对比文件名称：2007-03-15_US2007057273A_发明申请_US20070057273A1 Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：本AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层 | 【0031】“参照图3，缓冲层120形成在透明衬底100上，优选蓝宝石衬底。缓冲层120最终将替代蓝宝石衬底100的功能，可以形成为一层、两层或三层。例如，缓冲层120可以仅具有通过VPE生长的n-GaN层。对于两层缓冲层，第一层GaN层110通过VPE生长在蓝宝石衬底上，第二层n-GaN层120通过VPE生长在GaN层110上。对于三层缓冲层，第一层GaN层110通过VPE生长在蓝宝石衬底上，第二层未掺杂GaN层130通过VPE生长在第一层GaN层110上，第三层n-GaN层120通过VPE生长在未掺杂GaN层130上。” | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底（即第一支撑衬底）上形成包含GaN层的缓冲层，该缓冲层（包括GaN层110）的作用是降低后续GaN层生长时因晶格常数和热膨胀系数差异导致的缺陷，本领域技术人员可直接、毫无疑义地确定该缓冲层即为氮化镓外延层，且其功能正是降低晶格失配和热膨胀系数差别。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底 | 对比文件全文未公开在GaN外延层上形成第二支撑衬底的步骤。 | 对比文件的方法中，在形成缓冲层、n-GaN层、有源层、p-GaN层后，直接通过激光剥离去除蓝宝石衬底，并在底部形成n型接触，未在任何GaN层上形成厚支撑层。因此，技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C**：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层 | 对比文件全文未公开形成钝化层的步骤。 | 对比文件未涉及任何钝化层，其去除蓝宝石衬底采用激光剥离，无需保护层。技术特征B未被公开，且该特征本身在对比文件中无任何记载。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底 | 对比文件全文未公开使用钝化层作为掩膜蚀刻衬底。 | 对比文件去除蓝宝石衬底采用激光剥离方法，未使用蚀刻工艺，更未使用钝化层作为掩膜。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层 | 对比文件全文未公开去除钝化层的步骤。 | 对比文件无钝化层形成步骤，故无去除钝化层步骤。技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层 | 对比文件全文未公开在去除衬底后再生长单晶氮化镓层的步骤。 | 对比文件在去除蓝宝石衬底后，直接在露出的缓冲层上形成n型接触，未进行任何外延生长单晶氮化镓层的步骤。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成 | 对比文件全文未公开钝化层及其材料。 | 对比文件未涉及钝化层，更未公开上述特定材料。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺 | 对比文件全文未公开固化工艺。 | 对比文件未涉及钝化层，故无相关固化工艺。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种 | 【0031】“透明衬底100，优选蓝宝石衬底”；【0004】背景技术中提及“使用蓝宝石衬底制作横向结构GaN基LED”；【0011】“使用碳化硅（SiC）衬底”。 | 对比文件明确公开了第一支撑衬底可以是蓝宝石（氧化物衬底），并在背景技术中提及SiC（碳化物衬底），本领域技术人员可直接确认第一支撑衬底包括氧化物衬底和碳化物衬底。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底 | 【0035】“蓝宝石衬底100优选通过激光剥离方法与其他层分离。” | 对比文件明确采用激光剥离而非湿蚀刻去除蓝宝石衬底，未公开湿蚀刻工艺。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除 | 对比文件全文未公开用醇溶剂去除钝化层。 | 对比文件无钝化层，故无相关去除步骤。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成 | 对比文件全文未公开第二支撑衬底。 | 对比文件方法中未形成第二支撑衬底，故未公开其材料特征。因此，技术特征L未被公开。 |
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