对比文件名称：2001-05-18_JP2001135861A_发明专利_JP2001135861A Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for it
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构（直接公开） | 段[0024]：“发光元件2是在蓝宝石基板2a的表面上依次层叠例如GaN的n型层、InGaN的活性层和GaN的p型层而构成的”。 | 对比文件直接公开了发光元件2，其包括n型层、活性层、p型层，相当于发光结构，且作用相同，用于发光。 |
| 技术特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | 段[0024]同上。 | 对比文件中的n型层相当于第一导电半导体层，p型层相当于第二导电半导体层，InGaN活性层相当于有源层，且层叠顺序一致，因此直接公开。 |
| 技术特征C：发光结构上的透射层（未公开） | 无 | 对比文件没有公开任何透射层，其封装3直接覆盖发光结构，没有中间透射层，因此未公开。 |
| 技术特征D：透射层上的荧光材料层（未公开） | 无 | 由于未公开透射层，因此无法形成透射层上的荧光材料层，对比文件荧光材料层直接覆盖发光结构，因此未公开。 |
| 技术特征E：荧光材料层包括图案（直接公开） | 段[0043]：“在封装5的上面部对应n侧电极2c和p侧电极2d开设有孔5a、5b”。 | 对比文件中的封装5即为荧光材料层，其包括孔5a、5b，这些孔构成了图案，因此直接公开了荧光材料层包括图案。 |
| 技术特征F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；并且中，发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层，且荧光材料层完全覆盖发光结构，没有暴露部分，因此未公开。 |
| 技术特征G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（直接公开） | 段[0029]：“发光元件2的主光取出面方向及侧面方向全部被厚度D的封装3覆盖”。 | 对比文件公开了封装3（荧光材料层）覆盖发光元件2的整个侧面，因此直接公开了荧光材料层形成在发光结构横向侧面的整个区域上，特征G包括“整个区域”。 |
| 技术特征H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层，因此不存在透射层的底表面设置在发光结构顶表面，未公开。 |
| 技术特征I：透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 无 | 对比文件没有公开透射层，更未公开其厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（直接公开） | 段[0033]：“封装3的厚度D为20～110μm”。 | 对比文件公开了封装3（荧光材料层）的厚度范围为20～110μm，该范围完全落入目标专利的5～500μm范围内，因此直接公开了该厚度范围特征。 |
| 技术特征K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 无 | 对比文件没有公开构图工艺后保留的荧光材料层面积与发光面积的比例，因此未公开。 |
| 技术特征L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括图案（未公开） | 无 | 对比文件侧面荧光材料层是连续覆盖的，没有形成图案，因此未公开。 |
| 技术特征M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层，且特征M明确涉及透射层上的荧光材料层厚度，无法直接对应，因此未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括发光结构下面的第二电极（未公开） | 无 | 对比文件没有公开类似目标专利中第二电极（如欧姆层、反射层、结合层、导电衬底等）的结构，因此未公开。 |
| 技术特征O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（未公开） | 无 | 对比文件发光元件的顶表面是基板，没有形成电极，电极形成在底部，因此未公开。 |
| 技术特征P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层，且图案孔暴露的是电极而非透射层，也未涉及垂直重叠，因此未公开。 |
| 技术特征Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小（未公开） | 无 | 对比文件没有公开第二电极，也未比较宽度，因此未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底（直接公开） | 段[0024]：“蓝宝石基板2a”。 | 对比文件公开了发光元件2的基板2a为蓝宝石，蓝宝石是非导电衬底，且位于发光结构（n型层、活性层、p型层）之下，因此直接公开。 |
| 技术特征S：透射层包括硅胶（未公开） | 无 | 对比文件没有公开透射层，封装材料为环氧树脂，不是硅胶，因此未公开。 |
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