对比文件名称：WO2012144482A1_Description_20260318_1957
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：本次评估未调用特定模型，由专利代理师进行专业分析。
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | 第[0030]段：“素体40は、第1の主面41、第1の主面41に対向する第2の主面42、ならびに第1および第2の主面41，42を連接する4つの側面43からなる直方体の形状を有する。” （素体40具有由第一主面41、与第一主面41相对的第二主面42、以及连接第一和第二主面41，42的四个侧面43组成的长方体形状。）<br>第[0063]段：“プリント配線板73は、内部にグランド層74を有する。”（印刷布线板73内部具有接地层74。） | 对比文件明确公开了“素体40”和“プリント配線板73”，这两者均属于基板结构。素体40是天线装置的载体，具有主面和侧面；印刷布线板73是安装基板。它们均起到了支撑和承载电路元件（如线圈导体）的作用，这与目标专利中基板102作为器件基础结构的作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>**《隐含公开》** | 第[0031]段：“第1のコイルアンテナ10のコイル導体16は、第1の基材層50の表面に形成された複数の導体線12と、第3の基材層52の表面に形成された複数の導体線15と、第1の基材層50を貫通する複数の導体線13と、第2の基材層51を貫通する複数の導体線14とを含む。”（第一线圈天线10的线圈导体16包括：形成于第一基材层50表面的多个导体线12、形成于第三基材层52表面的多个导体线15、贯通第一基材层50的多个导体线13、以及贯通第二基材层51的多个导体线14。）<br>第[0069]段：“給電端子11は、素体40の内部に形成されたビアホールを介して第1のコイルアンテナ10Aのコイル導体16の端部と接続される。”（馈电端子11经由在素体40内部形成的通孔连接至第一线圈天线10A的线圈导体16的端部。） | 对比文件多次描述了贯穿基材层（如第[0031]段的导体线13、14）或在素体内部形成的“ビアホール”（通孔），这些通孔用于连接不同层间的导体，构成了线圈天线（即电感结构）的一部分。虽然对比文件未明确使用“多通孔电感器”这一术语，但其描述的线圈天线本质上是由多层导体和连接它们的通孔构成的立体电感结构，本领域技术人员能够毫无疑义地理解该结构包含至少部分穿过基板延伸并形成电感器一部分的通孔。因此，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>**《隐含公开》** | 第[0031]段（同上）描述了导体线12、15形成于基材层表面，并通过通孔13、14连接。这构成了连接通孔并位于基板（基材层）上的导电结构。 | 对比文件公开了在基材层表面形成的导体线（如12、15），它们通过通孔（如13、14）相互连接，从而构成了耦合至通孔并位于基板上的导电结构。该结构用于形成线圈天线的匝间连接，是电感器必不可少的部分。虽然目标专利的“多通孔电感器”与对比文件的“线圈天线”在具体应用和名称上略有差异，但结构本质相同。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>**《未公开》** | 对比文件中未发现描述电容器直接耦合至通孔，并且电容器的电介质位于通孔与电容器极板之间的结构。对比文件提及的“容量”（电容）多为等效电路中的寄生电容或外接的谐振电容（如第[0099]段“容量C1”），并非与通孔集成一体的薄膜电容器结构。 | 技术特征D是目标专利的核心发明点，即电容器直接在通孔上形成，电介质位于通孔与电容器极板之间，以减少寄生电阻。对比文件涉及的是天线装置，其核心是线圈（电感）及其布局以改善辐射方向，并未公开将电容器以所述特定结构集成在通孔上。对比文件中的电容是分立或寄生的，并非权利要求限定的“耦合至通孔”且具有所述电介质位置的集成电容器结构。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>**《未公开》** | 由于技术特征D未被公开，因此其极板位置自然也未公开。对比文件中未描述具有明确“极板”结构并位于基板以外的集成电容器。 | 目标专利中“极板在基板以外”是集成电容器结构的必然特征。对比文件未公开所述结构的电容器，因此该位置特征也无从谈起。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开权利要求所述结构的电容器，因此也不存在电容器通过通孔耦合至第一导电结构的技术方案。 | 该特征依赖于特征D所述电容器的存在。由于特征D未被公开，该连接关系也不成立。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>**《隐含公开》** | 第[0031]段（同上）中描述了多个通孔（导体线13、14）。这些通孔共同构成了线圈天线的电感路径。可以认为其中至少有一个是“第二通孔”，其同样至少部分延伸穿过基板并形成电感器的一部分。 | 对比文件公开的线圈天线结构包含多个贯通基材层的导体（通孔），这些通孔是形成多层线圈所必需的。本领域技术人员可以理解，为了构成完整的电感回路，必然需要多个通孔，其中一个可被视为“第二通孔”。因此，技术特征G被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>**《隐含公开》** | 第[0031]段（同上）描述了导体线12（可视为第一导电结构的一部分）通过通孔13与另一层的导体连接，整体构成线圈。在不同的实施例中（例如图14、15），存在更复杂的多层导体和通孔互连结构。 | 对比文件公开的线圈天线由多层表面导体（导电结构）和连接它们的通孔构成。例如，第[0031]段描述的导体线12通过通孔13与导体线14（或后续层）连接，这实质上公开了第一导电结构通过（第二）通孔耦合至另一导电结构（可广义理解为第二导电结构），共同形成电感器。因此，技术特征H被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开“层间电介质(ILD)层”这一特定术语以及位于其中的电容器极板。对比文件中的“共振回路”（谐振电路）由线圈天线和电容构成（如第[0099]段），但其电容并非权利要求所述的与通孔集成的电容器。 | 目标专利强调电容器极板位于ILD层中，并与多通孔电感器形成谐振电路以降低损耗。对比文件未公开此特定集成的薄膜电容器结构，其谐振电路中的电容是外接或寄生的，结构不同。因此，技术特征I未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>**《未公开》** | 第[0030]段提到基板材料可以是“ガラスセラミック等の誘電体”（玻璃陶瓷等电介质），但未明确为“玻璃型基板”。全文未提及“透玻通孔”(TGV)。 | 目标专利特别强调了使用玻璃型基板和透玻通孔（TGV）技术以实现小尺寸高性能。对比文件虽然提及了玻璃陶瓷作为可能的基板材料，但并未将其与“玻璃型基板”以及“透玻通孔”这一特定技术特征关联起来。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>**《隐含公开》** | 第[0030]段：“各基材層は、たとえば熱可塑性樹脂やガラスセラミック等の誘電体、または、フェライト粉末入り樹脂のような磁性体によって形成される。”（各基材层由例如热塑性树脂或玻璃陶瓷等电介质、或含铁氧体粉末的树脂等磁性体形成。） | 对比文件公开了基板（基材层）可以由包括“玻璃陶瓷”（属于玻璃基板范畴）和“热塑性树脂”（属于塑料基板范畴）在内的多种电介质材料制成。虽然未列举目标专利权利要求中的所有具体材料，但本领域技术人员知晓，用于制造电子器件基板的常见材料（如石英、SOI、GaAs等）均属于电介质或半导体材料范畴，在对比文件公开的“电介质”基板概念下，可以合理推断使用这些材料。因此，技术特征K被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>**《隐含公开》** | 第[0031]段：“第1および第2のコイルアンテナ10，20は、銀および銅などの導体線によって形成される。”（第一和第二线圈天线10，20由银和铜等导体线形成。） | 对比文件明确指出线圈导体由银、铜等金属形成。对于用于电连接的“ビアホール”（通孔），本领域技术人员根据常规技术知识可以毫无疑义地推断，其通常由导电材料（如金属）填充以实现电连接，并且常用的金属就包括银、铜等。因此，技术特征L被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述所述集成电容器的电介质材料。 | 该特征依赖于特征D所述电容器的存在。由于特征D未被公开，电容器的具体电介质材料自然也未被公开。因此，技术特征M未被对比文件公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>**《未公开》** | 对比文件中未描述通孔内具有聚合物核的金属结构。 | 目标专利图3及相应描述公开了通孔可具有聚合物核的金属结构，以降低成本并与TGV制造技术兼容。对比文件未涉及该特定结构。因此，技术特征N未被对比文件公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开所述结构的电容器，因此不存在电容器极板和电介质垂直位于通孔表面上的技术方案。 | 该特征描述了电容器在通孔上的垂直堆叠关系，是目标专利实现低电阻的关键结构。对比文件未公开此结构。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开所述结构的电容器，因此不存在所述的空间位置关系。 | 该特征限定了电容器、通孔和第一导电结构三者在空间上的特定对齐关系。由于核心的电容器结构未被公开，该相对位置关系也无从谈起。因此，技术特征P未被对比文件公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开所述结构的电容器，因此不存在通孔轴与电容器极板区域相交的关系。 | 同特征O、P，该特征依赖于集成电容器结构的存在。因此，技术特征Q未被对比文件公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开所述结构的电容器，因此不存在通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较关系。 | 该特征涉及通孔与电容器极板的相对尺寸。由于电容器结构未被公开，此特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>**《未公开》** | 同上。 | 同上。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>**《未公开》** | 同上。 | 同上。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开所述结构的电容器，更未公开具有多层电介质的电容器。 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于基础电容器结构未被公开，此特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述通孔在基板内结合（例如形成盲孔并连接）的结构。对比文件的通孔通常是贯穿某一层或几层基材层。 | 目标专利图6及相应描述公开了通孔在基板内结合以降低电阻的特定结构。对比文件未涉及该结构。因此，技术特征V未被对比文件公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开所述结构的电容器，因此不存在电容器垂直位于通孔上的技术方案。 | 该特征再次强调了电容器在通孔上的集成。同特征D、O，此特征未被公开。 |
### 总结
对比文件WO2012144482A1公开了一种包含多层线圈（电感）和通孔结构的天线装置。其直接或隐含公开了目标专利权利要求中的部分特征，如基板（A）、通孔（B）、导电结构（C，H）、第二通孔（G）以及基板材料和通孔金属的常规选择（K，L）。
然而，**对比文件完全未公开目标专利最核心、最具区别性的技术特征**：**耦合至通孔、且电介质位于通孔与电容器极板之间的集成电容器结构（D）**，以及直接依赖于该结构的一系列特征（E，F，I，M，N，O，P，Q，R，S，T，U，W）。此外，对比文件也未公开涉及透玻通孔（J）以及通孔在基板内结合（V）等特定结构。
目标专利的核心创新在于将电容器直接制作在通孔之上，从而省去连接用的金属迹线，降低电阻和功耗。对比文件的天线装置虽然也使用通孔和导电层形成电感，但其目的、结构和要实现的技术效果（改善天线辐射方向性）与目标专利（集成电容器以降低电路损耗）有本质区别。因此，对比文件未公开目标专利权利要求的整体技术方案，特别是其发明点。
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