**对比文件名称**：2011-12-01_发明申请_US20110294292A1 METHOD OF FORMING A SHARED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
**目标专利名称**：缩放布局设计中将虚栅极接地CN105981157B
**模型名称**：专利创造性评估模型
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：半导体器件有源区中的虚栅极<br>**判断结果：未公开** | 对比文件全文未提及“虚栅极”、“dummy gate”或类似概念。 | **论述**：目标专利中的“虚栅极”特指一种用于控制器件（如ESD或高速器件）但不直接构成功能晶体管沟道、需要被接地以防止浮动偏置电压激活器件的额外栅极（参见说明书第[0046]段）。对比文件涉及SRAM单元中的共享接触，其连接的栅极（gate electrode 18）是功能晶体管（如P通道晶体管14）的栅极，是电路正常工作所必需的组成部分（参见说明书第[0005]段，图1）。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出存在一个需要专门接地的“虚栅极”。因此，技术特征A未被对比文件公开。 |
| **技术特征B**：毗邻于所述虚栅极的第一有源触点<br>**判断结果：未公开** | 对比文件描述了源/漏区（drain 20）与栅极（gate electrode 18）相邻。例如，图2显示了drain 20与gate electrode 18相邻。（参见说明书第[0006]段及图2） | **论述**：对比文件确实公开了一个有源区（drain 20）毗邻于一个栅极（gate electrode 18）。然而，技术特征B中“所述虚栅极”是对技术特征A中“虚栅极”的引用。由于技术特征A（虚栅极）未被公开，技术特征B中“毗邻于所述虚栅极”这一限定关系在对比文件中没有对应基础。对比文件中与栅极相邻的有源区是功能晶体管的组成部分，其目的并非为了与一个“虚栅极”配合实现接地。因此，技术特征B未被对比文件公开。 |
| **技术特征C**：所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口<br>**判断结果：未公开** | 对比文件描述了在栅极和漏极上方的介电层（overlying dielectric layer，如oxide layer 48）中形成开口（opening 62, 64等）。（参见说明书第[0025]-[0030]段，图5-7） | **论述**：对比文件公开了在覆盖于栅极和有源区（漏极）上的介电层中形成开口。但是，与技术特征B同理，该特征中的“所述虚栅极”和“所述第一有源触点”是对前序技术特征的引用。由于对比文件未公开目标专利所定义的“虚栅极”及与之有特定毗邻关系的“第一有源触点”，因此形成于其上的电介质层及开口在作用和结构关系上与目标专利不同。目标专利的开口用于形成后续的堆叠式触点以耦合有源触点（图11），而对比文件的开口是用于直接形成连接栅极和漏极的共享接触。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层<br>**判断结果：未公开** | 对比文件在描述形成共享接触的开口过程中，未提及在所述开口的侧壁上沉积隔离层。对比文件中的spacer 32是栅极的侧壁间隔物，并非在介电层开口形成后沉积于其侧壁的隔离层。（参见说明书第[0006]段及图2） | **论述**：目标专利的“第一隔离层”（如内衬1200）是专门沉积在电介质层开口（1100）的侧壁上，用于后续将堆叠式触点与栅极隔离的关键结构（参见图12-14，说明书第[0063]段）。对比文件在形成连接栅极和漏极的开口（如62、64）时，目的是实现电连接，而非隔离。其工艺描述中未包括在开口侧壁沉积隔离层的步骤。本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地得出或合理推断出需要在开口侧壁沉积隔离层的技术方案。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点<br>**判断结果：未公开** | 对比文件公开了用导电材料（glue layer和conductive fill）填充开口（如62和64）以形成共享接触（shared contact 22），该共享接触电耦合至漏极（drain 20）。（参见说明书第[0029]段，图7） | **论述**：目标专利的“第一堆叠式触点”（如1310）是一个特定的结构，它通过开口形成并电耦合至有源触点，但其核心特征之一是具有侧壁隔离层（特征D）和表面的盖层（特征F），且其作用是作为与栅极触点或通孔实现选择性电连接的中间结构。对比文件的“共享接触”是一个单一的导电体，同时、直接地电连接栅极和漏极，其目的和结构均不同于目标专利的“堆叠式触点”。本领域技术人员无法从对比文件的单一共享接触中得出目标专利中具有特定隔离和层叠结构的“堆叠式触点”。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未描述在共享接触或类似结构的表面上沉积盖层（capping layer）。 | **论述**：目标专利的“盖层”（如内衬1600）是沉积在第一堆叠式触点（1310）表面的特定层，用于后续与通孔选择性地连接（参见图16-17，说明书第[0067]段）。结合侧壁的第一隔离层，共同实现将堆叠式触点与虚栅极电隔离。对比文件的共享接触表面没有此类盖层，且其结构设计目的就是实现电连接而非隔离。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未描述“穿过电介质层的第一通孔”这一独立结构。其共享接触（22， 96）是直接填充在连续开口中的导电体，连接栅极和漏极。（参见说明书第[0029], [0033]段，图7, 11） | **论述**：目标专利的“第一通孔”（如2000）是一个独立的结构，它穿过电介质层，一端落在虚栅极（或栅极触点）上，另一端通过蚀刻掉盖层的一部分后落在第一堆叠式触点的表面上，从而实现有源触点通过堆叠式触点和通孔连接到虚栅极使其接地（参见图18-21，说明书第[0070]段）。这是一个多层、分步连接的结构。对比文件的共享接触是单次填充形成的单一导电体，直接、同时连接栅极和漏极，不存在“通孔落在堆叠式触点上”的层级关系，也不是为了“使栅极接地”的目的（其目的是栅极与漏极间的信号互连）。因此，技术特征G未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：直接耦合在所述虚栅极和所述第一通孔之间的栅极触点，所述栅极触点在侧壁上具有第二隔离层，所述栅极触点被自对齐到所述第一有源触点以及和所述第一堆叠式触点自对齐。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未描述独立的“栅极触点”结构。其栅极（gate electrode 18）通过硅化物层（36）直接与共享接触相连。（参见图2, 7等） | **论述**：目标专利的“栅极触点”（如810）是一个独立的导电插塞，形成于虚栅极之上，侧壁具有第二隔离层（如内衬600），并且与有源触点和堆叠式触点自对齐（参见图4-9，说明书第[0059]段）。这是实现小尺寸、可缩放接地方案的关键。对比文件中没有这样的独立栅极触点结构，栅极是通过共享接触直接连接的。因此，技术特征H未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，进一步包括：毗邻于所述虚栅极的第二有源触点<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未明确描述存在与特定栅极（特别是“虚栅极”）相邻的“第二有源触点”。图2显示了一个漏极（20）与栅极（18）相邻。 | **论述**：与技术特征B类似，该特征引用了“所述虚栅极”。由于技术特征A（虚栅极）未被公开，且对比文件未明确示出或描述在所述栅极的另一侧或特定位置存在一个可被称为“第二有源触点”的明确结构，因此技术特征I未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：以及相邻的堆叠式触点，所述相邻的堆叠式触点电耦合至所述第二有源触点并和所述第二有源触点对齐，且和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未描述“相邻的堆叠式触点”以及与通孔“自对齐”以实现电隔离的结构。 | **论述**：目标专利该特征描述了一种利用自对齐工艺实现不同触点间电隔离的精细布局方案（参见图22A-22B，说明书第[0074]段）。对比文件仅涉及一个共享接触的形成，没有涉及多个堆叠式触点之间以及它们与通孔之间通过自对齐实现隔离的复杂结构关系。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一通孔和所述栅极触点自对齐，并且所述第一堆叠式触点的所述侧壁上的所述第一隔离层被安排成至少部分地与所述第一有源触点交叠，所述第一隔离层的交叠部分将所述第一堆叠式触点的一部分与所述第一通孔的一部分电隔离。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未描述通孔与栅极触点自对齐，也未描述隔离层与有源触点交叠以实现局部电隔离的复杂布局关系。 | **论述**：该特征是对目标专利自对齐隔离结构的进一步细节描述。对比文件完全没有涉及此类通过隔离层交叠进行局部电隔离的精密设计。因此，技术特征K未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，进一步包括：有源栅极<br>**判断结果：直接公开** | 对比文件中的gate electrode 18（栅极18）是P通道晶体管14的栅极（参见说明书第[0005]段，图1），是一个功能性的有源栅极。 | **论述**：目标专利的“有源栅极”指构成功能晶体管沟道的栅极（如导电栅极106）。对比文件中的栅极18正是这样的功能栅极，用于控制晶体管的导通与关断。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出“有源栅极”这一技术特征。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M**：毗邻于所述有源栅极的第二有源触点<br>**判断结果：直接公开** | 对比文件中，drain 20（漏极20）作为源/漏区，毗邻于栅极18（有源栅极）（参见说明书第[0006]段及图2）。 | **论述**：目标专利的“第二有源触点”指毗邻有源栅极的有源区触点。对比文件中的drain 20（可视为有源触点）明确毗邻于作为有源栅极的gate electrode 18。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出此特征。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| **技术特征N**：第二堆叠式触点，所述第二堆叠式触点被电耦合至所述第二有源触点且在侧壁上包括将所述第二堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的第二隔离层<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未描述具有侧壁隔离层的“第二堆叠式触点”。其共享接触是直接连接栅极和漏极的，没有隔离层。 | **论述**：目标专利的“第二堆叠式触点”是具有侧壁隔离层的特定结构。对比文件中与第二有源触点（drain 20）电耦合的是共享接触的一部分，该部分直接与有源栅极（gate electrode 18）电连接，而非通过隔离层电隔离。两者结构和作用相反。因此，技术特征N未被对比文件公开。 |
| **技术特征O**：以及电耦合至所述有源栅极且和所述第二堆叠式触点自对齐的第二通孔。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未描述独立的“第二通孔”结构，也没有描述通孔与堆叠式触点“自对齐”。 | **论述**：目标专利的“第二通孔”是一个独立结构，且与第二堆叠式触点自对齐。对比文件中与有源栅极电耦合的是共享接触本身，并非独立的通孔结构，也不涉及自对齐关系。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及将该半导体器件集成到任何具体的终端产品中。 | **论述**：该特征是对半导体器件应用领域的陈述，属于用途特征。对比文件仅描述了SRAM单元中的共享接触形成方法，并未指明其制成的器件具体用于何种终端产品。虽然本领域技术人员知晓半导体器件可广泛应用于各类电子设备，但对比文件本身并未公开将“所述器件”（即具有前述特定结构的器件）集成到所列举的具体产品中这一特定技术信息。因此，技术特征P未被对比文件公开。 |
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