对比文件名称：2010-11-05_KR1020100118539A_发明公开_KR1020100118539A 와이어 그리드 편광자
目标专利名称：1754偏振光分离元件CN104105987B
本次调用的模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：包括基板《直接公开》 | [0031]“基板(1)”；[0002]“基板” | 对比文件明确公开了基板，用于支撑线栅结构，与目标专利中基板的作用相同。 |
| 特征B：凹凸结构《直接公开》 | [0031]“在基板(1)上具备构成衍射光栅的条纹(2)”，条纹由平行排列的金属线和光吸收层构成，形成凸起和凹槽 | 对比文件公开了条纹结构，即凹凸结构，包括凸出的条纹和凹下的间隙，与目标专利的凹凸结构实质上相同。 |
| 特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部《直接公开》 | [0031]“条纹(2)具备层叠于格栅线(2A)表面的光吸收层(2B)”；[0039]“光吸收层由半导体化合物构成” | 对比文件公开了条纹包括金属线和光吸收层，光吸收层是吸光材料，因此凸出部（条纹）包含吸光材料。该吸光材料用于吸收光以减少反射，与目标专利中吸光材料用于偏振分离的作用不同，但结构特征相同。 |
| 特征D：和包含介电材料的凹入部《直接公开》 | [0031]“将多个金属线(格栅线)(2A)以比光波长短的周期平行配置”，相邻金属线之间为间隙，通常为空气 | 对比文件公开了金属线之间的间隙为空气，空气是介电材料，因此凹入部包含介电材料。 |
| 特征E：所述吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10《直接公开》 | [0046]“入射光波长λ在300nm以上850nm以下的范围，实部nr为1.8以上5.7以下” | 对比文件公开了光吸收层（吸光材料）在300nm波长时的折射率实部为1.8-5.7，该范围落入1-10内，因此直接公开了吸光材料折射率在1-10内。 |
| 特征F：消光系数为0.5至10《未公开》 | [0046]“虚部nj为0.001以上3.0以下” | 对比文件公开了消光系数在0.001-3.0，其中0.5-3.0部分落入权利要求范围，但未公开3.0-10部分，且本领域技术人员不能合理推断出消光系数可达10，因此该特征未被公开。 |
| 特征G：所述凹凸结构形成于所述基板上《直接公开》 | [0031]“在基板(1)上形成条纹(2)” | 对比文件明确公开了条纹（凹凸结构）形成于基板上。 |
| 特征H：其中，在以下公式1中，a为0.74至10《未公开》 | 无 | 对比文件未公开公式1及参数a，因此未公开。 |
| 特征I：b为0.5至10《未公开》 | 无 | 对比文件未公开。 |
| 特征J：在以下公式2中，c为1.3至10《未公开》 | 无 | 对比文件未公开。 |
| 特征K：d为0.013至0.1《未公开》 | 无 | 对比文件未公开。 |
| 特征L：[公式1](a+bi)²＝n₁²×(1-W/P)+n₂²×W/P《未公开》 | 无 | 对比文件未公开该公式。 |
| 特征M：[公式2](c+di)²＝n₁²×n₂²/((1-W/P)×n₂²+W×n₁²/P)《未公开》 | 无 | 对比文件未公开。 |
| 特征N：其中，i为虚数《直接公开》 | [0040]“n_m = n_r + i×n_j, i是虚数单位” | 对比文件直接公开了i为虚数单位。 |
| 特征O：n1表示所述介电材料相对于波长为300nm的光的折射率《隐含公开》 | 无直接引用；但凹入部为空气，折射率1 | 对比文件未明确指定n1，但本领域技术人员由其结构可推知凹入部为空气，折射率为1，且对于300nm光折射率基本不变，因此隐含公开n1=1。 |
| 特征P：n2表示所述凸出部相对于波长为300nm的光的折射率《未公开》 | 无 | 对比文件未公开凸出部整体的有效折射率，仅给出光吸收层折射率，但凸出部包括金属和光吸收层，有效折射率不同，因此未公开。 |
| 特征Q：W表示所述凸出部的宽度《未公开》 | [0038]定义了金属线宽度MW，但未定义凸出部总宽度 | 对比文件公开了金属线宽度，但未公开凸出部（条纹）总宽度，因此未直接公开W。 |
| 特征R：P表示所述凸出部的间距《直接公开》 | [0038]“周期PL” | 对比文件公开了周期PL，即凸出部的间距。 |
| 特征S：其中，所述介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3《直接公开》 | 无直接引用；但凹入部为空气，折射率1 | 对比文件公开了凹入部为空气，空气折射率1，满足1-3，因此直接公开了该特征（至少针对空气）。 |
| 特征T：其中，所述凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10《未公开》 | 无 | 对比文件未公开凸出部整体折射率，因此不公开。 |
| 特征U：其中，所述凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10《未公开》 | 无 | 对比文件未公开凸出部整体消光系数，因此不公开。 |
| 特征V：其中，所述吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种《直接公开》 | [0052]“GaAs, InGaAs, GaP, InP, GaSb, InGaSb” | 对比文件公开了多种半导体化合物作为光吸收层材料，这些材料均属于目标专利权利要求中列出的吸光材料（如砷化镓、磷化镓、磷化铟、锑化镓等），因此直接公开了该特征。 |
| 特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98《未公开》 | [0071]公式η = (tp - ts)/(tp + ts)；实施例中η均大于0.98（如0.986-1.000） | 对比文件公开了偏振度计算公式，但未公开0.67-0.98的偏振度数值，其实施例偏振度均高于0.98，因此未公开该范围。 |
| 特征X：[公式3]D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)《直接公开》 | [0071]“偏光度η由以下数学式1计算：η = (tp - ts)/(tp + ts)” | 对比文件直接公开了与目标专利公式3完全相同的偏振度计算公式，其中tp对应Tc，ts对应Tp，因此直接公开。 |
| 特征Y：其中，Tc表示在垂直于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率《隐含公开》 | [0071]“tp是TM波成分（P偏振成分）的透射率”；[0046]涉及波长300-850nm | 对比文件公开了tp对应垂直于线方向的透射率，且其波长范围涉及300-850nm，覆盖250-350nm，因此隐含公开了Tc的定义，但波长范围不完全一致。 |
| 特征Z：Tp表示在平行于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率《隐含公开》 | [0071]“ts是TE波成分（S偏振成分）的透射率”；[0046]涉及波长300-850nm | 类似，对比文件公开了ts对应平行于线方向的透射率，隐含公开了Tp的定义。 |
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