好的，已经收到您的任务。作为一名资深专利代理师，我将严格遵循您的指示，对目标专利的权利要求技术特征与对比文件进行严谨、深入的比对分析，并创建特征比对表格。
### 回答的开始
**对比文件名称：** 2008-10-30_JP2008263015A_发明专利_JP2008263015A Semiconductor light-emitting element (半导体发光元件)
**目标专利名称：** 1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
**本次调用的模型名称：** (默认模型)
### 特征比对表格
| 技术特征 (第一栏) | 对比文件原文引用 (第二栏) | 公开性论述 (第三栏) |
| **技术特征A：第一支撑构件** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件全文未明确提及“第一支撑构件”或类似用于支撑多个经分离的发光器件的基底片、带等结构。 | 目标专利中，第一支撑构件（基底片230）是用于在分离器件单元后，支撑和固定多个独立发光器件的阵列级构件，其作用在于在后续工艺中保持各发光器件的相对位置，便于拾取和封装。对比文件主要描述单个发光元件的制造过程，其最终产品是独立的、已分离的发光元件，并直接将其安装在TO-18 stem等封装体上，并不需要这样一个用于支撑多个未分离器件的阵列级支撑构件。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征B：至少两个结合层** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件段落[0002] 提及：“金属接合层11（11a及11b）”。段落[0002] 提及：“金属接合层11a，11b”。段落[0002] 提及：“金属接合层11a面与金属接合层11b面”。 | 对比文件中的“金属接合层”由生长基板侧的金属接合层11a和支持基板侧的金属接合层11b构成，但这两者是在热压接合过程中相互接触并熔合形成单一接合界面的。目标专利中的“至少两个结合层”是彼此分离的，分别对应于不同的发光器件，用于将每个独立的发光器件固定到第一支撑构件上。对比文件中的接合层仅用于将单个发光元件的半导体层与支持基板接合，并未形成多个、分离的、用于固定多个器件的结合层。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上** <br> **公开性判断：未公开** | 基于技术特征A和B的未公开，无直接对应内容。 | 由于对比文件未公开技术特征A和B，因此该技术特征自然也未被公开。 |
| **技术特征D：第二支撑构件** <br> **公开性判断：《直接公开》** | 对比文件段落[0002] 明确记载：“導電性支持基板（Ｓｉ基板など）１０”。段落[0002] 记载：“導電性支持基板（Ｓｉ基板）１０”。 | 目标专利中的“第二支撑构件”是指导电支撑基板160，用于支撑发光结构并作为导电通道。对比文件中的“导电性支持基板10”（例如Si基板）同样起到支撑化合物半导体层14并提供导电通道的作用。两者在结构位置、功能作用上完全相同，因此对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上** <br> **公开性判断：未公开** | 基于技术特征B和C的未公开，无直接对应内容。 | 由于对比文件未公开技术特征B和C，即未公开多个分离的结合层，因此该技术特征自然也未被公开。对比文件中的单个支持基板10仅与单个金属接合层11连接，不存在多个结合层。 |
| **技术特征F：发光结构** <br> **公开性判断：《直接公开》** | 对比文件段落[0002] 记载：“発光層部を有する化合物半導体層１４”。段落[0003] 记载：“化合物半導体層１４”。 | 目标专利中的“发光结构”包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层。对比文件中的“化合物半导体层14”同样至少包括n型层、p型层以及位于两者之间的活性层，其本质即为发光结构。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上** <br> **公开性判断：《隐含公开》** | 对比文件段落[0002] 记载：“導電性支持基板（Ｓｉ基板など）１０と、前記化合物半導体層と前記導電性支持基板との間に設けられ”。段落[0002] 描述：“化合物半導体層１４を支持する導電性支持基板１０”。 | 目标专利中，发光结构通过第二导电类型半导体层、欧姆层、反射层、粘附层等间接布置在第二支撑构件（导电支撑基板）上。对比文件中，化合物半导体层14通过金属光反射层9、金属接合层11、Ti层18等间接布置在导电性支持基板10上。虽然中间层结构在细节上存在差异，但本领域技术人员可以明确、合理地推断出，对比文件中的发光结构（化合物半导体层14）是布置在第二支撑构件（导电性支持基板10）之上的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层** <br> **公开性判断：《直接公开》** | 对比文件段落[0002] 记载：“ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４”。 | 目标专利中的第一导电类型半导体层可以是n型半导体层。对比文件中的n型AlGaInP包层4即为n型半导体层，是发光结构的一部分。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征I：第二导电类型半导体层** <br> **公开性判断：《直接公开》** | 对比文件段落[0002] 记载：“ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６”。 | 目标专利中的第二导电类型半导体层可以是p型半导体层。对比文件中的p型AlGaInP包层6即为p型半导体层，是发光结构的一部分。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层** <br> **公开性判断：《直接公开》** | 对比文件段落[0002] 记载：“ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６とそれらに挟まれたＡｌＧａＩｎＰ活性層（発光層）５”。 | 目标专利中的有源层位于第一和第二导电类型半导体层之间。对比文件中的AlGaInP活性层5明确位于n型包层4和p型包层6之间。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征K：第一电极** <br> **公开性判断：《直接公开》** | 对比文件段落[0002] 记载：“表面電極１２”。 | 目标专利中的第一电极位于发光结构上，用于提供电力。对比文件中的表面电极12位于化合物半导体层的第一主表面（光取出面），其功能相同。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上** <br> **公开性判断：《直接公开》** | 对比文件段落[0002] 记载：“化合物半導体層１４の光取出し面となる第一主表面側に形成された表面電極１２”。 | 目标专利中第一电极布置在发光结构的第一导电类型半导体层上。对比文件中表面电极12形成在化合物半导体层14的第一主表面侧，即位于发光结构上。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件全文未提及多个发光器件阵列的概念，也未描述相邻发光器件之间通过金属层连接的结构。 | 目标专利中的金属层160a是用于在激光划片后，将分离的导电支撑基板（第二支撑构件）相互连接的残留金属层，是阵列制造过程中的一个中间结构。对比文件描述的是单个发光元件的制造，其最终产品是独立的芯片，不存在与其他芯片连接的结构，也不涉及在阵列中连接相邻第二支撑构件的金属层。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件未提及“结合层”边缘与“发光结构”边缘的相对位置关系。 | 目标专利中，通过限定结合层比发光结构窄，以避免激光划片时产生毛刺。对比文件中的金属接合层11用于接合化合物半导体层和支持基板，其图案和尺寸与发光结构的关系未公开，且作用不同，不是为了在阵列中分离器件。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件未提及“结合层”具有凹凸结构。 | 目标专利中，结合层的凹凸结构用于增加与第一支撑构件的粘附力。对比文件未描述其金属接合层11具有任何凹凸结构。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上** <br> **公开性判断：未公开** | 基于技术特征A和O的未公开，无直接对应内容。 | 由于对比文件未公开目标专利中的“第一支撑构件”和“结合层包括凹凸结构”，因此该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件未公开用于连接相邻第二支撑构件的“金属层”及其组成。 | 目标专利的金属层160a包含由第二支撑构件（导电支撑基板）材料在激光划片时熔融再固化形成的部分。对比文件未涉及此种金属层，因此其组成与第二支撑构件的关系无从谈起。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件未公开用于连接相邻第二支撑构件的“金属层”及其组成。 | 目标专利的金属层160a包含由结合层材料在激光划片时熔融再固化形成的部分。对比文件未涉及此种金属层，因此其组成与结合层的关系无从谈起。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件未公开用于连接相邻第二支撑构件的“金属层”及其组成。 | 目标专利的金属层160a包含由发光结构材料在激光划片时熔融再固化形成的部分。对比文件未涉及此种金属层，因此其组成与发光结构的关系无从谈起。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T：进一步包括** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件未公开“欧姆层”作为独立层布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。 | 对比文件中的“欧姆层”概念不明确。其“界面电极8”是形成在开口中的点状电极，用于欧姆接触，并非整层覆盖的欧姆层。且其位置在p型GaP接触层7和金属光反射层9之间，而非与第二支撑构件直接相邻。因此，对比文件未公开目标专利中定义的“欧姆层”及其位置关系。 |
| **技术特征U：欧姆层** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件公开了“界面电极8”，其作用是：“化合物半導体層１４とオーミック性接触を得る為に設けられた金属電極”（段落[0002]）。但其结构为点状，并非层状。 | 目标专利的“欧姆层”是形成在第二导电类型半导体层上的一个整层，用于改善欧姆接触和电流注入。对比文件中的界面电极8是分散的金属点，用于实现半导体层与反射层的电连接，并非覆盖整个界面的导电层。虽然都具有欧姆接触功能，但结构形态和覆盖范围完全不同，且目标专利说明书[0013]明确将欧姆层与第二支撑构件、第二导电类型半导体层关联，与对比文件分散的“界面电极”布置不同。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间** <br> **公开性判断：未公开** | 基于技术特征U的未公开，无直接对应内容。 | 由于对比文件未公开目标专利定义的“欧姆层”，因此该技术特征未被公开。 |
| **技术特征W：进一步包括** <br> **公开性判断：未公开** | 对比文件公开了“金属光反射層９”（段落[0002]），其作用是反射来自活性层的光。 | 目标专利的“反射层”布置在欧姆层和第二支撑构件之间。对比文件中的“金属光反射层9”位于化合物半导体层14和Ti层18之间，同样用于反射光。虽然反射层本身公开，但其位置关系依赖于“欧姆层”的存在。由于对比文件未公开目标专利中定义的“欧姆层”，因此该技术特征（反射层布置在欧姆层和第二支撑构件之间）未被公开。 |
| **技术特征X：反射层** <br> **公开性判断：《直接公开》** | 对比文件段落[0002] 记载：“金属光反射層９”。其作用为：“前記発光層部からの光を反射する”。 | 目标专利的反射层用于反射有源层发出的光。对比文件的金属光反射层9功能完全相同。因此，对比文件直接公开了“反射层”这一构件本身。 |
| **技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层 and 所述第二支撑构件之间** <br> **公开性判断：未公开** | 基于技术特征U（欧姆层）未公开，无直接对应内容。 | 对比文件中，反射层9位于化合物半导体层14和Ti层18之间，Ti层18与支持基板10相邻。由于目标专利的技术特征限定反射层必须位于“欧姆层”与“第二支撑构件”之间，而对比文件未公开该“欧姆层”，因此该特定的位置关系未被公开。 |
### 结尾的代码
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