**对比文件名称**：2007-06-27_JP3936086B_发明专利_JP3936086B2 Light irradiation device
**目标专利名称**：1754偏振光分离元件CN104105987B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括基板（直接公开）** | 【0030】“積層された石英基板、積層されたガラス基板、或はマルチ−コーティングされた基板などからなり” 翻译：由积层石英基板、积层玻璃基板或多涂层基板等构成。 | 对比文件明确记载了偏光子由基板（石英基板、玻璃基板等）构成，该基板在偏光子中起支撑作用，与目标专利中基板（支撑凹凸结构）的作用均为承载结构层，且均为板状要素。本领域技术人员能毫无疑义地确定对比文件公开了“包括基板”这一技术特征，属于直接公开。 |
| **技术特征B：和译凹凸结构（未公开）** | 对比文件全文未提及“凹凸结构”或类似具有凸出部与凹入部交替排列的条形图案结构。 | 对比文件仅涉及光照射装置的整体光学系统，其偏光子为积层或涂层型，不涉及任何凹凸结构。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含地得到该特征。 |
| **技术特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部（未公开）** | 对比文件未公开任何凹凸结构，也未公开凸出部或吸光材料。 | 对比文件未涉及凹凸结构，更未提及凸出部内含吸光材料，无任何相关指示。 |
| **技术特征D：和包含介电材料的凹入部（未公开）** | 对比文件未公开凹凸结构中的凹入部或介电材料。 | 对比文件无凹凸结构，故无凹入部，亦无介电材料填充的记载。 |
| **技术特征E：所述吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10（未公开）** | 对比文件未公开任何吸光材料及其折射率。 | 对比文件仅提及偏光子的透射率波长范围（200-800nm），未涉及吸光材料或折射率数值。 |
| **技术特征F：消光系数为0.5至10（未公开）** | 对比文件未公开消光系数。 | 对比文件无消光系数相关记载。 |
| **技术特征G：所述凹凸结构形成于所述基板上（未公开）** | 对比文件未公开凹凸结构，亦未公开其形成于基板上。 | 对比文件无凹凸结构，故无法公开该特征。 |
| **技术特征H：其中，在以下公式1中，a为0.74至10（未公开）** | 对比文件未公开公式1及a、b参数。 | 对比文件无任何公式或参数a、b、c、d的定义。 |
| **技术特征I：b为0.5至10（未公开）** | 同上。 | 同上。 |
| **技术特征J：在以下公式2中，c为1.3至10（未公开）** | 对比文件未公开公式2。 | 对比文件无公式2及相关参数。 |
| **技术特征K：d为译0.013至0.1（未公开）** | 对比文件未公开参数d。 | 对比文件无相关参数。 |
| **技术特征L：译[公式1]译(a+bi)2＝n12×(1-W/P)+n22×W/P（未公开）** | 对比文件未公开该公式。 | 对比文件无任何数学表达式涉及有效折射率计算。 |
| **技术特征M：[公式2]译(c+di)2＝n12×n22/((1-W/P)×n22+W×n12/P)（未公开）** | 对比文件未公开该公式。 | 对比文件无该公式。 |
| **技术特征N：其中，i为虚数（未公开）** | 对比文件未涉及虚数。 | 对比文件无复数表示。 |
| **技术特征O：n1表示所述介电材料相对于波长为300nm的光的折射率（未公开）** | 对比文件未公开介电材料或折射率。 | 对比文件无n1定义。 |
| **技术特征P：n2表示所述凸出部相对于波长为300nm的光的折射率（未公开）** | 对比文件未公开凸出部或折射率。 | 对比文件无n2定义。 |
| **技术特征Q：W表示所述凸出部的宽度（未公开）** | 对比文件未公开凸出部宽度。 | 对比文件无宽度参数。 |
| **技术特征R：P表示所述凸出部的间距（未公开）** | 对比文件未公开凸出部间距。 | 对比文件无间距参数。 |
| **技术特征S：其中，所述介电材料相对于波长为译250nm至350nm的光的折射率为1至3（未公开）** | 对比文件未公开介电材料及其折射率范围。 | 对比文件仅提及偏光子透射率波长，未涉及介电材料折射率。 |
| **技术特征T：其中，所述凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10（未公开）** | 对比文件未公开凸出部及其折射率。 | 对比文件无相关记载。 |
| **技术特征U：其中，所述凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10（未公开）** | 对比文件未公开消光系数。 | 对比文件无消光系数信息。 |
| **技术特征V：其中，所述吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种（未公开）** | 对比文件未公开所列举的任何材料。 | 对比文件仅提及SiO作为无机膜材料，不在列表中。 |
| **技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98（未公开）** | 对比文件未公开公式3及D值范围。 | 对比文件第[0023]段虽提及偏光度0~1，但未给出具体计算公式，且未定义Tc、Tp，故未公开该特征。 |
| **技术特征X：[公式3]译D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)（未公开）** | 对比文件未公开该公式。 | 对比文件无Tc、Tp定义及公式。 |
| **技术特征Y：其中，Tc表示在垂直于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率（未公开）** | 对比文件未公开Tc。 | 对比文件未涉及凸出部或垂直方向透射率。 |
| **技术特征Z：Tp表示在平行于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率（未公开）** | 对比文件未公开Tp。 | 对比文件未涉及平行方向透射率。 |
### 公开性结论
根据上述比对，对比文件仅直接公开了技术特征A（包括基板），其余技术特征均未直接或隐含公开。
<<<A>>>