对比文件名称：2004-05-26_EP0907969B_发明授权_EP0907969B1 LICHTABSTRAHLENDES HALBLEITERBAUELEMENT MIT LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：AI
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件。 | 目标专利的第一支撑构件是用于支撑多个发光器件的基底片（如PVC、PAT、PPT），属于阵列结构的一部分。对比文件为单个发光器件，其支撑结构为引线框或基础壳体，但未公开类似基底片的结构，且未涉及阵列中的支撑功能，因此未公开该特征。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开结合层。 | 目标专利的结合层用于连接第一支撑构件和第二支撑构件，且至少为两个。对比文件仅使用单个焊料或胶粘剂将半导体本体固定在引线框上，无至少两个结合层的公开，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开结合层布置。 | 基于特征A和B均未公开，特征C自然未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板（如Mo、Cu等），用于支撑发光结构并提供电连接。对比文件的半导体本体直接安装在引线框上，无单独的导电支撑基板，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件和结合层。 | 基于特征B和D未公开，特征E未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | [0050]：“半导体本体1具有由多个不同层构成的层序列7，该层序列在器件操作中具有至少一个发射辐射的有源区。” [0051]：图7示出层序列包括n型和p型GaN层等。 | 对比文件明确公开了半导体本体1，其包含层序列7，该层序列构成发光结构，具有有源区，因此直接公开了发光结构。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开发光结构布置在第二支撑构件上。 | 对比文件未公开第二支撑构件，发光结构直接安装在引线框上，而非第二支撑构件上，因此未公开该特征。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层（直接公开） | [0051]：“n-leitende GaN-Schicht 20, n-leitende GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 21, eine weitere n-leitende GaN- oder eine GaxIn1-xN-Schicht 22” | 对比文件明确公开了多个n型半导体层，相当于第一导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | [0051]：“p-leitende GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 23 und einer p-leitenden GaN-Schicht 24” | 对比文件明确公开了p型半导体层，相当于第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | [0050]：“至少一个发射辐射的有源区”；[0051]层序列中n型层和p型层之间的区域构成有源区。 | 对比文件公开了有源区，且从层序列可知该有源区位于n型层和p型层之间，该有源区即为有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | [0050]：“Vorderseitenkontakt 12”（前接触） | 对比文件公开了前接触12，作为第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | [0050]前接触12位于半导体本体1上，结合图1，前接触布置在发光结构上。 | 对比文件的前接触12直接形成在半导体本体（发光结构）上，因此公开了第一电极布置在发光结构上。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开金属层连接相邻器件。 | 对比文件仅涉及单个发光器件，未公开多个器件之间的连接，也未公开第二支撑构件及金属层，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层的尺寸。 | 对比文件未公开结合层，更未公开其边缘与发光结构的尺寸关系，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层的结构。 | 对比文件未公开结合层，也未公开凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开凹凸结构。 | 基于特征A和O未公开，特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层组成。 | 对比文件未公开金属层和第二支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和结合层。 | 对比文件未公开金属层和结合层，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层组成。 | 对比文件未公开金属层，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开欧姆层。 | 由于特征U未公开，该过渡特征未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件未公开欧姆层。 | 对比文件的接触金属化层27、28用于电接触，但未公开其作为欧姆层，且材料不同于目标专利的透明导电氧化物，位置也不在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间，因此未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开该布置。 | 基于特征D和U未公开，特征V未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 由于特征X未公开，该过渡特征未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件未公开任何反射层结构，因此未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开该布置。 | 基于特征D、U和X未公开，特征Y未公开。 |
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