对比文件名称：2008-07-30_KR1020080070414A_发明公开_KR1020080070414A 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI助手
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，标明段落标号） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括发光结构**<br>《直接公开》 | 对比文件[16]：“发光器件封装包括支撑层、第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层、透明基板、第二电极和色转换物质”。其中第一半导体层、发光层、第二半导体层构成发光结构。 | 对比文件明确公开了由第一半导体层、发光层、第二半导体层组成的发光结构，因此直接公开。 |
| **技术特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在第一和第二导电半导体层之间的有源层**<br>《直接公开》 | 对比文件[21]：“第二半导体层、发光层、第一半导体层依次形成”，并说明可以是n型或p型半导体层。 | 对比文件公开了第一半导体层、发光层（有源层）、第二半导体层，分别对应第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层，因此直接公开。 |
| **技术特征C：发光结构上的透射层**<br>《直接公开》 | 对比文件[16]：“LED芯片上设置有透明基板”；[46]：“在光提取部上形成透明基板”。 | 对比文件公开了透明基板（具有透光性）位于发光结构上方，相当于透射层，因此直接公开。 |
| **技术特征D：透射层上的荧光材料层**<br>《直接公开》 | 对比文件[16]：“透明基板上设置有色转换物质”；[48]：“在凹槽中形成色转换物质”。 | 对比文件公开了色转换物质（荧光材料）位于透明基板（透射层）上，因此直接公开。 |
| **技术特征E：荧光材料层包括图案**<br>《直接公开》 | 对比文件[36]：“透明基板上形成凹槽，凹槽中形成色转换物质”，凹槽是图案化的（对应光提取部）。 | 对比文件公开了色转换物质形成在凹槽中，呈现图案化分布，因此直接公开。 |
| **技术特征F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；并且，发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠**<br>《未公开》 | 对比文件[36]和[37]：透明基板覆盖发光结构，色转换物质仅位于凹槽中，透明基板其他区域暴露，但发光结构始终被透明基板和填充剂覆盖，未暴露。 | 对比文件仅暴露透射层（透明基板），未暴露发光结构，不满足“部分地暴露透射层和发光结构两者”。垂直重叠虽成立，但暴露条件不满足，故未公开。 |
| **技术特征G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及荧光材料层形成在发光结构侧面。 | 对比文件仅将色转换物质形成在透明基板的凹槽中，未在发光结构侧面形成荧光材料层，故未公开。 |
| **技术特征H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上**<br>《隐含公开》 | 对比文件[37]：“第二半导体层和透明基板之间的空间形成填充剂”，填充剂直接接触第二半导体层（发光结构顶表面），且填充剂可以是硅胶等透光材料。 | 虽然透明基板未直接接触，但填充剂直接接触发光结构顶表面，且具有透光性，本领域技术人员可合理推断填充剂可作为透射层的一部分，从而透射层的底表面（填充剂底表面）设置在发光结构顶表面上，因此隐含公开。 |
| **技术特征I：透射层具有2μm至200μm的厚度**<br>《未公开》 | 对比文件未提及透明基板或填充剂的厚度范围。 | 对比文件没有给出透射层（透明基板或填充剂）的厚度具体数值或范围，故未公开。 |
| **技术特征J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度**<br>《未公开》 | 对比文件未提及色转换物质的厚度。 | 对比文件没有给出荧光材料层的厚度范围，故未公开。 |
| **技术特征K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内**<br>《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层的面积比例。 | 对比文件没有公开荧光材料层覆盖面积与发光面积的比例关系，故未公开。 |
| **技术特征L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括图案**<br>《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层在发光结构侧面的图案。 | 对比文件没有在发光结构侧面形成荧光材料层，故未公开。 |
| **技术特征M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小**<br>《未公开》 | 对比文件未提及侧面荧光材料层厚度。 | 对比文件没有公开侧面荧光材料层，更没有厚度关系，故未公开。 |
| **技术特征N：进一步包括发光结构下面的第二电极**<br>《直接公开》 | 对比文件[24]和[25]：“支撑层、第一电极”，第一电极位于发光结构下面。 | 对比文件公开了第一电极（包括反射电极）位于发光结构下方，相当于第二电极，因此直接公开。 |
| **技术特征O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极**<br>《隐含公开》 | 对比文件[35]：“第二电极可以形成在第二半导体层上，可以是多个形成在侧面，或沿着边缘带状”。 | 对比文件明确第二电极（相当于第一电极）可以形成多个，本领域技术人员可合理设置至少两个电极，因此隐含公开。 |
| **技术特征P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠**<br>《未公开》 | 对比文件[36]：“透明基板上形成凹槽，凹槽中形成色转换物质”，色转换物质为多个分离块，暴露区域为连续网格，并非多个分离的孔；且未提及垂直重叠关系。 | 对比文件的荧光材料层由分离块组成，暴露区域是连续的，不是多个离散的孔；且未描述孔与图案的垂直重叠，故未公开。 |
| **技术特征Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小**<br>《未公开》 | 对比文件图2及相应描述未显示宽度差异，通常宽度相同。 | 对比文件没有明确或暗示发光结构宽度小于第二电极（第一电极），故未公开。 |
| **技术特征R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底**<br>《未公开》 | 对比文件主要描述垂直型发光器件，使用导电支撑层；虽提及水平型，但未明确非导电衬底在发光结构下。 | 对比文件未公开非导电衬底，故未公开。 |
| **技术特征S：透射层包括硅胶**<br>《隐含公开》 | 对比文件[37]：“填充剂可以是玻璃、硅或环氧”，其中硅胶（硅）是填充剂材料之一。 | 对比文件公开了填充剂（位于发光结构上，具有透光性）可以是硅胶，本领域技术人员可合理推断填充剂可作为透射层的一部分，从而透射层包括硅胶，因此隐含公开。 |
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