对比文件名称：2004-01-02_EP1374421A_发明公开_EP1374421A1 INTERFERENCE REDUCTION FOR DIRECT CONVERSION RECEIVERS
目标专利名称：437混频器架构CN102204085B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：所述设备包含：单端部分，《直接公开》** | [p0029] “LNA 202 provides an amplified RF communication signal, RF+ and RF- , to mixer 204 over connections 206 and 208, respectively.” <br> [p0032] “RF input circuit 312 receives the input RF signal (RF+ and RF-) over connections 206 and 208, respectively.” <br> [p0032] “Gilbert cell 310 is coupled to RF input circuit 312, via connections 314 and 316.” | 对比文件公开的混频器（204）包含吉尔伯特单元（310）和RF输入电路（312）。RF输入电路（312）接收差动输入信号RF+和RF-。根据目标专利说明书背景技术部分（图2A及相关描述），接收差动输入信号的混频器部分即为“单端部分”的一种表现形式。本领域技术人员知晓，在混频器架构中，处理差动输入信号的电路部分即为该混频器的信号处理主体，可对应于“单端部分”。因此，对比文件直接公开了混频器包含信号处理部分（单端部分）。 |
| **B：其包含第一晶体管对，‘所述第一晶体管对的第一输入耦合到所述单端第一信号，《隐含公开》** | [p0032] “The Gilbert cell 310 employs four transistors Ql, Q2, Q3 and Q4. Gilbert cell 310 is coupled to RF input circuit 312, via connections 314 and 316.” <br> [p0032] “RF input circuit 312 receives the input RF signal (RF+ and RF-) over connections 206 and 208, respectively.” | 对比文件公开了吉尔伯特单元（310）包含四个晶体管Q1-Q4，它们通过连接314和316耦合到RF输入电路（312）。RF输入电路（312）接收单端第一信号（即差动RF信号RF+和RF-）。虽然对比文件未明确将四个晶体管划分为两对，但本领域技术人员公知，吉尔伯特混频器通常由两对交叉耦合的晶体管对构成，用于实现混频功能。因此，可以合理推断混频器包含由至少两个晶体管（如Q1和Q2，或Q3和Q4）构成的“第一晶体管对”，且该对晶体管的第一输入（例如源极）通过RF输入电路（312）间接耦合到单端第一信号（RF+和RF-）。该特征被隐含公开。 |
| **C：’所述第一晶体管对的栅极输入耦合到所述差动第二信号，《直接公开》** | [p0032] “Gilbert cell 310 is coupled to the LO 212 (FIG. 2) via connections 214 and 216.” | 对比文件明确记载吉尔伯特单元（310）通过连接214和216耦合到本机振荡器（LO）212。LO 212提供差动LO信号（LO+和LO-），即差动第二信号。因此，吉尔伯特单元中晶体管的栅极输入必然耦合到该差动第二信号。这直接公开了第一晶体管对的栅极输入耦合到差动第二信号。 |
| **D：‘所述第一晶体管对耦合到所述差动输出信号，’《直接公开》** | [p0032] “The output of mixer 204 (OUT+ and OUT-) is provided from the Gilbert cell 310 via connections 218 and 220, respectively.” | 对比文件明确记载混频器（204）的差动输出信号OUT+和OUT-由吉尔伯特单元（310）通过连接218和220提供。因此，构成吉尔伯特单元的晶体管对（即第一晶体管对）必然耦合到该差动输出信号。该特征被直接公开。 |
| **E：其中所述第一晶体管对经配置以不具有偏置电流《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件全文未提及晶体管对“经配置以不具有偏置电流”。相反，对比文件描述的是一个工作的混频器电路，其晶体管需要适当的偏置才能正常工作（例如[p0045]提及bias current）。目标专利中该特征可能指一种特定的偏置配置，但对比文件中没有公开或暗示晶体管对被配置为不具有偏置电流。 |
| **F：虚设部分，其包含匹配于所述第一晶体管对的第二晶体管对，《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件公开的混频器（204，310）是标准的吉尔伯特单元结构，包含四个晶体管（Q1-Q4）用于处理差动RF和LO信号。说明书中没有任何关于增加一个与主信号路径晶体管对“匹配”的、用于噪声抑制或对称性改善的“虚设部分”或“第二晶体管对”的记载或暗示。该特征是本发明的核心改进点之一，旨在通过虚设部分改善单端输入混频器的噪声性能，对比文件未公开此概念。 |
| **G：所述第二晶体管对的第一输入耦合到虚设负载端子，《未公开》** | 无相应记载。 | 由于对比文件未公开“虚设部分”和“第二晶体管对”，自然也未曾公开所述第二晶体管对的第一输入耦合到“虚设负载端子”。 |
| **H：所述第二晶体管对的栅极耦合到所述差动第二信号，《未公开》** | 无相应记载。 | 由于对比文件未公开“虚设部分”和“第二晶体管对”，自然也未曾公开所述第二晶体管对的栅极耦合到差动第二信号。 |
| **I：所述第二晶体管对耦合到所述差动输出信号。《未公开》** | 无相应记载。 | 由于对比文件未公开“虚设部分”和“第二晶体管对”，自然也未曾公开所述第二晶体管对耦合到差动输出信号。 |
| **J：所述虚设负载端子耦合到高频接地电压。《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件未公开“虚设负载端子”，因此也未曾公开该端子耦合到高频接地电压。 |
| **K：所述设备进一步包含耦合到所述虚设负载端子的虚设负载。《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件未公开“虚设负载端子”，因此也未曾公开耦合到该端子的“虚设负载”。对比文件中的补偿器（210）用于产生补偿信号抵消DC偏移，其功能和工作原理与用于提供阻抗匹配以改善噪声对称性的“虚设负载”完全不同。 |
| **L：所述第一晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述单端第一信号，且所述第二晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述虚设负载端子。《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件图3及说明书中未显示或描述在晶体管源极（第一输入）与RF输入电路之间设置退化电阻器。同时，由于“第二晶体管对”和“虚设负载端子”均未被公开，该特征的后者部分也未被公开。 |
| **M：所述第一晶体管对的所述第一输入经由耦合电容器耦合到所述单端第一信号，所述虚设负载进一步包含电容器。《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件图3及说明书中未明确显示或描述在RF信号路径中使用耦合电容器。更重要的是，由于“虚设负载”未被公开，其特征“进一步包含电容器”也未被公开。 |
| **N：其进一步包含：放大器，其经配置以放大输入信号以产生所述单端第一信号。《直接公开》** | [p0029] “LNA 202 provides an amplified RF communication signal, RF+ and RF- , to mixer 204 over connections 206 and 208, respectively.” | 对比文件明确公开了低噪声放大器（LNA 202），其经配置以放大来自天线的输入信号，并产生放大后的RF通信信号（RF+和RF-），该信号即为提供给混频器的单端第一信号（差动形式）。该特征被直接公开。 |
| **O：所述虚设负载进一步包含电容器，所述电容器耦合到电源电压的电阻器。《未公开》** | 无相应记载。 | 由于对比文件未公开“虚设负载”，因此其特征“进一步包含电容器，所述电容器耦合到电源电压的电阻器”也未被公开。 |
| **P：所述放大器包含并联电感器-电容器负载，所述虚设负载进一步包含并联电感器-电容器负载。《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件未详细描述LNA 202的内部负载结构，未提及“并联电感器-电容器负载”。同时，由于“虚设负载”未被公开，其特征“进一步包含并联电感器-电容器负载”也未被公开。 |
| **Q：所述虚设负载的所述电感器经设计以比所述放大器负载的所述电感器更有损耗。《未公开》** | 无相应记载。 | 由于对比文件未公开“虚设负载”及其电感器，也未公开放大器负载的具体电感器设计，因此该特定设计关系未被公开。 |
| **R：所述放大器包含：共阴共栅放大器，其包含第一共阴共栅晶体管及第二共阴共栅晶体管《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件仅提及LNA 202的存在和功能，但未对其内部电路拓扑进行任何详细描述。没有公开LNA是“共阴共栅放大器”或包含“第一及第二共阴共栅晶体管”。 |
| **S：源极退化阻抗，其耦合到所述第一共阴共栅晶体管的源极《未公开》** | 无相应记载。 | 由于特征R未被公开，且对比文件未描述LNA内部的具体阻抗配置，该特征未被公开。 |
| **T：负载，其耦合到所述第二共阴共栅晶体管的漏极《未公开》** | 无相应记载。 | 由于特征R未被公开，且对比文件未描述LNA内部的具体负载配置，该特征未被公开。 |
| **U：所述虚设负载进一步包含：第一虚设共阴共栅晶体管及第二虚设共阴共栅晶体管《未公开》** | 无相应记载。 | 由于对比文件未公开“虚设负载”，因此其特征“进一步包含第一虚设共阴共栅晶体管及第二虚设共阴共栅晶体管”也未被公开。 |
| **V：虚设源极退化阻抗，其耦合到所述第一虚设共阴共栅晶体管的源极《未公开》** | 无相应记载。 | 由于特征U未被公开，该特征也未被公开。 |
| **W：二次虚设负载，其耦合到所述第二虚设共阴共栅晶体管的漏极。《未公开》** | 无相应记载。 | 由于特征U未被公开，该特征也未被公开。 |
| **X：所述第一晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管，所述第二晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管，所述差动第二信号的第一端耦合到所述第一晶体管及所述第四晶体管的栅极，所述差动第二信号的第二端耦合到所述第二晶体管及所述第三晶体管的栅极，所述第一晶体管及所述第三晶体管的漏极耦合在一起，且所述第二晶体管及所述第四晶体管的漏极耦合在一起。《直接公开》** | [p0032] “The Gilbert cell 310 employs four transistors Ql, Q2, Q3 and Q4.” <br> 结合图3（未提供但可通过描述理解）：吉尔伯特单元的典型连接方式是：LO+连接到Q1和Q4的栅极，LO-连接到Q2和Q3的栅极；Q1和Q3的漏极连接在一起输出OUT+（或OUT-），Q2和Q4的漏极连接在一起输出OUT-（或OUT+）。RF差分信号通过输入电路（312）馈入晶体管对。 | 对比文件公开的吉尔伯特单元（310）正是一种标准的双平衡混频器核心。本领域技术人员公知其标准连接方式：四个晶体管构成两对交叉耦合对。差动LO信号（LO+和LO-）交叉耦合到四个晶体管的栅极，具体地，LO+连接到一对角线上的两个晶体管（如Q1和Q4），LO-连接到另一对角线上两个晶体管（如Q2和Q3）。两个晶体管的漏极耦合在一起形成一个输出端，另两个晶体管的漏极耦合在一起形成另一个输出端。这与特征X的描述完全一致。虽然对比文件未在文本中逐字描述此交叉连接细节，但这是吉尔伯特混频器固有的、公知的结构，本领域技术人员阅读图3及说明后能毫无疑义地得出该连接方案。因此，该特征被直接公开。 |
| **Y：所述第二信号包含本机振荡器（LO）信号，所述第一信号包含经放大射频（RF）信号。《直接公开》** | [p0029] “LNA 202 provides an amplified RF communication signal, RF+ and RF- , to mixer 204…” <br> [p0032] “Gilbert cell 310 is coupled to the LO 212 (FIG. 2) via connections 214 and 216.” | 对比文件明确记载输入到混频器的信号是来自LNA 202的放大RF通信信号（即经放大射频信号），以及来自LO 212的本机振荡器（LO）信号。该特征被直接公开。 |
| **Z：所述第二晶体管对由至少一个可配置偏压电压偏置。《未公开》** | 无相应记载。 | 对比文件未公开“第二晶体管对”。虽然对比文件详细描述了用于DC偏移补偿的可编程放大器（502）及其校准（图5-7，[p0058]-[p0077]），但这是用于生成补偿信号（C+和C-）的独立补偿电路，并非用于偏置混频器内部晶体管对（尤其是虚设部分的晶体管对）的“可配置偏压电压”。两者在电路位置、功能和目的上均不同。 |
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