对比文件：2007-04-26_JP2007511065A_发明专利_JP2007511065A Semiconductor light-emitting device, lighting module, a lighting device, and a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device
目标专利：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构<br>《直接公开》 | “圖1所示，LED芯片2包括半導體多層膜6，該半導體多層膜6具有p-GaN層12、InGaN/GaN多重量子井發光層14、n-GaN層16，形成二極管結構。”（來源：圖1及相關說明段落） | 對比文件明確公開了半導體多層膜6作為發光結構，等同於目標專利的“發光結構”。本領域技術人員可直接確定。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层<br>《直接公开》 | “半導體多層膜6，從金鍍層4側起依次為：導電型層p-GaN層12（厚度200nm）、InGaN/GaN多重量子井發光層14（厚度50nm）、導電型層n-GaN層16（厚度3μm）。”（來源：圖1及相關說明段落） | 對比文件詳細說明了p-GaN層（第二導電型）、發光層（有源層）、n-GaN層（第一導電型）的順序和結構，完全公開了本特徵。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层<br>《未公开》 | 對比文件未提及在發光結構與螢光體層之間存在任何獨立的透射層。螢光體層8直接形成於半導體多層膜6上。 | 對比文件沒有公開或暗示在發光結構上另設一透射層。目標專利的透射層具有特定功能（熱隔離、光透射），對比文件無對應結構。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层<br>《未公开》 | 對比文件中的螢光體層8直接形成於半導體多層膜6上，而非透射層上。 | 由於沒有透射層，螢光材料層不可能設置在透射層上，故本特徵未被公開。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案<br>《未公开》 | 對比文件中的螢光體層8為連續平坦層，覆蓋整個芯片表面，未經構圖形成圖案。 | 對比文件未提及螢光體層具有任何圖案，亦無相關構圖步驟，故未公開。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠<br>《未公开》 | 對比文件無透射層，且螢光體層8完全覆蓋發光結構，無部分暴露。 | 對比文件不存在透射層，且螢光體層為全覆蓋，故無法實現部分暴露透射層和發光結構，也未公開垂直重疊關係。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上<br>《直接公开》 | “為了形成螢光體層，將分散有黃色螢光體粉末和SiO2等金屬氧化物微粒的矽酮樹脂塗布在整個表面，然後熱固化。”（來源：製造方法相關段落） | 塗布整個表面包括半導體多層膜6的橫向側面，從圖1(b)截面也可看出螢光體層8覆蓋了側面。因此對比文件公開了螢光材料層形成在發光結構的橫向側面（整個區域）。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上<br>《未公开》 | 對比文件無透射層，故不存在“透射層的底表面設置在發光結構頂表面”的結構。 | 無透射層，本特徵未公開。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度<br>《未公开》 | 對比文件未公開任何透射層厚度。 | 沒有透射層，故無厚度範圍公開。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度<br>《直接公开》 | 實施例1：“芯片尺寸350μm見方，總厚度100μm（金鍍層4厚50μm、螢光體層8厚50μm）”。實施例2：“螢光體層46厚200μm”。實施例5：“螢光體層506厚200μm”。 | 對比文件公開了螢光體層厚度50μm、200μm，均落在5μm至500μm範圍內，故直接公開。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内<br>《未公开》 | 對比文件未對螢光體層進行構圖工藝，螢光體層為全面覆蓋。 | 無構圖工藝，無保留面積比例問題，故未公開。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案<br>《未公开》 | 對比文件側面螢光體層為連續層，無圖案。 | 本特徵要求側面螢光材料層具有圖案，對比文件未公開。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小<br>《未公开》 | 對比文件未區分側面與上表面螢光體層厚度，且無透射層。 | 無厚度比較關係，且無透射層，故未公開。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极<br>《直接公开》 | “p-GaN層12的外側主面幾乎整個表面形成有Rh/Pt/Au高反射率p側電極18”；“金鍍層4作為支撐和導電層”。（來源：圖1及相關說明） | 對比文件公開了p側電極18和金鍍層4，位於發光結構下方，可視為第二電極，直接公開。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极<br>《未公开》 | 對比文件實施例1中，n-GaN層16上僅形成一個n側電極20（Ti/Pt/Au），無兩個以上第一電極。 | 對比文件未公開在發光結構頂表面設有至少兩個第一電極，故未公開。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠<br>《未公开》 | 對比文件無螢光體層圖案，無透射層，亦無孔結構。 | 無圖案、無透射層、無孔，故未公開。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小<br>《直接公开》 | 從圖1(b)可明顯看出，半導體多層膜6的橫向寬度小於金鍍層4（第二電極）的橫向寬度。 | 本領域技術人員從圖1可直接確定發光結構的寬度小於第二電極的寬度，故直接公開。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底<br>《未公开》 | 對比文件在製造過程中移除了藍寶石襯底（非導電襯底），最終產品不包含非導電襯底。 | 對比文件明確去除了襯底，故無非導電襯底，未公開。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶<br>《未公开》 | 對比文件對透射層無任何記載，螢光體層中的樹脂可為矽酮樹脂，但並非獨立的透射層。 | 無透射層，故無材料限定，未公開。 |
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