对比文件名称：2007-08-22_KR100751597B_发明授权_KR100751597B1 개선된 와이어-격자 편광 빔 분리기
目标专利名称：1754偏振光分离元件CN104105987B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板 **《直接公开》** | [120]：“基板(40)”。 | 对比文件明确公开了偏振分束器包括基板，该基板用于支撑线栅结构，与目标专利中基板的作用相同。 |
| 技术特征B：凹凸结构 **《直接公开》** | [120]：“格栅(30)，即，基板(40)上布置的平行导电元件阵列”。 | 对比文件的线栅结构由平行排列的导电元件组成，凸起的导电元件与凹入的间隙形成凹凸结构，与目标专利的凹凸结构实质相同。 |
| 技术特征C：凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部 **《未公开》** | [124]：“最理想的材料是铝或银”。 | 对比文件使用的铝或银为金属反射材料，目标专利的吸光材料特指在紫外区具有特定折射率（1-10）和消光系数（0.5-10）的材料，且实施例中明确铝不属于该范围，故未公开。 |
| 技术特征D：包含介电材料的凹入部 **《隐含公开》** | [120]：“基板(40)上布置的平行导电元件阵列”。元件之间为空气（未明确说明，但为线栅结构固有特征）。 | 对比文件线栅结构中导电元件之间的间隙必然填充空气，空气是介电材料（折射率约1），本领域技术人员可合理推断凹入部包含介电材料。 |
| 技术特征E：吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10 **《未公开》** | [126]：给出铝在450nm、550nm、650nm的折射率（n=0.618、0.958、1.47），未涉及300nm。 | 对比文件未给出300nm波长的折射率，且其使用的铝在300nm折射率约0.28，不在1-10范围内，故未公开。 |
| 技术特征F：消光系数为0.5至10 **《未公开》** | [126]：给出铝在450nm、550nm、650nm的消光系数（k=5.47、6.69、7.79），未涉及300nm。 | 对比文件未公开300nm波长的消光系数，无法确定是否满足0.5-10，故未公开。 |
| 技术特征G：凹凸结构形成于基板上 **《直接公开》** | [120]：“基板(40)上布置的平行导电元件阵列”。 | 对比文件明确公开了线栅结构（凹凸结构）形成于基板上，与目标专利相同。 |
| 技术特征H：a为0.74至10 **《未公开》** | 对比文件未涉及公式1及参数a。 | 对比文件没有提及任何关于公式1中a的计算或数值，故未公开。 |
| 技术特征I：b为0.5至10 **《未公开》** | 对比文件未涉及公式1及参数b。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征J：c为1.3至10 **《未公开》** | 对比文件未涉及公式2及参数c。 | 对比文件没有提及公式2或参数c，故未公开。 |
| 技术特征K：d为0.013至0.1 **《未公开》** | 对比文件未涉及公式2及参数d。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征L：[公式1] (a+bi)²＝n₁²×(1-W/P)+n₂²×W/P **《未公开》** | 对比文件未出现该公式。 | 对比文件没有公开任何与公式1相同的数学表达式，故未公开。 |
| 技术特征M：[公式2] (c+di)²＝n₁²×n₂²/((1-W/P)×n₂²+W×n₁²/P) **《未公开》** | 对比文件未出现该公式。 | 对比文件没有公开任何与公式2相同的数学表达式，故未公开。 |
| 技术特征N：i为虚数 **《未公开》** | 对比文件未涉及虚数单位。 | 对比文件没有提及i或虚数，故未公开。 |
| 技术特征O：n1表示介电材料相对于波长为300nm的光的折射率 **《未公开》** | 对比文件未定义n1，也未指定介电材料在300nm的折射率。 | 对比文件没有给出介电材料的折射率定义，更未针对300nm，故未公开。 |
| 技术特征P：n2表示凸出部相对于波长为300nm的光的折射率 **《未公开》** | 对比文件未定义n2，也未给出300nm的折射率。 | 对比文件没有给出凸出部材料在300nm的折射率定义，故未公开。 |
| 技术特征Q：W表示凸出部的宽度 **《直接公开》** | [122]：“格栅元件(30)的宽度w”。 | 对比文件明确公开了线栅元件的宽度参数w，与目标专利的W含义相同。 |
| 技术特征R：P表示凸出部的间距 **《直接公开》** | [122]：“格栅(30)的间距p”。 | 对比文件明确公开了线栅间距p，与目标专利的P含义相同。 |
| 技术特征S：介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3 **《未公开》** | 对比文件未涉及紫外波段，也未给出介电材料折射率范围。 | 对比文件针对可见光范围，未提及250-350nm波段的折射率。 |
| 技术特征T：凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10 **《未公开》** | 对比文件未涉及紫外波段，也未给出凸出部在该波段的折射率。 | 对比文件未公开紫外波段折射率范围。 |
| 技术特征U：凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10 **《未公开》** | 对比文件未涉及紫外波段，也未给出消光系数。 | 对比文件未公开紫外波段消光系数。 |
| 技术特征V：吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种 **《未公开》** | [124]：“最理想的材料是铝或银”。 | 对比文件使用的铝或银不在目标专利的吸光材料列表中，故未公开。 |
| 技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98 **《未公开》** | 对比文件未出现公式3，也未计算D。 | 对比文件虽然提到消光比（Ts/Tp），但未定义偏振度D，故未公开。 |
| 技术特征X：[公式3] D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp) **《未公开》** | 对比文件未出现该公式。 | 对比文件没有公开公式3，故未公开。 |
| 技术特征Y：Tc表示在垂直于凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振光分离元件的透射率 **《未公开》** | 对比文件[148]提到S-偏振反射率和P-偏振透射率，但针对可见光，未定义Tc，且未针对250-350nm。 | 对比文件未定义Tc，也未指定紫外波段，故未公开。 |
| 技术特征Z：Tp表示在平行于凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振光分离元件的透射率 **《未公开》** | 对比文件[148]提到P-偏振透射率，但针对可见光波段，未定义Tp，未针对250-350nm。 | 对比文件未定义Tp，也未指定紫外波段，故未公开。 |
### 公开性代码指示
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、G、Q、R，隐含公开了技术特征D。其他技术特征未公开。
<<<A>>><<<B>>><<<G>>><<<Q>>><<<R>>><<<d>>>