对比文件名称：2006-12-19_US7151283B_发明授权_US07151283B2 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
模型名称：本次调用模型为AI语言模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件《直接公开》 | 对比文件[0091]：“第一和第二电气端子2、3嵌入在一个不透明的、可能预制的基座外壳8中，该基座外壳具有一个凹部9。” | 对比文件公开了基座外壳8，该基座外壳用于支撑半导体体及其他部件，相当于第一支撑构件，因此直接公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层《未公开》 | 对比文件未公开任何结合层结构。 | 对比文件没有公开至少两个结合层，也没有公开任何类似结合层的结构，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上《未公开》 | 对比文件未公开结合层布置在第一支撑构件上。 | 由于没有结合层，该特征未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《直接公开》 | 对比文件[0083]：“在例如由SiC组成的衬底18上施加有层序列。” | 对比文件公开了衬底18，该衬底用于支撑发光层序列，起到支撑作用，相当于第二支撑构件，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上《未公开》 | 对比文件未公开第二支撑构件布置在结合层上。 | 对比文件没有结合层，第二支撑构件（衬底）直接位于发光结构下方，而不是布置在结合层上，因此未公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | 对比文件[0082]：“半导体体1具有背侧接触11、前侧接触12和层序列7，该层序列由多个不同层组成，并具有至少一个有源区。” | 对比文件公开了半导体体1及其层序列7，相当于发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《直接公开》 | 对比文件[0083]：“在衬底18上施加有层序列。” | 对比文件公开了发光结构（层序列）布置在衬底18（第二支撑构件）上，因此直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件[0083]：“n型导电GaN层20、n型导电GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层21、另一个n型导电GaN或GaxIn1-xN层22。” | 对比文件公开了n型导电层，相当于第一导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件[0083]：“p型导电GaxAl1-xN层或GaxIn1-xN层23和p型导电GaN层24。” | 对比文件公开了p型导电层，相当于第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | 对比文件[0082]：“具有至少一个有源区。” | 对比文件公开了有源区，位于n型和p型层之间，相当于有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | 对比文件[0082]：“前侧接触12。” | 对比文件公开了前侧接触12，相当于第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | 对比文件[0083]：“在p型导电GaN层24的主表面25上施加接触金属化层27。” | 对比文件公开了前侧接触（接触金属化层）直接布置在p型导电层（发光结构）上，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接《未公开》 | 对比文件未公开任何相邻发光器件或金属层连接。 | 对比文件仅涉及单个半导体组件，没有公开多个发光器件阵列，也没有公开通过金属层连接相邻器件的第二支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米《未公开》 | 对比文件未公开结合层及其边缘位置关系。 | 对比文件没有公开结合层，更没有公开其边缘与发光结构边缘的尺寸关系，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构《未公开》 | 对比文件未公开结合层凹凸结构。 | 对比文件没有结合层，也未公开凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上《未公开》 | 对比文件未公开第一支撑构件表面凹凸结构。 | 对比文件没有公开第一支撑构件（基座外壳）表面形成凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开金属层及组成比较。 | 对比文件没有公开连接相邻器件的金属层，也未公开组成相同的技术特征，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开相关金属层和结合层。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括《直接公开》 | 对比文件整体公开了进一步包括其他元件，如荧光转换元件等。 | 对比文件公开了半导体组件进一步包括荧光转换层、封装等，因此“进一步包括”这一开放性特征被直接公开。 |
| 技术特征U：欧姆层《直接公开》 | 对比文件[0083]：“接触金属化层27、28由在光半导体技术中常规用于电接触的材料组成。” | 对比文件公开了接触金属化层，该层用于形成欧姆接触，相当于欧姆层，因此直接公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 对比文件未公开欧姆层布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。 | 对比文件中，接触金属化层27直接布置在p型GaN层上，而第二支撑构件（衬底18）在发光结构另一侧，没有布置在两者之间，因此未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括《直接公开》 | 对比文件整体公开进一步包括其他元件。 | 同特征T，直接公开。 |
| 技术特征X：反射层《未公开》 | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件没有公开单独的反射层，虽然有反射器17，但它是凹部形状，不是层，因此未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 对比文件未公开反射层及其位置。 | 由于没有反射层和第二支撑构件，该特征未公开。 |
<<<A>>><<<D>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<T>>><<<U>>><<<W>>>