对比文件的名称：2008-03-06_JP2008053069A_发明专利_JP2008053069A Light-emitting diode
目标专利的名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：大型语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《直接公开》 | 对比文件说明书[2]段记载“赤色、青色、緑色の発光ダイオード素子”以及“発光ダイオード素子は点光源であることから”等，明确提及发光二极管元件。 | 对比文件直接公开了发光二极管元件，该元件即为发光结构，因此特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《隐含公开》 | 对比文件提及发光二极管元件，但未明确描述其具体层结构。 | 本领域技术人员公知，发光二极管元件必然包含p型半导体层（第二导电半导体层）、n型半导体层（第一导电半导体层）以及介于两者之间的有源层，这是发光二极管的基本结构。因此，尽管对比文件未明确描述，但本领域技术人员可以合理推断出该特征，故特征B被隐含公开。 |
| 技术特征C：发光结构上的透射层《未公开》 | 无直接相关记载。对比文件涉及透明软质封止树脂，但其并非形成在发光结构上，而是形成在导光板凹部内并覆盖发光元件。 | 对比文件未公开任何在发光结构上的透射层，其透明软质树脂是封装材料，位置和作用均与目标专利的透射层不同，因此特征C未被公开。 |
| 技术特征D：透射层上的荧光材料层《未公开》 | 无相关记载。对比文件采用红、绿、蓝不同颜色的发光二极管元件混合产生白光，未使用荧光材料层。 | 对比文件未公开荧光材料层，更未公开透射层上的荧光材料层，因此特征D未被公开。 |
| 技术特征E：荧光材料层包括图案《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及任何荧光材料层，也无图案结构，因此特征E未被公开。 |
| 技术特征F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；并且发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层和透射层，也未公开其与发光结构的位置关系，因此特征F未被公开。 |
| 技术特征G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层，也未提及在发光结构横向侧面形成任何材料层，因此特征G未被公开。 |
| 技术特征H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开透射层，因此无法公开透射层与发光结构的底面顶面关系，特征H未被公开。 |
| 技术特征I：透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何透射层的厚度范围，因此特征I未被公开。 |
| 技术特征J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层及其厚度，因此特征J未被公开。 |
| 技术特征K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及荧光材料层的构图工艺及面积比例，因此特征K未被公开。 |
| 技术特征L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括所述图案《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层及其图案，因此特征L未被公开。 |
| 技术特征M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层厚度关系，因此特征M未被公开。 |
| 技术特征N：进一步包括发光结构下面的第二电极《直接公开》 | 对比文件说明书[2]段记载：“本実施例１では、発光ダイオード素子の下面と上面にそれぞれアノード電極、カソード電極が形成された素子を用いたが”，即“在实施例1中，使用了下面和上面分别形成有阳极电极和阴极电极的元件”。 | 对比文件直接公开了发光二极管元件下面具有电极（阳极或阴极），该电极位于发光结构下方，对应于第二电极，因此特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》 | 对比文件仅提到上面有一个电极，如上述引用中“上面に…カソード電極が形成された”，未提及多个电极。 | 对比文件公开了发光元件上面有一个电极，但未公开至少两个第一电极，因此特征O未被公开。 |
| 技术特征P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层或孔结构，因此特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及发光结构与电极的宽度比较，因此特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底《未公开》 | 对比文件提及サブマウント基板（submount基板），但该基板是用于安装发光元件的独立构件，并非发光结构下的非导电衬底（如蓝宝石衬底）。 | 对比文件未公开发光结构直接设置于非导电衬底上的结构，其submount基板与目标专利的非导电衬底不同，因此特征R未被公开。 |
| 技术特征S：透射层包括硅胶《未公开》 | 对比文件说明书[2]段记载“本実施例１ではシリコーンゲルを用いた”，即使用硅胶作为封止树脂。 | 对比文件公开了硅胶作为封装材料，但未公开透射层，更未公开透射层包括硅胶，因此特征S未被公开。 |
<<<A>>><<<b>>><<<N>>>