对比文件名称：2009-02-26_WO2009005311A_发明申请_WO2009005311A2 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
模型名称：生成式AI（GPT-4）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括发光结构**<br>《直接公开》 | [26] “The LED 10 includes a first conduction type semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conduction type semiconductor layer 13.” 翻译：LED 10包括第一导电型半导体层11、有源层12和第二导电型半导体层13。 | 对比文件明确公开了LED（发光二极管）作为发光结构，其包含半导体层结构，与目标专利的发光结构对应。本领域技术人员可直接确定该特征，因此直接公开。 |
| **技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层**<br>《直接公开》 | [26] “The LED 10 includes a first conduction type semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conduction type semiconductor layer 13.” 翻译：LED 10包括第一导电型半导体层11、有源层12和第二导电型半导体层13。 | 对比文件直接公开了发光结构的具体组成：第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层，且顺序明确，有源层插入在两者之间，与目标专利特征B完全相同。 |
| **技术特征C：所述发光结构上的透射层**<br>未公开 | 对比文件全文未提到任何位于发光结构上且与荧光材料层分离的透射层。 | 对比文件始终将荧光材料层直接形成在LED上，没有公开任何中间透射层。目标专利的透射层具有低热传导性和高光透射性的特定功能，对比文件未涉及。因此未公开。 |
| **技术特征D：所述透射层上的荧光材料层**<br>未公开 | 对比文件未公开透射层，因此无对应引用。 | 由于对比文件未公开透射层，不可能公开荧光材料层位于透射层上。对比文件公开的是荧光材料层直接位于LED上，而非透射层上。因此未公开。 |
| **技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案**<br>《直接公开》 | [30] “the phosphor layer 20 is formed on the LED 10 and has predetermined patterns 21.” 翻译：磷光体层20形成在LED 10上并具有预定的图案21。 | 对比文件明确公开了荧光材料层上具有预定图案，与目标专利特征E完全一致，因此直接公开。 |
| **技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠**<br>未公开 | [31] “the upper surface of the LED 10 is partially exposed to the upper direction by the phosphor layer 20.” 翻译：LED 10的上表面由磷光体层20部分地向上暴露。 | 对比文件仅公开了荧光材料层部分暴露LED的上表面，但未公开透射层，更未公开同时暴露透射层和发光结构两者。缺少透射层导致该特征整体技术方案未被公开。 |
| **技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上**<br>《直接公开》 | [36] “the phosphor layer 20 can be formed on the lateral surface of the LED 10. A phosphor layer 23 formed on the lateral surface can have a predetermined thickness, and performs color conversion on light emitted to the lateral surfaces of the LED 10.” 翻译：磷光体层20可以形成在LED 10的横向侧面上。形成在横向侧面上的磷光体层23可以具有预定厚度，并对发射到LED 10的横向侧面的光执行颜色转换。 | 对比文件直接公开了荧光材料层可以形成在发光结构的横向侧面，包括部分或整个区域，与特征G相同，因此直接公开。 |
| **技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上**<br>未公开 | 对比文件未公开透射层，无对应引用。 | 对比文件未公开任何透射层，因此无法公开透射层底表面与发光结构顶表面的位置关系，未公开。 |
| **技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度**<br>未公开 | 对比文件未公开透射层，无对应引用。 | 对比文件未公开透射层，也未公开任何透射层的厚度范围，未公开。 |
| **技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度**<br>未公开 | [32] “the height of the patterns 21 can be 300 to 3000 nm.” 翻译：图案21的高度可以是300至3000 nm。 | 对比文件仅公开了图案高度在0.3μm至3μm范围，远小于目标专利的5-500μm，且未公开荧光材料层整体厚度范围，因此未公开。 |
| **技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内**<br>未公开 | 对比文件未提及任何面积比例信息。 | 对比文件没有公开保留荧光材料层面积与发光面积的比例关系，也未公开任何相关数值范围，未公开。 |
| **技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案**<br>未公开 | 对比文件未明确公开横向侧面荧光材料层上具有图案。 | 对比文件虽然公开了荧光材料层具有图案（特征E）和荧光材料层可形成在横向侧面（特征G），但未将两者结合，没有明确或暗示横向侧面处的荧光材料层也包含图案。本领域技术人员不能合理推断出该特征，因此未公开。 |
| **技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小**<br>未公开 | 对比文件未公开厚度比例关系。 | 对比文件未提及横向侧面荧光层厚度与顶部荧光层厚度的具体比例关系，未公开。 |
| **技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极**<br>《直接公开》 | [69] “an ohmic contact layer 80 and a support layer 81 are formed on the second conduction type semiconductor layer 63.” 翻译：在第二导电型半导体层63上形成欧姆接触层80和支撑层81。支撑层可作为电极。[58]也公开了电极层。 | 对比文件公开了在发光结构下方形成有第二电极（例如支撑层、反射层或欧姆层），用于电连接和支撑，与目标专利特征N直接对应，直接公开。 |
| **技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极**<br>《直接公开》 | [58] “a first electrode layer 15 and a second electrode layer 14 are formed on a second conduction type semiconductor layer 13 and a first conduction type semiconductor layer 11.” 翻译：在第二导电型半导体层13和第一导电型半导体层11上形成第一电极层15和第二电极层14。 | 对比文件公开了在发光结构顶表面形成至少两个电极（第一电极层和第二电极层），相当于目标专利的第一电极（焊盘电极），直接公开。 |
| **技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠**<br>未公开 | 对比文件未公开透射层，无对应引用。 | 对比文件未公开透射层，也未公开图案中包括暴露透射层的孔以及孔的重叠关系，未公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小**<br>未公开 | 对比文件未公开宽度比较关系。 | 对比文件未提及发光结构横向宽度与第二电极宽度的比较，未公开。 |
| **技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底**<br>《直接公开》 | [57] “a semiconductor layer 10 of a multi-layered structure is formed on a substrate 50.” 该衬底可为蓝宝石等非导电衬底。 | 对比文件公开了在半导体层下方形成有衬底，通常为蓝宝石等非导电衬底，与目标专利特征R直接对应，直接公开。 |
| **技术特征S：其中所述透射层包括硅胶**<br>未公开 | 对比文件未公开透射层，无对应引用。 | 对比文件未公开透射层，也未公开透射层的材料（如硅胶），未公开。 |
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