**对比文件的名称：** JP2005252222A（Semiconductor light-emitting device, lighting module, lighting device, display device, and method of manufacturing semiconductor light-emitting device）
**目标专利的名称：** CN102130247B（发光器件芯片、发光器件封装）
**本次调用的模型名称：** 通义千问
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（日文原文及中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构（直接公开） | 原文：“図１に示すように、ＬＥＤチップ２は、ベース基板となる高抵抗Ｓｉ基板４（以下、単に「Ｓｉ基板４」という。）上に、半導体多層膜６と蛍光体膜８が設けられた構成をしている。” 翻译：如图1所示，LED芯片2具有在作为基底基板的高电阻Si基板4上设置半导体多层膜6和荧光体膜8的结构。（实施方式1） | 对比文件中的半导体多层膜6相当于目标专利的发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | 原文：“半導体多層膜６は、Ｓｉ基板４側から順に、導電型層であるｐ−ＡｌＧａＮ層１０（厚さ２００ｎｍ）、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ多重量子井戸発光層１２（厚さ４０ｎｍ）、導電型層であるｎ−ＡｌＧａＮ層１４（厚さ２μｍ）から成り、ダイオード構造を構成している。” 翻译：半导体多层膜6从Si基板4侧开始依次由导电型层p-AlGaN层10、InGaN/AlGaN多重量子阱发光层12、导电型层n-AlGaN层14构成，构成二极管结构。（实施方式1） | 公开了p型层、发光层、n型层，分别对应目标专利的第一或第二导电半导体层及有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征C：发光结构上的透射层（未公开） | 对比文件未记载透射层。 | 对比文件中的荧光体膜直接形成在半导体多层膜上，没有中间透射层，因此未公开。 |
| 技术特征D：透射层上的荧光材料层（未公开） | 对比文件未记载透射层。 | 缺乏透射层，因此荧光材料层不是形成在透射层上，未公开。 |
| 技术特征E：荧光材料层包括图案（未公开） | 对比文件未记载荧光体膜具有图案。 | 对比文件中的荧光体膜整体覆盖，没有图案化，因此未公开。 |
| 技术特征F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者（未公开） | 对比文件未记载部分暴露。 | 对比文件没有透射层，且荧光体膜完全覆盖，未公开部分暴露。 |
| 技术特征G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（直接公开） | 原文：“蛍光体膜８は、Ｓｉ基板４で受けるような形で、前記半導体多層膜６の側面およびＳｉ基板とは反対側の主面を覆うように形成されている。” 翻译：荧光体膜8以被Si基板4承接的方式，形成为覆盖半导体多层膜6的侧面和与Si基板相反一侧的主面。（实施方式1） | 明确公开荧光体膜覆盖半导体多层膜的侧面，即整个横向侧面，因此直接公开。 |
| 技术特征H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上（未公开） | 对比文件未记载透射层。 | 无透射层，未公开。 |
| 技术特征I：透射层厚度2μm至200μm（未公开） | 对比文件未记载透射层厚度。 | 无透射层，未公开。 |
| 技术特征J：荧光材料层厚度5μm至500μm（直接公开） | 原文：“蛍光体膜８厚２００μｍ” 翻译：荧光体膜8厚度200μm。（实施方式1） | 荧光体膜厚度200μm在5-500μm范围内，直接公开。 |
| 技术特征K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未记载构图工艺及面积比例。 | 无相关公开。 |
| 技术特征L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件未记载图案。 | 荧光体膜无图案，未公开。 |
| 技术特征M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未记载透射层及厚度关系。 | 无透射层，未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括发光结构下面的第二电极（直接公开） | 原文：“ｐ−ＡｌＧａＮ層１０の下面（発光層１２と反対側の主面）には、その全面にＲｈ/Ｐｔ/Ａｕからなる高反射率電極１６が形成されている。” 翻译：在p-AlGaN层10的下面（与发光层12相反一侧的主面）的整个面上形成有由Rh/Pt/Au构成的高反射率电极16。（实施方式1） | 高反射率电极16形成在发光结构下面，相当于目标专利的第二电极，直接公开。 |
| 技术特征O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（未公开） | 对比文件仅记载单一n侧电极26。 | 对比文件只有一个n电极，不是至少两个，未公开。 |
| 技术特征P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔（未公开） | 对比文件未记载透射层及孔图案。 | 无透射层，无孔，未公开。 |
| 技术特征Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小（未公开） | 对比文件中发光结构与第二电极（高反射率电极）宽度相同。 | 未公开宽度关系，未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底（直接公开） | 原文：“図１５（ｂ）に示すように、ＬＥＤアレイチップ２０２は、半導体多層膜を支持するベース基板としてＡｌＮ基板２０４を有している。” 翻译：如图15(b)所示，LED阵列芯片202具有作为支持半导体多层膜的基底基板的AlN基板204。（实施方式3） | AlN是绝缘非导电材料，相当于非导电衬底，直接公开。 |
| 技术特征S：透射层包括硅胶（未公开） | 对比文件未记载透射层。 | 无透射层，未公开。 |
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