对比文件名称：2003-05-01_US2003080344A_发明申请_US20030080344A1 Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。《直接公开》 | 对比文件[0031]记载：“参照图3，在透明衬底100上形成缓冲层120，该衬底优选为蓝宝石衬底。缓冲层120...可以仅具有通过VPE生长的n-GaN层。对于两层缓冲层，第一层GaN层110通过VPE生长在蓝宝石衬底上，第二层n-GaN层120通过VPE生长在GaN层110上。” | 对比文件公开了在蓝宝石衬底（第一支撑衬底）上形成GaN缓冲层（即氮化镓外延层），该缓冲层在氮化物半导体器件中固有地用于降低晶格失配和热膨胀系数差别，本领域技术人员可以毫无疑义地确定其功能，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。《未公开》 | 对比文件全文未记载在GaN外延层上形成第二支撑衬底的步骤或结构。 | 对比文件在形成缓冲层后直接生长n-GaN层、有源层等，并未形成额外的支撑衬底；去除蓝宝石衬底后形成n电极，无第二支撑衬底。因此未公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。《未公开》 | 对比文件全文未记载形成钝化层的步骤。 | 对比文件未公开任何钝化层，且没有第二支撑衬底，因此未公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。《未公开》 | 对比文件[0035]记载：“蓝宝石衬底100优选通过激光剥离方法与其他层分离。” | 对比文件采用激光剥离去除蓝宝石衬底，未使用钝化层作为掩膜进行蚀刻，因此未公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。《未公开》 | 对比文件全文未记载去除钝化层的步骤。 | 对比文件无钝化层和第二支撑衬底，因此未公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。《未公开》 | 对比文件[0035]-[0036]记载去除蓝宝石衬底后，暴露缓冲层并形成n电极，未再生长单晶GaN层。 | 对比文件在去除蓝宝石衬底后未进行单晶GaN层的生长，而是直接形成电极，因此未公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。《未公开》 | 对比文件全文未记载钝化层材料。 | 对比文件未公开钝化层，更未公开其材料，因此未公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。《未公开》 | 对比文件全文未记载固化工艺。 | 对比文件未公开钝化层形成后的固化工艺，因此未公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。《直接公开》 | 对比文件[0031]记载：“...透明衬底100，优选为蓝宝石衬底。” | 蓝宝石衬底属于氧化物衬底，因此对比文件公开了第一支撑衬底为氧化物衬底，直接公开了技术特征I。 |
| 技术特征J：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。《未公开》 | 对比文件[0035]记载采用激光剥离方法去除蓝宝石衬底，未提及湿蚀刻。 | 对比文件采用激光剥离，并非湿蚀刻，因此未公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。《未公开》 | 对比文件全文未记载钝化层去除步骤。 | 对比文件无钝化层，因此未公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。《未公开》 | 对比文件全文未记载第二支撑衬底。 | 对比文件无第二支撑衬底，因此未公开。 |
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