对比文件名称：2006-09-07_US2006199562A_发明申请_US20060199562A1 Low noise, high-linearity RF front end receiver
目标专利名称：437混频器架构CN102204085B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述设备包含：单端部分， | 未公开 | 对比文件未公开明确划分为“单端部分”的混频器部分。对比文件的混频器300（图3）接收来自LNA transconductor 200的差分信号（RFin+, RFin-），并通过电容器252、254耦合至节点260、262，作为混频器的两个差分输入。整个混频器300用于处理差分信号，其架构与目标专利中将混频器明确划分为接收单端信号的“单端部分”和接收虚设负载的“虚设部分”不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出目标专利中定义的“单端部分”。 |
| **技术特征B**：其包含第一晶体管对，‘所述第一晶体管对的第一输入耦合到所述单端第一信号， | 未公开 | 对比文件公开了混频器300包含晶体管对302、304和306、308（图3，[0021]段）。然而，这些晶体管对的输入（源极）是通过电容器252、254分别耦合到来自差分LNA transconductor 200的两个差分输出信号（节点260、262），而不是耦合到一个“单端第一信号”。目标专利中的“单端第一信号”是单端信号，仅输入到混频器的一个部分（单端部分）。对比文件的混频器输入是差分的，其两对晶体管分别接收差分信号的两个分量。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征C**：’所述第一晶体管对的栅极输入耦合到所述差动第二信号， | 对比文件图3及[0021]段：“the gates of transistors 302 and 308 are commonly connected to a capacitor 310 to receive a local oscillator signal LO+. Similarly, the gates of transistors 304 and 306 are commonly connected to a capacitor 314 to receive a local oscillator signal LO-.”（晶体管302和308的栅极共同连接到电容器310以接收本机振荡器信号LO+。类似地，晶体管304和306的栅极共同连接到电容器314以接收本机振荡器信号LO-。） | **《直接公开》**。对比文件明确公开了混频器300中晶体管对（302、308和304、306）的栅极分别接收差动的LO信号（LO+和LO-）。这与目标专利中“第一晶体管对的栅极输入耦合到差动第二信号”的技术特征作用相同，都是将LO信号输入到混频器晶体管对以控制其开关或放大操作。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征D**：‘所述第一晶体管对耦合到所述差动输出信号，’ | 对比文件图3及[0022]段：“A first amplifier is connected to the drain terminals of transistors 302 and 306... A second amplifier is connected to the drain terminals of transistors 304 and 308...”（第一放大器连接到晶体管302和306的漏极...第二放大器连接到晶体管304和308的漏极...）以及输出信号Vo1, Vo2。 | **《直接公开》**。对比文件公开了混频器300的晶体管对（302、306）和（304、308）的漏极分别连接到放大器/滤波器350的输入端，该放大器/滤波器产生差分输出信号Vo1和Vo2。因此，晶体管对（作为混频器的一部分）耦合到了差动输出信号。其作用与目标专利中相同，都是将混频后的信号输出。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征E**：其中所述第一晶体管对经配置以不具有偏置电流 | 对比文件[0016]段：“mixer 300 may be a passive mixer having two differential transistor pairs of CMOS transistors, where the transistors operate in the triode region and act as switches.”（混频器300可以是被动混频器，具有两对CMOS晶体管的差分对，其中晶体管在三极管区工作并充当开关。） | **《隐含公开》**。对比文件公开了混频器300可以是被动（无源）混频器，晶体管在三极管区作为开关工作。在无源混频器中，晶体管通常由LO信号驱动在导通和关断状态间切换，其偏置点设置（例如，栅极偏置Vbias2）是为了确保开关功能，而不是为晶体管对提供静态的偏置电流以进行跨导放大。本领域技术人员知晓，作为开关工作的MOSFET在三极管区工作时，其源漏通路在LO信号控制下导通，但通常不配置有独立的、用于产生跨导的恒定偏置电流（如吉尔伯特混频器中的尾电流源）。因此，可以合理推断对比文件中的被动混频器实施例的晶体管对是“经配置以不具有偏置电流”的，即没有为信号放大而设置的恒定偏置电流源。 |
| **技术特征F**：虚设部分，其包含匹配于所述第一晶体管对的第二晶体管对， | 未公开 | 对比文件虽然公开了混频器300具有两对晶体管（302、304和306、308）（图3，[0021]段），但这两对晶体管都是混频器有效信号路径的一部分，分别处理差分输入信号的两个分量（RFin+和RFin-）。目标专利中的“虚设部分”是专门为了平衡“单端部分”的负载和噪声特性而引入的，其第一输入耦合到“虚设负载端子”，而不是有效的射频信号。对比文件中的两对晶体管没有一对是用于“虚设”目的，也没有一对的输入是耦合到用于模拟负载而非真实信号的“虚设负载端子”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：所述第二晶体管对的第一输入耦合到虚设负载端子， | 未公开 | 由于对比文件没有公开“虚设部分”或“第二晶体管对”（如特征F所述），因此自然也没有公开该虚设部分的输入耦合到“虚设负载端子”。对比文件中晶体管对306、308的输入（源极）通过电容254耦合到来自LNA的有效差分信号RFin-的路径（节点262），而不是一个“虚设负载端子”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：所述第二晶体管对的栅极耦合到所述差动第二信号， | 对比文件图3及[0021]段：“the gates of transistors 302 and 308 are commonly connected to a capacitor 310 to receive a local oscillator signal LO+. Similarly, the gates of transistors 304 and 306 are commonly connected to a capacitor 314 to receive a local oscillator signal LO-.” | **《直接公开》**。对比文件明确公开了所有四只晶体管（302, 304, 306, 308）的栅极都耦合到差动的LO信号（LO+或LO-）。因此，如果认为晶体管对306、308对应于“第二晶体管对”（尽管在对比文件中并非虚设），那么其栅极确实耦合到了差动第二信号（LO信号）。其作用与目标专利中相同，都是将LO信号输入以控制晶体管开关。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征I**：所述第二晶体管对耦合到所述差动输出信号。 | 对比文件图3及[0022]段：“A first amplifier is connected to the drain terminals of transistors 302 and 306... A second amplifier is connected to the drain terminals of transistors 304 and 308...” | **《直接公开》**。对比文件公开了晶体管304和308的漏极共同连接到第二放大器的输入端，该放大器产生差分输出Vo2的一部分。因此，晶体管对304、308（如果视为“第二晶体管对”）耦合到了差动输出信号。其作用与目标专利中相同。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征J**：所述虚设负载端子耦合到高频接地电压。 | 对比文件[0014]段：“In the embodiment where a single-ended RF signal is received, the modulated signal from the antenna is supplied to one input of LNA transconductor 200 and a capacitor (not shown) couples the other input to ground.”（在接收单端RF信号的实施例中，来自天线的调制信号被提供给LNA跨导器200的一个输入，并且电容器（未示出）将另一个输入耦合到地。） | **《隐含公开》**。对比文件描述了在LNA接收单端信号时，其差分输入的另一个输入端可以通过电容器耦合到地（ground）。虽然这不是混频器的“虚设负载端子”，但其原理是在单端输入配置下，将差分放大器的一个输入端通过电容交流接地，以提供射频返回路径。本领域技术人员可以合理推断，如果要将一个类似的单端驱动概念应用于混频器输入（尽管对比文件本身是差分混频器），将未使用的输入端（类比于“虚设负载端子”）通过一个到地的路径（例如电容）进行端接，是一种常见的高频电路处理方式，以实现阻抗匹配或提供交流接地。因此，可以认为对比文件隐含公开了将未使用的信号输入端耦合到高频接地的概念。 |
| **技术特征K**：所述设备进一步包含耦合到所述虚设负载端子的虚设负载。 | 未公开 | 对比文件没有公开任何与目标专利中“虚设负载”功能相对应的结构。目标专利的虚设负载（如RC网络、并联LC网络或复制LNA的电路）用于在虚设部分输入端模拟单端LNA的负载阻抗。对比文件中LNA的差分输入在单端模式下，一个输入端通过电容接地，这只是一个简单的交流接地，并非一个为了匹配另一端LNA输出阻抗而精心设计的“虚设负载”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：所述第一晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述单端第一信号，且所述第二晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述虚设负载端子。 | 未公开 | 对比文件的混频器300的输入节点260、262与晶体管源极之间没有示出或描述任何电阻器。其输入是通过电容252、254直接耦合的。因此，对比文件没有公开在混频器晶体管对的输入（源极）与信号源或负载之间使用退化电阻器。该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：所述第一晶体管对的所述第一输入经由耦合电容器耦合到所述单端第一信号，所述虚设负载进一步包含电容器。 | 对比文件图3及[0020]段：“Capacitors 252 and 254 couple the complementary, out-of-phase signals from the drains of transistors 204 and 214 to nodes 260 and 262 as the inputs of mixer 300.”（电容器252和254将来自晶体管204和214的漏极的互补、反相信号耦合到节点260和262，作为混频器300的输入。） | **《直接公开》**。对比文件明确公开了混频器的输入（节点260、262）是通过耦合电容器（252、254）连接到前级（LNA跨导器200的晶体管204、214漏极）的。这对应于“第一输入经由耦合电容器耦合到信号”。虽然对比文件的信号是差分的，但“经由耦合电容器耦合”这一连接方式本身已被公开。然而，对比文件没有公开“虚设负载进一步包含电容器”，因为其没有虚设负载。因此，该技术特征作为一个整体（同时包含单端信号的耦合和虚设负载中的电容器）未被公开。但为了判断的严谨性，需注意对比文件部分公开了“经由耦合电容器耦合”这一子特征。 |
| **技术特征N**：其进一步包含：放大器，其经配置以放大输入信号以产生所述单端第一信号。 | 对比文件图3及[0018]段：“LNA transconductor 200 includes two transconductor amplifiers that convert an input voltage represented by signals RFin+ and RFin− to an output current.”（LNA跨导器200包括两个跨导放大器，它们将由信号RFin+和RFin−表示的输入电压转换为输出电流。）[0014]段提到LNA可以接收单端RF信号。 | **《隐含公开》**。对比文件明确公开了包含放大器（LNA transconductor 200）来放大输入信号（RFin）。虽然对比文件主要描述差分操作，但也提到可以接收单端RF信号（[0014]段）。当配置为接收单端信号时，LNA transconductor 200的一个放大器工作，另一个输入端接地，从而产生一个有效的单端输出（虽然内部可能仍是差分处理，但对外呈现单端驱动）。本领域技术人员可以合理推断，该放大器能够被配置为放大单端输入信号并产生一个用于驱动后续电路的输出信号，这对应于目标专利中“产生所述单端第一信号”的放大器。 |
| **技术特征O**：所述虚设负载进一步包含电容器，所述电容器耦合到电源电压的电阻器。 | 未公开 | 对比文件图3中的电阻256、258连接在Vdd和晶体管204、214的漏极之间，用于提供DC偏置。电容器252、254耦合在漏极和混频器输入节点之间。这些元件构成的是LNA输出到混频器输入的耦合和偏置网络，并非目标专利中定义的、连接在“虚设负载端子”上的“虚设负载”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：所述放大器包含并联电感器-电容器负载，所述虚设负载进一步包含并联电感器-电容器负载。 | 未公开 | 对比文件没有描述LNA transconductor 200的负载具体结构，更未提及其中包含并联电感器-电容器（LC）负载。说明书和附图均未示出或描述LNA输出端有任何电感。同样，也没有任何对应于“虚设负载”的结构，更不用说其中包含并联LC负载。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：所述虚设负载的所述电感器经设计以比所述放大器负载的所述电感器更有损耗。 | 未公开 | 如特征P所述，对比文件未公开放大器具有LC负载，也未公开虚设负载及其LC负载。因此，关于虚设负载电感器与放大器负载电感器之间损耗比较的技术特征无从谈起，未被公开。 |
| **技术特征R**：所述放大器包含：共阴共栅放大器，其包含第一共阴共栅晶体管及第二共阴共栅晶体管 | 未公开 | 对比文件图3中的LNA transconductor 200由晶体管202、204和212、214等构成，其具体拓扑结构在说明书中描述为“two transconductor amplifiers”（两个跨导放大器），并未明确描述为共源共栅（cascode）结构。图中晶体管202和204、212和214的连接方式可能被解读为共源共栅，但说明书文字部分没有明确确认。因此，不能确定地认为对比文件公开了明确的“共阴共栅放大器”结构。该特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征S**：源极退化阻抗，其耦合到所述第一共阴共栅晶体管的源极 | 未公开 | 对比文件图3中，晶体管202和212的源极直接接地，没有显示任何阻抗元件。因此，没有公开“源极退化阻抗”。该特征未被公开。 |
| **技术特征T**：负载，其耦合到所述第二共阴共栅晶体管的漏极 | 对比文件图3及[0020]段：“DC bias and coupling block 250 includes resistors 256 and 258 that are connected to a Vdd power conductor to provide bias to the respective drains of transistors 204 and 214.”（直流偏置和耦合块250包括电阻256和258，它们连接到Vdd电源线，以为晶体管204和214各自的漏极提供偏置。） | **《直接公开》**。对比文件明确公开了电阻256和258作为负载（尽管其主要功能是提供偏置）连接在晶体管204和214的漏极与电源Vdd之间。这构成了耦合到放大器输出晶体管漏极的负载。其作用与目标专利中“负载”的作用类似，都是为放大器提供输出负载。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征U**：所述虚设负载进一步包含：第一虚设共阴共栅晶体管及第二虚设共阴共栅晶体管 | 未公开 | 对比文件没有公开任何“虚设负载”，更没有公开该负载中包含任何晶体管，无论是共阴共栅结构还是其他结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征V**：虚设源极退化阻抗，其耦合到所述第一虚设共阴共栅晶体管的源极 | 未公开 | 由于特征U未被公开，因此作为其组成部分的“虚设源极退化阻抗”自然也未被公开。 |
| **技术特征W**：二次虚设负载，其耦合到所述第二虚设共阴共栅晶体管的漏极。 | 未公开 | 由于特征U未被公开，因此作为其组成部分的“二次虚设负载”自然也未被公开。 |
| **技术特征X**：所述第一晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管，所述第二晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管，所述差动第二信号的第一端耦合到所述第一晶体管及所述第四晶体管的栅极，所述差动第二信号的第二端耦合到所述第二晶体管及所述第三晶体管的栅极，所述第一晶体管及所述第三晶体管的漏极耦合在一起，且所述第二晶体管及所述第四晶体管的漏极耦合在一起。 | 对比文件图3及[0021]-[0022]段：晶体管302、304、306、308构成两对。LO+连接到302和308栅极，LO-连接到304和306栅极。302和306漏极连接在一起至第一放大器，304和308漏极连接在一起至第二放大器。 | **《直接公开》**。对比文件图3清晰显示了混频器300的晶体管连接方式：第一对为302和304，第二对为306和308。差动LO信号的第一端（LO+）连接到第一晶体管302和第四晶体管308的栅极；第二端（LO-）连接到第二晶体管304和第三晶体管306的栅极。第一晶体管302和第三晶体管306的漏极连接在一起（至第一放大器输入）；第二晶体管304和第四晶体管308的漏极连接在一起（至第二放大器输入）。这与目标专利特征X所描述的交叉耦合连接关系完全一致。其作用相同，都是实现双平衡混频功能。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征Y**：所述第二信号包含本机振荡器（LO）信号，所述第一信号包含经放大射频（RF）信号。 | 对比文件全文，特别是[0021]段：“receive a local oscillator signal LO+”和[0018]段：“convert an input voltage represented by signals RFin+ and RFin−”。 | **《直接公开》**。对比文件明确将输入混频器的信号描述为来自LNA的射频（RF）信号（RFin+/-），并将控制混频器的信号描述为本机振荡器（LO）信号（LO+/-）。这与目标专利中“第一信号”为RF信号，“第二信号”为LO信号的定义完全一致，且作用相同，分别作为被下变频的信号和用于频率转换的参考信号。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征Z**：所述第二晶体管对由至少一个可配置偏压电压偏置。 | 对比文件[0021]段：“The gates of transistors 302 and 308 are biased by resistor 312 to a voltage potential of approximately Vbias2+Vt... The gates of transistors 304 and 306 are biased by resistor 316 also to a voltage potential of approximately Vbias2+Vt.” | **《直接公开》**。对比文件明确公开了晶体管302、308以及304、306的栅极通过电阻312、316被偏置到一个电压（约Vbias2+Vt）。这构成了对晶体管对的偏置。然而，对比文件没有描述该偏压电压Vbias2是“可配置的”。说明书未提及任何校准、调整或配置Vbias2的机制或电路。因此，虽然存在偏置，但“可配置”这一限定未被公开。该技术特征作为一个整体（包含“可配置”属性）未被公开。 |
<<<X>>><<<Y>>>
<<<e>>><<<j>>><<<n>>>