好的，请看我作为资深专利代理师进行的评估分析。
首先，明确本次评估的相关信息：
- **对比文件名称**：2006-10-12_JP2006278567A_发明专利_JP2006278567A Led unit
- **目标专利名称**：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
- **本次调用模型名称**：当前使用的模型
以下是根据目标专利权利要求的技术特征与对比文件进行的详细比对分析。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括发光结构** <br> **《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“...ＬＥＤチップ３と...”。（...LED芯片3...） | 对比文件明确公开了LED芯片3，其作用与目标专利的发光结构相同，都是用于发光的核心部件。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层** <br> **《直接公开》** | 对比文件第[2]段（实施形态1）：“...ｎ型半導体層３０、基板２と反対側のｎ型半導体層３０の面に設けられる発光層３１、及びｎ型半導体層と反対側の発光層３１の面に設けられるＰ型半導体層３２からなるＬＥＤチップ３と...”。（...由n型半导体层30、设置在基板2相反侧的n型半导体层30的面上的发光层31、以及设置在n型半导体层相反侧的发光层31的面上的p型半导体层32构成的LED芯片3...） | 对比文件明确公开了LED芯片3由n型半导体层30、发光层31和p型半导体层32构成。n型半导体层30和p型半导体层32分别对应第一/第二导电半导体层，发光层31对应有源层，且发光层31位于n型半导体层30和p型半导体层32之间。这与技术特征B完全一致，因此被直接公开。 |
| **技术特征C：所述发光结构上的透射层** <br> **《隐含公开》** | 对比文件第[2]段（实施形态1）：“...透明電極４と...”。（...透明电极4...）<br>对比文件第[2]段（实施形态1）：“...光拡散部５と...”。（...光扩散部5...） | 目标专利的透射层（130）具有比荧光材料层更低的热传导性和更高的光透射性，用于隔离热传导并传导光。对比文件中，透明电极4位于LED芯片3上，光扩散部5位于透明电极4上，它们共同构成了光从LED芯片出射的路径。虽然透明电极4主要起导电作用，光扩散部5主要起扩散光作用，但两者均位于发光结构上且具有透光性。本领域技术人员可以合理推断，在LED芯片3上设置具有透光性的层（如光扩散部5）是常规设计，且对比文件明确教导了在发光结构上设置透光性构件。然而，对比文件并未明确公开一个具有“隔离热传导”这一特定功能的透射层。因此，技术特征C被**隐含公开**。 |
| **技术特征D：所述透射层上的荧光材料层** <br> **《直接公开》** | 对比文件第[2]段（实施形态11）：“...波長変換部８は、...光拡散部５の上面に接合されている。”。（...波长转换部8，...接合在光扩散部5的上表面。） | 目标专利的荧光材料层（140）即包含荧光粉的波长转换层。对比文件中的波長変換部8（波长转换部）的功能就是将光转换为特定波长的光，其本质就是荧光材料层。对比文件明确记载该波長変換部8接合在光扩散部5（对比文件中位于发光结构上的透光构件）上。因此，技术特征D被直接公开。 |
| **技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案** <br> **《隐含公开》** | 对比文件全文未明确公开荧光材料层具有图案。 | 目标专利的荧光材料层包括图案（如孔状、网格状），以部分暴露透射层或发光结构，从而提高光提取效率或控制色温。对比文件中的波長変換部8描述为平板状，覆盖整个光扩散部5，未提及任何图案化结构。虽然本领域技术人员为了调节光色或效率可能想到对荧光层进行图案化，但对比文件本身并未给出任何启示或教导。因此，技术特征E被**隐含公开**（基于宽松标准，有可能通过其他方式组合得到）。 |
| **技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠。** <br> **《隐含公开》** | 对比文件图6、图19等显示，LED芯片3、透明电极4、光扩散部5、波長変換部8在垂直方向上依次重叠设置。 | 目标专利的该特征限定了荧光材料层是图案化的，且部分暴露下方结构，同时发光结构与透射层、荧光材料层在垂直方向上重叠。对比文件中，虽然波長変換部8（荧光材料层）与光扩散部5（透射层的对应物）和LED芯片3（发光结构）在垂直方向上重叠，但对比文件的波長変換部8是连续的，并未部分暴露光扩散部5或LED芯片3。因此，特征F中“部分暴露”的部分未被公开。然而，基于宽松标准，在对比文件公开了垂直重叠结构的基础上，如果引入图案化荧光层（特征E），则可能实现部分暴露，因此技术特征F被**隐含公开**。 |
| **技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上** <br> **《隐含公开》** | 对比文件图6、图19等显示，波長変換部8仅覆盖在光扩散部5的顶面，并未延伸到LED芯片3的侧面。 | 目标专利明确将荧光材料层形成在发光结构的横向侧面。对比文件的所有实施例中，波長変換部8均位于光扩散部5的上方，并未延伸至LED芯片3的侧面。虽然对比文件在实施形态7和10中考虑了侧面光的利用，但均是通过反射或折射，而非直接在侧面设置荧光层。因此，技术特征G未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上** <br> **《直接公开》** | 对比文件图1、图6显示，透明电极4直接接触并设置在p型半导体层32（或n型半导体层30）的顶表面上。 | 目标专利的透射层（130）直接形成在发光结构（110）的顶表面上。对比文件中，透明电极4或光扩散部5直接设置在LED芯片3的顶表面上。可以认为，位于发光结构顶面上的透光层（如光扩散部5）的底面即是设置在发光结构的顶表面上的。因此，技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度** <br> **《隐含公开》** | 对比文件未公开光扩散部5或透明电极4的具体厚度数值。 | 目标专利对透射层的厚度进行了数值限定。对比文件未提及光扩散部5或透明电极4的任何厚度范围。虽然本领域技术人员可以根据需要选择厚度，但对比文件未提供任何数值教导。因此，基于宽松标准，技术特征I被**隐含公开**。 |
| **技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度** <br> **《隐含公开》** | 对比文件未公开波長変換部8的具体厚度数值。 | 目标专利对荧光材料层的厚度进行了数值限定。对比文件未提及波長変換部8的任何厚度范围。虽然本领域技术人员可以根据需要选择厚度，但对比文件未提供任何数值教导。因此，基于宽松标准，技术特征J被**隐含公开**。 |
| **技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内** <br> **《隐含公开》** | 对比文件未公开荧光材料层的图案化，因此也无面积比例。 | 目标专利对构图后荧光材料层保留的面积比例进行了数值限定。由于对比文件没有公开任何形式的荧光材料层图案（特征E未被公开），因此更不可能公开其面积比例。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案** <br> **《隐含公开》** | 对比文件未公开在发光结构侧面设置荧光材料层（特征G未被公开），也未公开图案。 | 该特征以特征G（荧光材料层在发光结构侧面）和特征E（荧光材料层包括图案）为基础。由于对比文件未公开在发光结构侧面设置荧光材料层，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小** <br> **《隐含公开》** | 对比文件未公开在发光结构侧面设置荧光材料层（特征G未被公开）。 | 该特征以特征G为基础，并进一步限定了侧面的荧光材料层与顶面荧光材料层的厚度关系。由于对比文件未公开在发光结构侧面设置荧光材料层，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极** <br> **《直接公开》** | 对比文件第[2]段（实施形态1）：“...熱伝導部１の一面に伝熱的及び電気的に接続される熱伝導性及び導電性を有する基板２と...”。（...与热传导部的一面传热及电连接的热传导性及导电性基板2...）<br>对比文件图1、图6显示，基板2位于LED芯片3下方。 | 目标专利的第二电极（105）位于发光结构（110）下方，用于电连接和散热。对比文件中的基板2直接位于LED芯片3下方，并且具有导电性，作为电极使用。因此，技术特征N被直接公开。 |
| **技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极** <br> **《隐含公开》** | 对比文件图1、图6显示，在LED芯片3的上方设置有透明电极4，并通过电极5b与外部连接。 | 目标专利的第一电极（120）位于发光结构顶表面，具有布线图案，并可能连接焊盘电极。对比文件中，透明电极4覆盖LED芯片3顶面，通过电极5b引出。这可以看作是一个电极结构。但目标专利要求“至少两个第一电极”，对比文件虽然可能通过多点连接（如电极5b），但未明确公开在顶表面上有两个独立的、具有布线图案的电极。因此，技术特征O被**隐含公开**。 |
| **技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠。** <br> **《隐含公开》** | 对比文件未公开荧光材料层的图案化（特征E未被公开）。 | 该特征进一步限定了特征E和F中图案的具体形式。由于对比文件未公开荧光材料层的任何图案，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小** <br> **《直接公开》** | 对比文件图1、图6明确显示，LED芯片3的横向宽度小于其下方的基板2的横向宽度。 | 对比文件的图示（图1、图6等）清晰地展示了LED芯片3的宽度小于其下方的基板2的宽度。这直接对应了目标专利中发光结构横向宽度小于第二电极横向宽度的特征。因此，技术特征Q被直接公开。 |
| **技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底** <br> **《隐含公开》** | 对比文件第[2]段（实施形态2）：“...ＬＥＤチップ３は、上記実施形態１とは異なり、別途サファイア等の透明な結晶成長基板上にエピタキシャル成長等によって形成される。”。（...LED芯片3，与上述实施形态1不同，是另行在蓝宝石等透明结晶成长基板上通过外延生长等形成的。） | 目标专利的非导电衬底（205）如蓝宝石，位于发光结构下。对比文件实施形态2中，先在蓝宝石（非导电衬底）上生长LED芯片，然后去除，但最终结构中并未保留该衬底。而对比文件实施形态1中，基板2是导电的。因此，对比文件未公开在最终发光器件芯片中，发光结构下保留有非导电衬底。然而，在实施形态2的制造过程中，LED芯片是先在非导电衬底上形成，本领域技术人员可以想到保留该衬底。因此，技术特征R被**隐含公开**。 |
| **技术特征S：其中所述透射层包括硅胶** <br> **《隐含公开** | 对比文件第[2]段（实施形态1）：“光拡散部５は、略半球状に形成されたシリコンゴムからなり...”。（光扩散部5，由大致半球状形成的硅橡胶构成...） | 目标专利的透射层（130）包括硅胶。对比文件的光扩散部5由硅橡胶（シリコンゴム，silicone rubber）构成。硅橡胶和硅胶在材料特性上高度近似，都属于硅基聚合物，具有透光性和弹性。本领域技术人员可以合理地将对比文件中的硅橡胶视为与目标专利的硅胶等同或类似的透光材料。然而，对比文件明确其是“光扩散部”，而目标专利是“透射层”，功能表述略有不同（扩散vs透射）。因此，基于宽松标准，技术特征S被**隐含公开**。 |
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### 结论
根据上述分析，对比文件JP2006278567A公开了目标专利的部分技术特征。具体结论如下：
**直接公开的技术特征：** A, B, D, H, N, Q
**隐含公开的技术特征：** C, E, F, I, J, O, R, S
**未被公开的技术特征：** G, K, L, M, P
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