对比文件名称：2002-04-19_KR1020020029611A_发明公开_KR1020020029611A 발광 반도체 디바이스 상에 형광 층을 형성하는 방법 및 형광 스텐실링 합성물
目标专利名称：CN102130247B 发光器件芯片、发光器件封装
本次调用模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，标注段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《直接公开》 | 对比文件[21]：“LED(2A)包括第一导电类型的半导体层(10)和第二导电类型的半导体层(12)以及有源区(14)”。 | 对比文件明确公开了LED作为发光结构，包含半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《直接公开》 | 对比文件[21]：“LED(2A)包括第一导电类型的半导体层(10)和第二导电类型的半导体层(12)以及有源区(14)”。 | 对比文件公开了第一导电半导体层（10）、第二导电半导体层（12）以及有源层（14）插入其间，特征完全一致，直接公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层《直接公开》 | 对比文件[42]：“光学透明层48形成在LED 2A上”。 | 对比文件公开了在发光结构（LED）上形成光学透明层（透射层），直接公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层《直接公开》 | 对比文件[42]：“在光学透明层48上形成荧光材料层30A”。 | 对比文件公开了在光学透明层（透射层）上形成荧光材料层，直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案《未公开》 | 对比文件未记载荧光层具有图案，所有描述均指向连续均匀层。 | 对比文件中的荧光层通过模板沉积形成与LED形状一致的连续层，没有形成图案，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠《未公开》 | 对比文件未记载部分暴露，荧光层完全覆盖透射层和LED。 | 对比文件中的荧光层覆盖整个LED顶部和侧面，没有部分暴露，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《直接公开》 | 对比文件[28]：“荧光体层30A在顶表面32上以及LED 2A的垂直侧面34,36附近具有基本均匀的厚度”。 | 对比文件公开了荧光层形成在LED的侧面（整个侧面区域），因此直接公开该特征。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《直接公开》 | 对比文件[42]：“光学透明层48形成在LED 2A上”。 | 对比文件公开了光学透明层（透射层）直接形成在LED顶表面，即底表面设置在顶表面上，直接公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度《直接公开》 | 对比文件[42]：“光学透明层48厚度约45μm至80μm”。 | 对比文件公开的厚度范围45-80μm完全落入2-200μm内，因此直接公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《直接公开》 | 对比文件[28]：“荧光体层30A的厚度A和B均为约50μm至250μm”。 | 对比文件公开的荧光层厚度50-250μm完全落入5-500μm内，因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 对比文件未提及构图工艺及面积比例。 | 对比文件未公开任何构图工艺，也没有保留面积比例，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案《未公开》 | 对比文件未公开荧光层包括图案，侧面亦然。 | 由于特征E未公开，且对比文件无图案，故未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《直接公开》 | 对比文件[28]：“荧光体层30A具有基本均匀的厚度”。 | 对比文件公开了荧光层厚度均匀，即侧面厚度等于顶部厚度，满足两倍或更小（等于），直接公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《直接公开》 | 对比文件[21]：“接触电极20电连接到第二导电半导体层12”。 | 对比文件公开了在第二导电半导体层（发光结构下面）设置有接触电极，可作为第二电极，直接公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》 | 对比文件[21]描述LED 2A为倒装芯片，顶表面为透明衬底16，无电极。 | 对比文件未公开在发光结构顶表面形成电极，相反其顶表面是透明衬底，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》 | 对比文件未公开任何孔结构。 | 对比文件未公开荧光层图案包括孔，也未公开孔重叠，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小《未公开》 | 对比文件未比较发光结构宽度与第二电极宽度。 | 对比文件没有公开发光结构和第二电极的尺寸关系，因此未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《未公开》 | 对比文件[21]有透明衬底16，但位于发光结构之上（出光面）。 | 对比文件中的透明衬底设置在发光结构上面，而非下面，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《直接公开》 | 对比文件[32]：“可固化硅酮聚合物组合物”用于形成光学透明层；[42]光学透明层48由该材料形成。 | 对比文件公开了光学透明层（透射层）由可固化硅酮聚合物（硅胶）形成，直接公开。 |
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