对比文件名称：2009-09-30_JP4334497B_发明专利_JP4334497B2 Semiconductor light-emitting element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未记载与目标专利“第一支撑构件”（基底片）对应的结构。对比文件虽提及基底ケーシング8，但该基底壳体是单个器件的封装基底，用于支撑半导体基体，而非用于支撑多个发光器件的阵列片，作用不同。 | 对比文件未公开第一支撑构件，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件记载“导电性结合手段，例如金属性ろう又は接着剤”（导电性结合手段，如金属焊料或粘合剂）用于连接半导体基体与第一连接端子，但仅为一个结合点，且未描述为结合层。 | 对比文件未公开至少两个结合层，更未公开其布置方式。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 同上，无对应内容。 | 对比文件未公开结合层与第一支撑构件的关系。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件未记载导电支撑基板（第二支撑构件）。其半导体基体直接连接端子，无额外的支撑基板。 | 对比文件未公开第二支撑构件。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 同上，无对应内容。 | 对比文件未公开第二支撑构件与结合层的布置关系。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件[2]记载：“图1所示的半导体发光元件具有半导体基体1和由多个不同层构成的多层结构7，该多层结构7具有至少一个有源区。” 图9进一步显示多层结构包括n型层、p型层及有源层。 | 对比文件的多层结构7相当于目标专利的发光结构，包含有源区及导电类型层，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件，发光结构直接或通过结合手段连接至端子，并非布置在支撑构件上。 | 对比文件未公开该位置关系。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件[2]图9公开了n导電形GaN層20、22等n型半导体层。 | 对比文件直接公开了n型层作为第一导电类型半导体层。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件[2]图9公开了p導電形GaN層23、24等p型半导体层。 | 对比文件直接公开了p型层作为第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件[2]记载：“多层结构7具有至少一个有源区（active zone）”，该有源区位于n型层与p型层之间。 | 对比文件直接公开了位于第一、第二导电类型层之间的有源层。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件[2]记载：“图1所示半导体发光元件具有前面電極コンタクト12和背面電極コンタクト11”。 | 对比文件公开了与发光结构电连接的电极，相当于第一电极，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 同上，电极形成在半导体基体表面（前面電極コンタクト12形成在p型GaN层上，背面電極コンタクト11形成在衬底上）。 | 对比文件直接公开了电极布置在发光结构上。 |
| 技术特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件仅涉及单个发光元件，未描述多个器件，更无金属层连接相邻器件的支撑构件。 | 对比文件未公开该连接结构。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件无结合层，亦无相关尺寸记载。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件无结合层，亦无凹凸结构记载。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件无第一支撑构件及凹凸结构。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件无金属层及第二支撑构件。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件无金属层及结合层。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件无金属层，发光结构组成未涉及金属层。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件描述“半導体発光素子は、...を備えた”（包括...），但未使用“进一步包括”的表述，且未暗示开放性的“进一步”含义。 | 对比文件未公开“进一步包括”这一过渡词特征。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件记载“コンタクト金属化部”（接触金属化），但未明确欧姆层，且未公开欧姆层材料。 | 对比文件未公开欧姆层，本领域技术人员不能直接或隐含得出该层。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无第二支撑构件，欧姆层位置关系无法对应。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 同特征T。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件记载有反射器17（设置于基底ケーシング8的切欠部9），但反射器为壳体壁的一部分，并非形成在欧姆层与第二支撑构件之间的反射层。 | 对比文件未公开反射层。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 同特征X，无对应位置关系。 | 对比文件未公开。 |
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