对比文件名称：2010-09-24_JP2010531467A_发明专利_JP2010531467A Resistant, and inorganic ultraviolet-grid polarizer having an absorbent
目标专利名称：1754偏振光分离元件CN104105987B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板《直接公开》 | 对比文件[0010]：“基体の上側に配設されている”。 | 对比文件明确公开了基体（基板）22，例如石英玻璃，用于支撑膜层堆叠。该基板与目标专利的基板作用相同，均为支撑结构，故直接公开。 |
| 技术特征B：凹凸结构《直接公开》 | 对比文件[0010]：“平行リブの配列で、構造性複屈折層を形成している”。 | 对比文件公开了由平行肋（凸出部）和沟槽（凹入部）构成的栅格结构，即凹凸结构。该结构用于实现偏振分离，与目标专利的凹凸结构功能和形态一致，故直接公开。 |
| 技术特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部《直接公开》 | 对比文件[0010]：“紫外スペクトルに対して光学的吸収性のある材料で形成されて吸収層を規定している”。 | 对比文件公开了凹凸结构中的肋（凸出部）包含光吸收材料（如TiO₂），形成吸收层，用于吸收特定偏振方向的光。与目标专利中凸出部包含吸光材料的作用相同，故直接公开。 |
| 技术特征D：和包含介电材料的凹入部《直接公开》 | 对比文件[0010]：“溝３４は、空気（ｎ＝１）で満たされていても満たされていなくてもよい。あるいは、溝３４は、入射ＵＶ光に関して光学的透過性を有する材料で満たされていてもよい。” | 对比文件公开了凹入部（沟槽）包含空气（折射率1，介电材料）或透光材料，这些均为介电材料。该凹入部与凸出部共同构成偏振结构，与目标专利中凹入部包含介电材料的作用相同，故直接公开。 |
| 技术特征E：所述吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“二酸化チタン（ＴｉＯ₂）（２６６ｎｍにおいて、ｎ≒２．７、ｋ≒１．３）”。 | 对比文件虽未明确给出300nm的折射率范围，但公开了吸光材料TiO₂在266nm处折射率2.7，属于1-10范围内，且该材料在UV区域折射率稳定。本领域技术人员可合理推断，在300nm附近其折射率仍在此范围内，且对比文件列举的其他吸光材料（如硅）在UV区折射率也通常落在1-10内，故隐含公开。 |
| 技术特征F：消光系数为0.5至10《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“二酸化チタン（ＴｉＯ₂）（２６６ｎｍにおいて、ｎ≒２．７、ｋ≒１．３）”。 | 对比文件公开了TiO₂在266nm处消光系数1.3，属于0.5-10范围内。结合对比文件列举的其他吸光材料（如硅、碲化镉等），本领域技术人员可合理推断这些材料在UV区消光系数能满足0.5-10的范围，故隐含公开。 |
| 技术特征G：所述凹凸结构形成于所述基板上《直接公开》 | 对比文件[0010]：“基体の上側に配設された膜層１８ａ及び１８ｂのスタック１４”。 | 对比文件明确公开了膜层堆叠（包括凹凸结构）形成于基体上侧，即凹凸结构在基板上形成，故直接公开。 |
| 技术特征H：其中，在以下公式1中，a为0.74至10《未公开》 | 对比文件全文未出现公式1及a、b的计算。 | 对比文件未公开公式1，也未限定a值范围，本领域技术人员无法从对比文件直接得出a的取值范围，故未公开。 |
| 技术特征I：b为0.5至10《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开b值范围，故未公开。 |
| 技术特征J：在以下公式2中，c为1.3至10《未公开》 | 对比文件全文未出现公式2及c、d的计算。 | 对比文件未公开公式2，也未限定c值范围，故未公开。 |
| 技术特征K：d为0.013至0.1《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开d值范围，故未公开。 |
| 技术特征L：[公式1] (a+bi)²＝n₁²×(1-W/P)+n₂²×W/P《未公开》 | 对比文件未公开该公式。 | 对比文件没有公开任何关于有效折射率的计算公式，本领域技术人员无法从对比文件得出该公式，故未公开。 |
| 技术特征M：[公式2] (c+di)²＝n₁²×n₂²/((1-W/P)×n₂²+W×n₁²/P)《未公开》 | 对比文件未公开该公式。 | 对比文件没有公开该公式，故未公开。 |
| 技术特征N：其中，i为虚数《未公开》 | 对比文件未涉及该定义。 | 对比文件未公开公式及其中的虚数定义，故未公开。 |
| 技术特征O：n₁表示所述介电材料相对于波长为300nm的光的折射率《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“空気（ｎ＝１）”、“二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）（２６６ｎｍにおいて、ｎ≒１．６）”。 | 对比文件公开了介电材料（空气、SiO₂）的折射率，虽然未特定于300nm，但本领域技术人员知晓在250-350nm范围内折射率变化很小，且空气折射率恒定为1，SiO₂折射率约1.6，均可用作n₁。结合对比文件对介电材料折射率的公开，可合理推断n₁的含义，故隐含公开。 |
| 技术特征P：n₂表示所述凸出部相对于波长为300nm的光的折射率《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“二酸化チタン（ＴｉＯ₂）（２６６ｎｍにおいて、ｎ≒２．７、ｋ≒１．３）”。 | 对比文件公开了凸出部材料（TiO₂）的折射率，虽然未特定于300nm，但本领域技术人员可合理推断在300nm附近折射率相近，且对比文件还提及硅等材料，其折射率在UV区位于1-10内，故隐含公开n₂的含义。 |
| 技术特征Q：W表示所述凸出部的宽度《直接公开》 | 对比文件[0010]：“リブは、１１８ｎｍのピッチ又は周期Ｐを有し、０．４８のデューティー比（リブ幅に対する周期の比）又は５７ｎｍのリブ幅を有している。” | 对比文件明确公开了凸出部（肋）的宽度（リブ幅）为57nm等，本领域技术人员可直接理解W代表宽度，故直接公开。 |
| 技术特征R：P表示所述凸出部的间距《直接公开》 | 对比文件[0010]：“リブは、１１８ｎｍのピッチ又は周期Ｐを有し”。 | 对比文件明确公开了凸出部（肋）的间距或周期（P）为118nm等，本领域技术人员可直接理解P代表间距，故直接公开。 |
| 技术特征S：其中，所述介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“空気（ｎ＝１）”、“二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）（２６６ｎｍにおいて、ｎ≒１．６）”。 | 对比文件公开了介电材料空气的折射率1，SiO₂的折射率约1.6，均落在1-3范围内，且这些材料在250-350nm范围内折射率稳定。本领域技术人员可合理推断其他可能使用的介电材料（如MgF₂等）折射率也在1-3内，故隐含公开。 |
| 技术特征T：其中，所述凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“二酸化チタン（ＴｉＯ₂）（２６６ｎｍにおいて、ｎ≒２．７、ｋ≒１．３）”、“吸収層の光学的吸収材料は、テルル化カドミウム、ゲルマニウム、…ケイ素…を含む。” | 对比文件公开了凸出部材料TiO₂的折射率2.7，以及硅等材料的折射率在UV区通常为1-10，本领域技术人员可合理推断这些材料在250-350nm范围内折射率满足1-10，故隐含公开。 |
| 技术特征U：其中，所述凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“二酸化チタン（ＴｉＯ₂）（２６６ｎｍにおいて、ｎ≒２．７、ｋ≒１．３）”。 | 对比文件公开了TiO₂在266nm处消光系数1.3，且列举的其他吸光材料（如硅）在UV区消光系数也通常在此范围内，本领域技术人员可合理推断，故隐含公开。 |
| 技术特征V：其中，所述吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种《直接公开》 | 对比文件[0010]：“吸収層の光学的吸収材料は、テルル化カドミウム、ゲルマニウム、テルル化鉛、酸化ケイ素、テルル、二酸化チタン、ケイ素、硫化カドミウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、及びそれらの組合せを含む。” | 对比文件公开了吸光材料包括“二酸化チタン”（氧化钛）和“ケイ素”（硅），这两者均列于目标专利的特征V的列表中，即至少公开了氧化钛和硅，故直接公开。 |
| 技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98《未公开》 | 对比文件未公开公式3及相关D值。 | 对比文件未公开偏振度D的计算公式，也未给出D的数值范围，故未公开。 |
| 技术特征X：[公式3] D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)《未公开》 | 对比文件未公开该公式。 | 对比文件没有公开D的计算公式，故未公开。 |
| 技术特征Y：其中，Tc表示在垂直于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“図１ｃを参照すると、…偏光素子１０は、２５０−３５０ｎｍの特定範囲に渡って４０％を超える透過率を有し”、“ｐ偏光配向を有したＵＶ光のような１つの偏光配向を透過し”。 | 对比文件公开了在250-350nm范围内，偏振器对垂直于肋方向（p偏振）的光有较高透射率，并给出了具体数值。虽然未使用符号Tc，但本领域技术人员可直接理解该方向透射率即为Tc，且波长范围一致，故隐含公开。 |
| 技术特征Z：Tp表示在平行于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率《隐含公开》 | 对比文件[0010]：“ｓ偏光配向を有したＵＶ光のような他の偏光配向を吸収するように構成”、“図１ｃにはコントラスト比も示されている”。 | 对比文件公开了在250-350nm范围内，偏振器对平行于肋方向（s偏振）的光主要吸收，但仍存在一定透射率（通过对比度可推算）。虽然未明确符号Tp，但本领域技术人员可知该方向透射率即为Tp，故隐含公开。 |
根据上述比对，被对比文件直接公开的技术特征有：A、B、C、D、G、Q、R、V；被隐含公开的技术特征有：E、F、O、P、S、T、U、Y、Z。
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