对比文件的名称：2009-01-08_KR1020090001107A_发明公开_KR1020090001107A ＬＥＤ 패키지
目标专利的名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件——未公开 | 无相关内容 | 对比文件涉及LED封装，未公开用于支撑结合层的第一支撑构件（如基底片）。 |
| 技术特征B：至少两个结合层——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开任何结合层。 |
| 技术特征C：至少两个结合层被布置在第一支撑构件上——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开结合层及第一支撑构件。 |
| 技术特征D：第二支撑构件——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开导电支撑基板等第二支撑构件。 |
| 技术特征E：第二支撑构件被布置在结合层上——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开第二支撑构件及结合层。 |
| 技术特征F：发光结构——直接公开 | [15]“LED芯片(160)” | 对比文件明确公开了LED芯片，LED芯片即为发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征G：发光结构被布置在第二支撑构件上——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开第二支撑构件，发光结构（LED芯片）直接安装在引线端子上，而非第二支撑构件。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层——隐含公开 | [15]“LED芯片(160)” | 本领域技术人员公知，LED芯片通常包括第一导电类型半导体层（如n型层），因此可以合理推断LED芯片包含该层，故隐含公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层——隐含公开 | [15]“LED芯片(160)” | 同理，本领域技术人员公知LED芯片包括第二导电类型半导体层（如p型层），故隐含公开。 |
| 技术特征J：有源层——隐含公开 | [15]“LED芯片(160)” | 本领域技术人员公知LED芯片包括位于第一、第二导电类型半导体层之间的有源层，故隐含公开。 |
| 技术特征K：第一电极——隐含公开 | [22]“LED芯片(160)……通过本딩와이어(170)连接” | 对比文件公开了LED芯片通过导线连接，本领域技术人员可以合理推断LED芯片具有用于连接的第一电极，故隐含公开。 |
| 技术特征L：第一电极被布置在发光结构上——隐含公开 | [22]“LED芯片(160)……通过本딩와이어(170)连接” | 本领域技术人员公知，LED芯片的电极通常设置在其上表面，因此可以合理推断第一电极布置在发光结构上，故隐含公开。 |
| 技术特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接——未公开 | 无相关内容 | 对比文件涉及单个LED封装，未公开多个发光器件阵列及金属层连接。 |
| 技术特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开结合层。 |
| 技术特征O：结合层包括凹凸结构——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开结合层。 |
| 技术特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开第一支撑构件及凹凸结构。 |
| 技术特征Q：金属层的组成的至少预定部分与第二支撑构件的组成相同——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开金属层及第二支撑构件。 |
| 技术特征R：金属层的组成的至少预定部分与结合层的组成相同——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开结合层及金属层。 |
| 技术特征S：金属层的组成的至少预定部分与发光结构的组成相同——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开金属层。 |
| 技术特征T：进一步包括（欧姆层）——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开欧姆层。 |
| 技术特征U：欧姆层——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开欧姆层。 |
| 技术特征V：欧姆层被布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开欧姆层及第二支撑构件。 |
| 技术特征W：进一步包括（反射层）——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开反射层。 |
| 技术特征X：反射层——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开芯片内部的反射层，其金属部（140a）为封装内壁反射层，作用不同。 |
| 技术特征Y：反射层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间——未公开 | 无相关内容 | 对比文件未公开欧姆层及第二支撑构件，也未公开位于其间的反射层。 |
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