**对比文件名称：** 2007-05-10_JP2007116035A_发明专利_JP2007116035A Light emitting device and method of manufacturing same
**目标专利名称：** 1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
**本次调用的模型名称：** AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括发光结构**《直接公开》 | 実施例１部分：「まず、カップ形状の凹部２０Ａを有するフレーム２０を用意し、その凹部２０Ａの底面に、波長４５０ｎｍ〜４７０ｎｍで発光する光源として、ＬＥＤチップ（発光ダイオード）２１を、接着剤として銀ペースト２２を用いてダイボンディングした。」（中文翻译：首先，准备具有杯状凹部20A的框架20，在凹部20A的底面使用银浆22作为粘合剂将作为波长为450nm-470nm发光光源的LED芯片（发光二极管）21进行芯片键合。） | 对比文件明确公开了LED芯片21作为发光结构，该芯片能够发射光，与目标专利的发光结构功能相同，因此直接公开。 |
| **技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层**《直接公开》 | 励起光源部分：「ＧａＮ系ＬＥＤにおいては、ＡｌＸＧａＹＮ発光層、ＧａＮ発光層、又はＩｎＸＧａＹＮ発光層を有しているものが好ましい。…発光層をｎ型とｐ型のＡｌＸＧａＹＮ層、ＧａＮ層、又はＩｎＸＧａＹＮ層などでサンドイッチにしたヘテロ構造」（中文翻译：在GaN类LED中，优选具有AlXGaYN发光层、GaN发光层或InXGaYN发光层…将发光层夹在n型和p型AlXGaYN层、GaN层或InXGaYN层等之间的异质结构。） | 对比文件直接描述了发光层（有源层）被夹在n型半导体层（第一导电半导体层）和p型半导体层（第二导电半导体层）之间，结构特征完全相同，因此直接公开。 |
| **技术特征C：所述发光结构上的透射层**《直接公开》 | 発光装置の製造方法部分：「(1) 励起光源上に未硬化樹脂層を形成する工程」（中文翻译：在励起光源上形成未硬化树脂层的工序）以及图1(a)的说明。 | 对比文件公开了在LED芯片（发光结构）上直接形成树脂层，该树脂层在最终产品中位于芯片上方且不含荧光体的部分起到透射作用，与目标专利的透射层位置和作用相同，因此直接公开。 |
| **技术特征D：所述透射层上的荧光材料层**《直接公开》 | 発光装置の製造方法部分：(4)工序使蛍光体粉侵入樹脂層，最終形成「蛍光体含有層２５Ａ」。图1(e)中示出蛍光体含有層位于樹脂層上部。 | 对比文件通过在树脂层（透射层）上放置荧光体粉并使其沉入，最终在树脂层上部形成荧光体富集层（即荧光材料层），该层位于无荧光体树脂层（透射层）之上，因此直接公开。 |
| **技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案**《直接公开》 | 実施例１部分：「所定の位置だけを開孔したマスクを用いステンレス製篩（目開き200メッシュ）を通してこの樹脂層２４上に、…蛍光体粉を均一に散布した」。（中文翻译：使用仅在特定位置开孔的掩模，通过不锈钢筛（200目）将荧光体粉均匀散布在树脂层24上。） | 对比文件通过掩模选择性地沉积荧光体粉，使得荧光体粉仅分布在开孔区域，形成图案化的分布，即荧光材料层具有图案，因此直接公开。 |
| **技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠**《未公开》 | 无 | 对比文件中，荧光体沉入树脂层内部，树脂层始终覆盖LED芯片，无法暴露发光结构；虽然通过掩模可使部分区域无荧光体，但树脂层仍存在，因此不能同时暴露透射层和发光结构。故未公开。 |
| **技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上**《未公开》 | 无 | 对比文件中，荧光体粉通过重力沉入，主要集中在芯片顶面上方，未在芯片侧面形成荧光材料层，因此未公开。 |
| **技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上**《直接公开》 | 発光装置の製造方法部分：(1)工程“励起光源上に未硬化樹脂層を形成する工程”以及图1(a)所示树脂层直接位于LED芯片上。 | 对比文件公开了树脂层（透射层）直接形成在LED芯片（发光结构）的顶表面，因此底表面必然设置在顶表面上，直接公开。 |
| **技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度**《直接公开》 | 最后部分：「ＬＥＤチップ２１上に少なくとも厚さ２０μｍの蛍光体非含有層を有することが好ましい」。（中文翻译：优选在LED芯片21上具有至少20μm厚的无荧光体层。） | 对比文件公开了无荧光体层（即透射层）的厚度至少为20μm，该数值落入2μm至200μm的范围内，因此直接公开。 |
| **技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度**《直接公开》 | 最后部分：「蛍光体含有層の厚さは、フレーム２０の形状によっても異なるが５０〜８０μｍ程度であることが好ましい」。（中文翻译：荧光体含有层的厚度根据框架形状而不同，但优选为50-80μm左右。） | 对比文件公开了荧光体含有层（荧光材料层）的厚度优选为50-80μm，该数值范围落入5μm至500μm的范围内，因此直接公开。 |
| **技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内**《未公开》 | 无 | 对比文件虽采用掩模构图，但未涉及保留面积与发光面积的比例关系，故未公开。 |
| **技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案**《未公开》 | 无 | 对比文件未公开在发光结构横向侧面形成图案化的荧光材料层，故未公开。 |
| **技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小**《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及侧面与顶面荧光材料层厚度的比较关系，故未公开。 |
| **技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极**《隐含公开》 | 発光装置の構成部分：「励起光源４とマウントリード２、及び励起光源４とインナーリード３は、それぞれ導電性ワイヤー６で導通されている」。（中文翻译：励起光源4与支架2以及励起光源4与内引线3分别通过导电性导线6导通。） | 对比文件描述了LED芯片通过导线与外部电极连接，这必然要求LED芯片具有底部电极（第二电极）以实现电连接，本领域技术人员可以合理推断出发光结构下面存在第二电极，因此隐含公开。 |
| **技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极**《未公开》 | 无 | 对比文件未提及顶表面电极的数量，通常LED芯片可只具有一个顶电极，故未公开至少两个第一电极。 |
| **技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠**《未公开》 | 无 | 对比文件未公开荧光材料层图案中具有至少两个孔及其垂直重叠关系，故未公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小**《未公开》 | 无 | 对比文件未比较发光结构横向宽度与第二电极的尺寸关系，故未公开。 |
| **技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底**《隐含公开》 | 励起光源部分：「ＧａＮ系化合物半導体を使用した、ＧａＮ系ＬＥＤ」。（中文翻译：使用GaN类化合物半导体的GaN类LED。） | 通常GaN系LED生长在蓝宝石（非导电）衬底上，本领域技术人员可以合理推断该LED芯片包含非导电衬底，因此隐含公开。 |
| **技术特征S：其中所述透射层包括硅胶**《未公开》 | 樹脂部分：使用エポキシ樹脂（环氧树脂）。 | 对比文件明确使用环氧树脂作为树脂层材料，未提及硅胶，故未公开。 |
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