术特征U。 |
| **V：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内**（未公开） | 对比文件未公开具体距离数值。 | 对比文件未限定传感器与凹部的距离，本领域技术人员不能确定其距离一定在5mm以内，未公开。 |
| **W：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置**（未公开） | 对比文件未公开引导突起。 | 对比文件没有公开引导突起，因此无法确定温度传感器相对于引导突起的位置，未公开。 |
| **X：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上**（未公开） | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，温度传感器安装在基板平面部分。 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，传感器安装在基板表面，不是安装在单独的绝缘基板上，未公开。 |
| **Y：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中**（未公开） | 对比文件未公开掩埋传感器。 | 对比文件未公开金属板绝缘层掩埋温度传感器的结构，未公开。 |
| **Z：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置**（未公开） | 对比文件未公开相应结构。 | 对比文件未公开绝缘层掩埋的温度传感器及引导突起，未公开。 |
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