### 对比文件名称
2009-06-17_JP4280598B_发明专利_JP4280598B2 Light-emitting semiconductor chip
### 目标专利名称
1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
### 本次调用的模型名称
未指定（基于本对话上下文）
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件《未公开》 | 对比文件未公开第一支撑构件。对比文件记载了“基底ケーシング8”（基底壳）用于封装单个芯片，但并非用于支撑多个发光器件的阵列基板。 | 目标专利的第一支撑构件是基底片（如UV带），用于支撑多个发光器件并允许后续分离。对比文件中的基底壳是单个芯片的永久封装，且不涉及多个芯片的支撑。本领域技术人员不能从对比文件得到第一支撑构件。 |
| 技术特征B：至少两个结合层《未公开》 | 对比文件未公开结合层。对比文件记载了通过导电性结合手段（如金属焊料或粘合剂）将芯片固定在端子上，但并非目标专利中的结合层。 | 目标专利的结合层用于将导电支撑基板固定到第一支撑构件，并具有特定宽度和凹凸结构。对比文件没有类似结构，也未提及结合层。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上《未公开》 | 对比文件未公开。 | 由于特征B未公开，特征C也未被公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《未公开》 | 对比文件未公开第二支撑构件。对比文件记载了“サブストレート18”（衬底）或“背面コンタクト11”，但并非目标专利中的导电支撑基板。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板（如Mo、Si、W等），用于支撑发光结构并提供电连接和散热。对比文件中的衬底是生长衬底，通常被剥离，最终器件中无此结构；背面接触是电极，并非支撑基板。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上《未公开》 | 对比文件未公开。 | 由于特征B和D未公开，特征E未公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビーム（例えば、紫外線、青色又は緑色）を放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。”以及图9中描述的多层结构。 | 对比文件公开了具有有源区的多层结构，即发光结构，用于发射光。这与目标专利的发光结构（包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层）实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《未公开》 | 对比文件未公开发光结构布置在第二支撑构件上。对比文件中，多层结构生长在衬底上或直接安装在端子上。 | 目标专利中发光结构位于第二支撑构件（导电支撑基板）上。对比文件没有第二支撑构件，且发光结构直接与端子连接，因此未公开此布置。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件第[2]段：图9中“ｎ導電形ＧａＮ層２０、ｎ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層２１、更なるｎ導電形ＧａＮ層２２”。 | 对比文件明确公开了n型半导体层，作为第一导电类型半导体层，与目标专利中的n型层（例如GaN）对应，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件第[2]段：图9中“ｐ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層２３及びｐ導電形ＧａＮ層２４”。 | 对比文件明确公开了p型半导体层，作为第二导电类型半导体层，与目标专利中的p型层对应，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビームを放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。” | 对比文件公开了多层结构中的有源区，位于n型和p型层之间，用于发光。本领域技术人员可毫无疑义地确定有源层存在，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | 对比文件第[2]段：图1中“前面コンタクト１２”。 | 对比文件明确公开了前面电极，作为第一电极，用于提供电连接，与目标专利第一电极（如位于发光结构上）作用相同，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | 对比文件第[2]段：图1中前面电极12设置在多层结构上。 | 对比文件公开了前面电极布置在发光结构的上表面，与目标专利一致，直接公开。 |
| 技术特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接《未公开》 | 对比文件未公开任何金属层连接相邻器件。对比文件仅涉及单个芯片。 | 目标专利的此特征涉及多个发光器件之间的连接，对比文件没有描述多个器件，也未公开金属层连接，因此未公开。 |
| 技术特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米《未公开》 | 对比文件未公开结合层及其尺寸。 | 对比文件没有结合层，因此未公开此特征。 |
| 技术特征O：结合层包括凹凸结构《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未提及任何凹凸结构，未公开。 |
| 技术特征P：凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开第一支撑构件及凹凸结构，未公开。 |
| 技术特征Q：金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开金属层及第二支撑构件。 | 对比文件未公开金属层连接，也未公开第二支撑构件，未公开。 |
| 技术特征R：金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开结合层和金属层，未公开。 |
| 技术特征S：金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开金属层，未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括《未公开》 | 无实质内容，不单独判断。 | 该特征仅为过渡词，不构成独立技术特征，不单独判断公开性。 |
| 技术特征U：欧姆层《未公开》 | 对比文件未公开欧姆层。对比文件提及“コンタクト金属化部27、28”作为接触电极，但未提及欧姆层。 | 目标专利的欧姆层是透明导电氧化物（如ITO），用于形成欧姆接触。对比文件没有公开类似结构，未公开。 |
| 技术特征V：欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 对比文件未公开。 | 由于特征U未公开，且对比文件无第二支撑构件，未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括《未公开》 | 无实质内容，不单独判断。 | 同特征T。 |
| 技术特征X：反射层《未公开》 | 对比文件未公开反射层。 | 目标专利的反射层（如Al、Ag）用于反射光，对比文件未提及，未公开。 |
| 技术特征Y：反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 对比文件未公开。 | 由于特征U和X未公开，特征Y未公开。 |
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### 公开性代码输出（仅直接公开的特征）
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