对比文件名称：2009-02-05_US2009032827A_发明申请_US20090032827A1 Concave Wide Emitting Lens for LED Useful for Backlighting
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| A：包括发光结构《直接公开》 | [0020] “LED die 22” 等。 | 对比文件明确记载LED die（发光结构），功能与本专利的发光结构相同，均为发光核心，因此直接公开。 |
| B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《直接公开》 | [0020] “one or more n-type cladding layers are then formed over the thick n-type layer, followed by an active layer, one or more p-type cladding layers”（一种或多种n型包覆层形成在厚的n型层上，接着是有源层，一种或多种p型包覆层）。 | 对比文件明确公开了n型层（第一导电半导体层）、p型层（第二导电半导体层）以及之间的有源层，与本专利的半导体层结构完全相同，因此直接公开。 |
| C：发光结构上的透射层《未公开》 | [0026] “liquid, optically transparent material, such as silicone”（液态透明材料，例如硅胶）；[0029] “lens 26” 形成在die 22上。 | 对比文件中的透镜虽为透明材料，但其结构位置与本专利的透射层不同：对比文件图8的透镜位于荧光材料层之上，图7的透镜内分散有荧光材料，均未形成位于发光结构上且与荧光材料层分离的单独透射层。本专利的透射层具有低热传导性、高透射性，且位于发光结构与荧光材料层之间，对比文件未公开该特定层及其位置关系，因此未公开。 |
| D：透射层上的荧光材料层《未公开》 | [0048] “the phosphor is formed either as a preformed sheet 86 that is affixed over the LED die 59, or the entire surface of the LED die 59 is coated with phosphor 86/88”（荧光材料形成为预成型片86贴附在LED die 59上，或整个LED die表面涂覆荧光材料86/88）；[0046] “disperse phosphor particles 82 in the liquid lens material”（荧光颗粒分散在透镜材料中）。 | 对比文件公开的荧光材料布置方式有两种：一是荧光材料分散在透镜中（图7），二是荧光材料层直接形成在LED die上然后透镜覆盖（图8）。这两种方式均未形成“透射层上的荧光材料层”结构：图7中荧光材料与透镜混合，无分离层；图8中荧光材料层在发光结构上，透镜在荧光材料层上，荧光材料层位于透射层（透镜）之下。本专利的荧光材料层明确位于透射层之上，对比文件未公开该结构，因此未公开。 |
| E：荧光材料层包括图案《未公开》 | 对比文件全文未涉及荧光材料层的图案化描述。 | 对比文件仅提及荧光材料均匀分散或整体涂覆，未公开任何图案化（如孔、部分暴露等）的荧光材料层，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得到该特征，因此未公开。 |
| F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；并且，发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠《未公开》 | 同E，无相关记载。 | 对比文件无任何关于荧光材料层部分暴露下层结构的内容，也无垂直重叠关系的描述，因此未公开。 |
| G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《未公开》 | [0048] 仅提及荧光材料覆盖LED die表面，未明确覆盖横向侧面。 | 对比文件中荧光材料层（图8）通常仅覆盖LED die顶面，透镜覆盖侧面，但荧光材料层本身未专门形成在横向侧面上，本专利明确要求荧光材料层位于侧面，对比文件未公开，因此未公开。 |
| H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上《未公开》 | 由于未公开透射层，无相关引用。 | 对比文件未公开本专利定义的透射层，因此无法讨论其底表面位置，该特征未公开。 |
| I：透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》 | [0044] “the thickness of a lens 26 is 0.5 to 1 mm”（透镜厚度为0.5至1mm）。 | 对比文件透镜厚度为500-1000μm，与本专利的2-200μm范围完全不同，本领域技术人员不能从对比文件得出该特定厚度范围，因此未公开。 |
| J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》 | 对比文件未给出荧光材料层的具体厚度数值。 | 对比文件未提及荧光材料层的厚度范围，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含确定该数值范围，因此未公开。 |
| K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件无任何构图工艺及面积比例的描述，因此未公开。 |
| L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括图案《未公开》 | 同E、G，无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层在侧面具有图案，因此未公开。 |
| M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及侧面与顶面荧光材料层厚度的比较关系，因此未公开。 |
| N：进一步包括发光结构下面的第二电极《未公开》 | [0021] “in a vertical injection (non-flip-chip) LED, an n-contact is formed on one side of the chip, and a p-contact is formed on the other side”（在垂直注入型LED中，n接触形成在芯片一侧，p接触形成在另一侧）。 | 对比文件主要实施例为flip-chip结构，电极均位于同一侧；虽提及垂直型LED，但未详细描述第二电极的具体结构及与发光结构的直接位置关系，本领域技术人员无法从对比文件明确得出“发光结构下面的第二电极”这一特征，因此未公开。 |
| O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》 | 对比文件flip-chip实施例中电极位于底部；垂直型LED通常仅有一个顶面电极。 | 对比文件未公开在发光结构顶表面设置至少两个第一电极的情况，因此未公开。 |
| P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件无任何荧光材料层图案化及孔结构的描述，因此未公开。 |
| Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及发光结构与第二电极的横向宽度比较，因此未公开。 |
| R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底《未公开》 | [0023] “the sapphire substrate is removed”（蓝宝石衬底被移除）。 | 对比文件明确在优选实施例中移除生长衬底（非导电衬底），未保留非导电衬底，因此未公开该特征。 |
| S：透射层包括硅胶《未公开》 | [0026] “silicone”（硅胶）用于透镜。 | 由于本专利的透射层未被对比文件公开（见特征C），因此即使对比文件使用了硅胶，该材料特征也不属于对比文件公开的技术方案，不能认为公开了“透射层包括硅胶”，因此未公开。 |
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A和B，未直接或隐含公开其他技术特征。
<<<A>>><<<B>>>