**对比文件名称**: 2008-04-30_JP4082220B_发明专利_JP4082220B2 Wiring board, a method of manufacturing a semiconductor module and semiconductor module
**目标专利名称**: 具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
**模型名称**: 本次调用未提供模型名称
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件JP4082220B2的比对表格。
### **特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A《直接公开》** | 【００４１】図１において、インターポーザ基板１の両面には配線２ａ、２ｃがそれぞれ形成され... | 对比文件明确公开了“インターポーザ基板１”（interposer substrate 1），即一种基板。基板是封装结构的基础构件。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **特征B《隐含公开》** | 【００４５】...インターポーザ基板１１には、対角線に沿って溝１７が形成されている。 | 对比文件公开了在基板（インターポーザ基板１１）中形成“溝１７”（沟槽17）。沟槽是基板表面的一种凹陷结构。虽然该沟槽在对比文件中的作用是分断应力（参见【００４６】），而目标专利中凹陷的作用是容纳互连以降低封装高度，但从结构上看，本领域技术人员能够毫无疑义地理解“沟槽”是“凹陷”的一种具体形式。根据宽松的隐含公开判断标准，可以认为对比文件隐含公开了“基板第一表面中的凹陷”这一技术特征。 |
| **特征C《隐含公开》** | 【００４１】...インターポーザ基板１に形成されたスルーホール配線２ｂを介して接続されている。 | 对比文件公开了“スルーホール配線２ｂ”（through-hole wiring 2b），即穿基板通孔。这些通孔延伸穿过基板。虽然对比文件未明确说明这些通孔是否穿过“非凹陷部分”，但结合附图（例如图1(b)）和上下文可知，通孔是贯穿整个基板厚度的，而凹陷（沟槽）是局部结构，因此通孔必然穿过基板的非凹陷部分。本领域技术人员可以合理推断出这一技术方案。 |
| **特征D《未公开》** | (无对应内容) | 对比文件公开了穿基板通孔（スルーホール配線），但并未描述这些通孔在第一表面（形成有沟槽的表面）的端部位置，更没有公开通孔的端部位于“毗邻所述第一凹陷的区域中”。该特征限定了通孔与凹陷之间特定的位置关系，对比文件中完全没有涉及。 |
| **特征E《未公开》** | (无对应内容) | 对比文件中的穿基板通孔（如2b）用于连接基板两侧的配线（2a和2c），实现电气互连。但对比文件完全没有公开“通过基板相对第二表面上的导体将两个通孔耦合以形成嵌入式电感器”这一技术特征。电感器是一种特定的无源器件，其形成需要特定的通孔布局和表面导体连接以构成电流环路，这在对比文件中没有任何记载或暗示。 |
| **特征F《未公开》** | (无对应内容) | 对比文件公开了作为互连的“はんだボール”（焊球，如6，16，26等），但这些焊球均设置在基板的平坦表面上（参见图1(b)，图2(b)等），并未被容纳在基板的凹陷或沟槽内。因此，对比文件没有公开“互连被包括在凹陷内”这一关键结构特征。 |
| **特征G《未公开》** | 【００４１】...インターポーザ基板１の裏面には、端子電極として、例えば、はんだボール６が配置され、はんだボール６は配線２ｃに接続されている。 | 对比文件公开了在基板表面（裏面）有配线层（配線２ｃ），并且焊球（はんだボール６）连接到该配线层。配线层可以视为一种“重分布层”。然而，技术特征G限定了该重分布层被配置成将“第一凹陷内的第一互连”电耦合至“多个第一穿基板通孔之一”。如前所述，对比文件既未公开凹陷内的互连（特征F），也未公开通孔端部毗邻凹陷（特征D），更未公开通孔用于形成电感器（特征E）的特定耦合。因此，对比文件虽然公开了表面的互连通过配线连接至通孔的一般概念，但未公开目标专利中这一具体的、与凹陷和电感器结构相结合的电耦合配置。 |
| **特征H《未公开》** | (无对应内容) | 对比文件全文未提及“电容器”这一器件，也没有公开“毗邻基板对向第二表面的电容器”或专门耦合至电容器的“第二穿基板通孔”。该技术特征未被公开。 |
| **特征I《未公开》** | (无对应内容) | 该特征是对嵌入式电感器组成的进一步限定。由于形成嵌入式电感器的核心特征E未被公开，因此该从属特征I也未被公开。 |
| **特征J《未公开》** | (无对应内容) | 该特征是对嵌入式电感器数量的进一步限定。由于形成嵌入式电感器的核心特征E未被公开，因此该从属特征J也未被公开。 |
| **特征K《隐含公开》** | 【００４３】...インターポーザ基板１としては、例えば、シリコン基板、セラミック基板、**ガラスエポキシ基板**、あるいは、ビルドアップ多層基板などを用いることができる。 また、インターポーザ基板１の裏面に設けられる端子電極としては、**はんだボール６**の他、例えば、Ａｕバンプ電極や、ＮｉバンプにＡｕ皮膜またはハンダ皮膜などが施されたバンプ電極を用いるようにしてもよい。 | 对比文件明确公开了基板材料可以包括“ガラスエポキシ基板”（玻璃环氧基板），这是玻璃基板的一种。同时也公开了互连可以采用“はんだボール”（焊球）。因此，本领域技术人员可以从对比文件中直接得出“基板包括玻璃基板”以及“第一互连包括焊球”的技术方案。虽然对比文件中的焊球并未设置在凹陷内，但根据宽松的隐含公开判断标准，基板材质和互连类型本身已被公开。 |
| **特征L《隐含公开》** | 【００４３】...インターポーザ基板１としては、例えば、**シリコン基板**、セラミック基板、ガラスエポキシ基板、あるいは、ビルドアップ多層基板などを用いることができる。 また、インターポーザ基板１の裏面に設けられる端子電極としては、はんだボール６の他、例えば、**Ａｕバンプ電極**や、ＮｉバンプにＡｕ皮膜またはハンダ皮膜などが施されたバンプ電極を用いるようにしてもよい。 | 对比文件明确公开了基板材料可以包括“シリコン基板”（硅基板），即半导体基板。同时也公开了互连可以采用“Ａｕバンプ電極”（金凸块电极）等，金属柱是此类凸块电极的常见形式。因此，本领域技术人员可以从对比文件中直接得出“基板包括半导体基板”以及“第一互连包括金属柱”的技术方案。虽然对比文件中的金属柱并未设置在凹陷内，但根据宽松的隐含公开判断标准，基板材质和互连类型本身已被公开。 |
| **特征M《隐含公开》** | 【００４３】...インターポーザ基板１としては、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板、あるいは、**ビルドアップ多層基板**などを用いることができる。 また、インターポーザ基板１の裏面に設けられる端子電極としては、**はんだボール６**の他、例えば、Ａｕバンプ電極や、ＮｉバンプにＡｕ皮膜またはハンダ皮膜などが施されたバンプ電極を用いるようにしてもよい。 | 对比文件明确公开了基板材料可以包括“ビルドアップ多層基板”（积层多层基板），这通常属于有机基板范畴。同时也公开了互连可以采用“はんだボール”（焊球）。因此，本领域技术人员可以从对比文件中直接得出“基板包括有机基板”以及“第一互连包括焊球”的技术方案。虽然对比文件中的焊球并未设置在凹陷内，但根据宽松的隐含公开判断标准，基板材质和互连类型本身已被公开。 |
| **特征N《隐含公开》** | 【００４３】...インターポーザ基板１としては、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板、あるいは、**ビルドアップ多層基板**などを用いることができる。 また、インターポーザ基板１の裏面に設けられる端子電極としては、**はんだボール６**の他、例えば、Ａｕバンプ電極や、ＮｉバンプにＡｕ皮膜またはハンダ皮膜などが施されたバンプ電極を用いるようにしてもよい。 | 此特征与特征M的限定内容完全相同。基于与特征M相同的理由，对比文件隐含公开了“基板包括有机基板，并且其中第一互连包括焊球”的技术方案。 |
| **特征O《隐含公开》** | 【００４５】...インターポーザ基板１１には、対角線に沿って溝１７が形成されている。 | 对比文件公开了在基板（インターポーザ基板１１）中形成“溝１７”。沟槽是基板表面的一种凹陷结构。虽然该沟槽的作用是缓解应力，而非容纳互连，但从结构特征“基板第一表面中的凹陷”来看，本领域技术人员能够理解其存在。根据宽松的隐含公开判断标准，可以认为对比文件隐含公开了“在基板的第一表面中的第二凹陷”这一技术特征（将“沟17”视为一种凹陷）。 |
| **特征P《未公开》** | 【００４８】...インターポーザ基板２１の裏面には、端子電極および**ダミー端子**として、例えば、はんだボール２６および**ダミーボール２８**がそれぞれ設けられ... | 对比文件公开了“ダミーボール”（dummy ball，虚设焊球），其作用主要是机械加固，提高连接可靠性，可以认为其仅具有机械功能。然而，技术特征P明确限定该第二互连“被包括在所述第二凹陷内”。对比文件中的虚设焊球（如28）是设置在基板平坦表面上的虚设焊盘（ダミーランド）上的，并未被容纳在任何凹陷或沟槽内（参见图3(b)）。因此，该特征的关键结构“在凹陷内”未被公开。 |
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