对比文件名称：2012-11-29_US2012302188A_发明申请_US20120302188A1 TUNABLE MULTI-BAND RECEIVER
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：GPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A**: 包括：基板<br>《直接公开》 | 第[0063]段：“Substrate 920 may be glass, silicon, or some other material.” （基板920可以是玻璃、硅或其他一些材料。） | 对比文件明确公开了MEMS变容二极管包含基板（Substrate 920）。该基板在对比文件中用于支撑MEMS膜和电极等结构，起到物理支撑和电气隔离的作用。这与目标专利中基板用于支撑通孔、电容器等器件的基础作用相同。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **B**: 至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔<br>《未公开》 | 对比文件未提及相关内容。 | 对比文件虽然描述了MEMS变容二极管的结构（如膜910、电极930、绝缘层940），但并未描述任何“至少部分地穿过基板延伸”的“通孔”结构，更未提及该通孔是“多通孔电感器的一部分”。对比文件中的电感器（如电感器510、610等）是独立的集总元件，并未描述其由穿过基板的通孔构成。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **C**: 所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>《未公开》 | 对比文件未提及相关内容。 | 对比文件未描述任何由通孔构成的多通孔电感器，也未描述连接通孔并在基板上的导电结构。对比文件中的导电结构（如膜910、电极930、金属连线）服务于MEMS变容二极管或分立电感/电容元件，而非构成多通孔电感器。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **D**: 耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间<br>《未公开》 | 对比文件描述了包含可变电容器（如变容二极管）的电路，例如图6A-6D中的可变电容器612、614、622、632等。但未描述其与“通孔”的特定位置关系。 | 对比文件公开了电容器（特别是可变电容器）作为电路元件存在。然而，目标专利的核心在于电容器与特定“通孔”的集成结构，即“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”。对比文件中的电容器（无论是MEMS变容二极管还是其他形式的可变电容）是独立或集成的元件，并未被描述为与一个“至少部分穿过基板延伸的通孔”直接相邻且以电介质相隔的结构。二者在结构和作用上不同。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **E**: 并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外<br>《未公开》 | 对比文件未明确描述电容器极板相对于基板的位置关系。对于MEMS变容二极管900，膜（可视为一个极板）通过锚922a附着在基板920上，电极930形成在基板上方，绝缘层940位于其间。该结构整体位于基板之上或集成于基板表面区域，但未明确表述极板“在基板以外”。 | 目标专利强调“极板在基板以外”，结合说明书（如[0031]段），意指极板不嵌入基板内，而是在基板之上的器件层中。对比文件MEMS变容二极管的结构中，膜和电极可被视为电容器的两个极板，但它们与基板的关系是集成或制作在基板表面/上方，并非明确位于一个独立的“基板”实体之外。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出与目标专利完全相同的“极板在基板以外”的位置关系定义。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F**: 其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构<br>《未公开》 | 对比文件未提及相关内容。 | 该特征是基于特征C的进一步限定。由于对比文件未公开特征C（多通孔电感器及连接通孔的导电结构），因此该进一步的连接关系也无从谈起。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **G**: 其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>《未公开》 | 对比文件未提及相关内容。 | 该特征是基于特征B、C的进一步限定。对比文件未描述由通孔构成电感器，更未描述包括至少两个通孔（第二通孔）的结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **H**: 第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构<br>《未公开》 | 对比文件未提及相关内容。 | 该特征是对多通孔电感器组成的进一步详细限定。对比文件未描述任何类似结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **I**: 其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器<br>《未公开》 | 对比文件未提及“层间电介质(ILD)层”。对比文件公开了包含电感器和电容器（如可调陷波滤波器）的谐振电路。 | 对比文件未公开“极板在ILD层中”这一具体的封装或层叠结构特征。虽然对比文件电路可能包含谐振功能（如滤波器），但其具体实现（分立或集成MEMS）与目标专利的特定三维集成结构不同。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **J**: 其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔<br>《未公开》 | 第[0063]段提到基板可以是“glass”（玻璃）。但未提及“透玻通孔”。 | 对比文件公开了基板可包括玻璃，但并未将玻璃基板与“通孔”（尤其是“透玻通孔”）关联起来描述。目标专利中“透玻通孔”是穿过玻璃基板的关键结构，对比文件未公开此组合特征。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **K**: 其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>《隐含公开》 | 第[0063]段：“Substrate 920 may be glass, silicon, or some other material.” | 对比文件明确公开了基板材料可以是“玻璃”或“硅”。“硅”基板可涵盖目标专利中列举的多种基于硅的材料（如SOI、HRS等）。虽然对比文件未逐一列出目标专利的所有具体材料，但“玻璃”和“硅”的公开已部分覆盖了该特征。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员知晓基板材料有多种选择，包括目标专利列举的那些，以实现电气性能。因此，可以认为对比文件隐含公开了该特征。 |
| **L**: 所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>《未公开》 | 对比文件未提及“金属填充型通孔”。 | 对比文件未描述任何“通孔”，因此其填充材料自然也未被公开。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **M**: 所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者<br>《未公开》 | 对比文件第[0063]段描述了MEMS变容二极管中的“insulation layer 940”，其由“dielectric or some other non-conductive material”形成。但未具体公开其材料成分。 | 对比文件提到了绝缘/电介质层，但未具体公开其材料为目标专利所列的任一特定材料。本领域技术人员无法从“电介质或其他非导电材料”这一宽泛描述中毫无疑义地得出或合理推断出具体的材料列表。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **N**: 其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核<br>《未公开》 | 对比文件未提及“通孔”，更未提及通孔内具有聚合物核的金属结构。 | 该技术特征未被对比文件公开。 |
| **O**: 其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上<br>《未公开》 | 对比文件未提及“通孔”，因此不存在所述垂直位置关系。 | 该技术特征描述了电容器与通孔之间特定的三维垂直堆叠关系，是对专利核心结构的进一步限定。对比文件未公开任何类似结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **P**: 其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交<br>《未公开》 | 对比文件未提及所述“通孔”、“第一导电结构”及它们之间如此精确的几何位置关系。 | 该技术特征描述了器件非常具体的三维空间布局。对比文件完全未涉及此类布局描述。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **Q**: 其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交<br>《未公开》 | 对比文件未提及“通孔”及所述几何关系。 | 该技术特征未被对比文件公开。 |
| **R**: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面<br>《未公开》 | 对比文件未提及“通孔”，故无此比较。 | 该技术特征未被对比文件公开。 |
| **S**: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同<br>《未公开》 | 对比文件未提及“通孔”，故无此比较。 | 该技术特征未被对比文件公开。 |
| **T**: 其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面<br>《未公开》 | 对比文件未提及“通孔”，故无此比较。 | 该技术特征未被对比文件公开。 |
| **U**: 其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间<br>《未公开》 | 对比文件未提及所述“通孔”及多层电介质结构。 | 该技术特征未被对比文件公开。 |
| **V**: 其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何在基板内结合的通孔结构。 | 该技术特征描述了复杂的多通孔互连结构，是对多通孔电感器的进一步限定。对比文件未公开任何类似结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **W**: 其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上<br>《未公开》 | 对比文件未提及“通孔”及所述垂直堆叠关系。 | 该技术特征与特征O类似，强调了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于其上的关系。对比文件未公开任何类似结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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