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对比文件列表
2004-03-04_US2004041222A_发明申请_US20040041222A1 Power surface mount light emitting die package_+++A_B_C_D_E_F_G_K_M_N_O_Q+++.docx
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2004-09-02_JP2004247658A_发明专利_JP2004247658A Light-emitting diode lamp equipment_+++A_B_F_G_H_n_o_p+++.docx
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2004-09-09_US2004173810A_发明申请_US20040173810A1 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_n+++.docx
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2004-11-01_TW200423420A_发明专利_TW200423420A 高熱導發光二極體及其製作方法_+++A_B_F_G_I_K_O_T_c_h_l+++.docx
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2004-11-18_JP2004327863A_发明专利_JP2004327863A Semiconductor light emitting device having reflection plate with heat dissipation function_+++B_D_E_F_G_T_a_c_l_m_n+++.docx
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2005-03-24_JP2005079578A_发明专利_JP2005079578A Heat-conductivity-improved light emitting device assembly, system including the same, and method for improving heat conductivity_+++A_B_D_E_F_G_K_O_l_n_p+++.docx
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2005-07-28_JP2005202930A_发明专利_JP2005202930A Optical information reading device_+++A_B+++.docx
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2005-08-04_DE102004060957A_发明专利_DE102004060957A1 Method and device for optically reading information attached to a target_+++A_B_h_r+++.docx
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2006-08-10_US2006175716A_发明申请_US20060175716A1 Molded package and semiconductor device using molded package_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_U_V_W_n_q+++.docx
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2006-11-29_CN1871710A_发明公开_CN1871710A 采用电表面安装的发光晶片封装_+++B_D_E_F_G_K_O_Q_n+++.docx
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2007-03-14_JP3891115B_发明专利_JP3891115B2 Luminescent device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_R_T_q+++.docx
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2007-04-12_JP2007091884A_发明专利_JP2007091884A Transparent and highly thermally conductive resin composition, transparent high thermal conductor and light emitting diode_+++B_D_E_a_c_m+++.docx
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2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091386A1 照明装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_Q_R_T_p+++.docx
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2008-02-28_JP2008047809A_发明专利_JP2008047809A Full-color led_+++A_B_C_D_E_M_f_g_k_l_n+++.docx
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2008-11-06_JP2008270709A_发明专利_JP2008270709A Heat-dissipating resin composition, substrate for mounting led, reflector, and substrate for mounting led provided with reflector portion_+++A_B_C_D_E_G_H_M_Q_T_f_k_n_o_p+++.docx
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2008-11-26_JP4186915B_发明专利_JP4186915B2 The optical information reading apparatus_+++B+++.docx
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2008-12-04_US2008298063A_发明申请_US20080298063A1 LIGHT EMITTING APPARATUS, RESIN MOLDING DEVICE COMPOSING LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_n+++.docx
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2009-01-01_US2009001405A_发明申请_US20090001405A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_Q_R_T_V_n_p_u+++.docx
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2009-03-12_WO2009031084A_发明申请_WO2009031084A1 LIGHT OUTPUT DEVICE_+++B_D_E_F_G+++.docx
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2009-03-26_JP2009513003A_发明专利_JP2009513003A It led with a light-transmitting heat sink_+++B_C_D_F_G_H_M_O_R_a_e_k_l_n_p+++.docx
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2009-04-02_JP2009071090A_发明专利_JP2009071090A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_H_M_P_T_f_g_i_n+++.docx
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2009-05-07_JP2009099823A_发明专利_JP2009099823A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_U_V_W_Y_n_p+++.docx
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2009-06-18_JP2009135153A_发明专利_JP2009135153A Light emitting device_+++B_D_E_H_T_a_c_f_g_k_l_m_o+++.docx
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2009-08-19_KR1020090088134A_发明公开_KR1020090088134A 내열도, 반사율 및 열전도도가 우수한 수지 조성물 및 제조방법_+++A_B_c_f_g_k_l+++.docx
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2009-11-18_CN101583670A_发明公开_CN101583670A 散热性树脂组合物、LED实装用基板、反射器以及具有反射器部的LED实装用基板_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_N_Q_R_T_U_V+++.docx
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WO2005091386A1_Description_20260718_2036_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_P_Q_R_T_i_l_n_s_z+++.docx
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2005-03-24_JP2005079578A_发明专利_JP2005079578A Heat-conductivity-improved light emitting device assembly, system including the same, and method for improving heat conductivity_+++A_B_D_E_F_G_K_O_l_n_p+++.docx

对比文件的名称:2005-03-24_JP2005079578A_发明专利_JP2005079578A Heat-conductivity-improved light emitting device assembly, system including the same, and method for improving heat conductivity

目标专利的名称:1805发光器件封装CN102082233B

本次调用的模型名称:gpt-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括封装主体《直接公开》对比文件[2]段记载:“封入パッケージ108の端部と面一となる地点まで拡張することが出来る。”以及“封入パッケージ109のドーム型部分の基部の直径”。其中“封入パッケージ”即封装包,相当于封装主体。对比文件明确公开了封装包(封入パッケージ)作为封装组件的一部分,其包括基板、LED芯片和封装层,相当于目标专利的封装主体,因此直接公开。
技术特征B:发光器件《直接公开》对比文件[2]段记载:“発光ダイオード(LED)チップ100”以及“発光デバイス・アセンブリ”。对比文件直接公开了发光二极管芯片作为发光器件,因此直接公开。
技术特征C:所述发光器件位于所述封装主体的腔体中《未公开》对比文件[2]段记载:“第1の端子101はLEDチップ100を収容する空洞104を含む”。对比文件公开的腔体104位于第一端子(电极)中,而非封装主体中。目标专利的封装主体是独立的绝缘部件,其腔体用于容纳发光器件,而对比文件中没有封装主体腔体的概念,因此未公开。
技术特征D:树脂层《直接公开》对比文件[2]段记载:“第1の封入材の層108”和“第2の封入材の層109”。这些封入层由树脂材料组成。对比文件公开了第一封装层和第二封装层,均为树脂层,因此直接公开了树脂层特征。
技术特征E:所述树脂层用于覆盖所述发光器件《直接公开》对比文件[2]段记载:“第2の封入材の層109は、第1の封入材における層108の一方の側に空洞104を覆うように設けられる。”对比文件公开了第二封装层109覆盖LED芯片空洞,从而覆盖发光器件,因此直接公开。
技术特征F:第一电极和第二电极《直接公开》对比文件[2]段记载:“第1の端子101”和“第2の端子107”。对比文件直接公开了第一端子和第二端子作为电极,因此直接公开。
技术特征G:所述第一电极和第二电极连接到所述发光器件《直接公开》对比文件[2]段记载:“金属系接着剤102を用いてリードフレームの第1の端子101へと接着して取り付けられたLEDチップ100”和“金ワイヤ106である電気接続は、LED100の一端とリードフレームの第2の端子107との間に作られる”。对比文件公开了LED芯片通过金属粘合剂连接到第一端子,并通过金线连接到第二端子,因此直接公开。
技术特征H:其中,所述封装主体包括这样的材料《未公开》对比文件未明确记载封装主体的材料,对比文件中的封装包由封入层构成,但未指定其材料特性。对比文件没有公开封装主体的材料组成,且其封装包是由封入层直接形成,没有单独的封装主体结构,因此未公开。
技术特征I:所述材料的导热性比构成所述树脂层的材料的导热性更低《未公开》对比文件[2]段记载:“第1の封入材の層108は強化された熱伝導率を持ち、...少なくとも10〜20W/mKまで熱伝導率を向上させることが出来る。”对比文件没有公开封装主体材料,且其第一封装层具有增强的导热性(高于普通树脂),而目标专利要求封装主体导热性低于树脂层,相反,因此未公开。
技术特征J:其中,构成所述封装主体的材料和构成所述树脂层的材料之间的导热性的差值至少是10W/m.k《未公开》对比文件未提及封装主体材料与树脂层材料的导热性差值。对比文件没有公开封装主体,也没有公开任何导热性差值,因此未公开。
技术特征K:其中,所述发光器件安装在所述第一电极上《直接公开》对比文件[2]段记载:“発光ダイオード(LED)チップ100を金属系接着剤102を用いてリードフレームの第1の端子101へと接着して取り付ける”。对比文件公开了LED芯片安装在第一端子上,即第一电极上,因此直接公开。
技术特征L:所述封装主体设置在所述第一电极和第二电极上《隐含公开》对比文件[2]段记载:“第1の封入材の層108は、...第1の端子101の部分103を包む。”以及“第2の端子107は第1の封入材の層108を貫通する。”对比文件公开了第一封装层(相当于封装主体)包裹第一端子,并且第二端子穿过第一封装层,这表明封装层设置在电极上,与目标专利的封装主体设置在电极上实质等同,因此隐含公开。
技术特征M:其中,所述树脂层放置在所述封装主体的腔体中《未公开》对比文件没有公开封装主体的腔体,树脂层(第二封装层)直接填充第一端子的腔体。对比文件未公开封装主体具有腔体,且树脂层是放置在电极腔体中,而非封装主体腔体,因此未公开。
技术特征N:其中,所述第一和第二电极的导热性高于所述树脂层的导热性《隐含公开》对比文件[2]段记载金属材料的导热性,且第一封装层具有增强导热性(10-20 W/mK),但金属电极的导热性通常为100 W/mK以上,本领域技术人员熟知。对比文件虽未明确比较,但金属电极的导热性远高于聚合物树脂层(包括第一封装层和第二封装层),这是本领域公知常识,因此隐含公开。
技术特征O:其中,所述第一电极连接到所述发光器件的下部《直接公开》对比文件[2]段记载:“発光ダイオード(LED)チップ100を金属系接着剤102を用いてリードフレームの第1の端子101へと接着して取り付ける”。发光器件通常通过底部连接至第一端子,因此直接公开。
技术特征P:其中,所述第一和第二电极包括铜的合金或者铝的合金《隐含公开》对比文件[2]段记载“金属系接着剤”和“リードフレーム”,但未明确电极材料。对比文件公开了第一和第二端子为金属引线框架,本领域常用的引线框架材料包括铜合金或铝合金,因此隐含公开。
技术特征Q:还包括放置在所述树脂层上的透镜部《未公开》对比文件[2]段记载:“第2の封入材の層109は、一般にレンズ形状に作られる。”但该透镜部直接覆盖LED,而非放置在树脂层上。对比文件没有公开树脂层(覆盖LED)和透镜部(放置在树脂层上)的层叠结构,其第二封装层直接作为透镜覆盖LED,第一封装层不覆盖LED,因此未公开。
技术特征R:其中,所述封装主体包括这样的材料《未公开》同特征H,对比文件未公开封装主体材料。未公开。
技术特征S:所述材料的导热性低于构成所述透镜部的材料的导热性《未公开》对比文件没有公开封装主体材料与透镜部材料的导热性比较。未公开。
技术特征T:其中,所述树脂层包括至少一种磷光体《未公开》对比文件未提及磷光体。对比文件的封入层未包含磷光体,因此未公开。
技术特征U:其中,所述腔体包括第一腔体《未公开》对比文件[2]段记载空洞104,但该空洞位于第一端子中,而非封装主体中。对比文件没有公开封装主体的腔体结构,因此未公开。
技术特征V:所述第一腔体填充有所述树脂层《未公开》对比文件[2]段记载空洞104被第二封装层填充,但该空洞不是封装主体的第一腔体。未公开。
技术特征W:和第二腔体《未公开》对比文件没有第二腔体。未公开。
技术特征X:所述第二腔体填充有所述透镜部《未公开》对比文件没有第二腔体。未公开。
技术特征Y:其中,所述第二腔体的直径大于所述第一腔体的直径《未公开》对比文件没有公开两个腔体。未公开。
技术特征Z:其中,构成所述封装主体的材料和构成所述透镜部的材料之间的导热性的差值至少是0.01W/m.k《未公开》对比文件没有公开此差值。未公开。

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