**对比文件名称**：2011-09-08_US2011215150A_发明申请_US20110215150A1 Biometric Sensor With Delay Layer
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：《直接公开》 | 说明书第[0024]段：“The other energy wave...is reflected back toward the acoustic detector array 55. Upon contacting the detector 55, the reflected energy may be detected...” | 对比文件明确公开了超声检测器阵列（detector array 55）用于检测从物体反射回来的超声波能量，这与目标专利中超声波接收器的功能相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：《直接公开》 | 说明书第[0020]段：“The acoustic detector array 55 may be constructed with standard thin film transistor (TFT) techniques by applying an array of TFT elements to an insulating substrate 110...” | 对比文件明确描述了检测器阵列（detector array 55）包含应用在绝缘衬底（insulating substrate 110）上的TFT元件阵列（array of TFT elements）。这与目标专利中“安置在衬底上的像素电路的阵列”的技术特征相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：未被公开 | 说明书第[0020]段：“...then applying an electrode array 90...Over the electrode array, a piezoelectric film 80 may be applied...” | 对比文件公开了在电极阵列上“应用”（applied）压电薄膜（piezoelectric film），但并未具体公开该压电层的形成方法是“将含有聚合物的溶液涂布到像素电路阵列的第一侧上”。对比文件未提及使用溶液涂布法，也未描述涂布到阵列“第一侧”的方位特征。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：《直接公开》 | 说明书第[0020]段：“...an array of TFT elements to an insulating substrate 110, then applying an electrode array 90 that is in electrical contact with the inputs of the TFT elements 100.” | 对比文件明确公开了阵列包含TFT元件（TFT elements），并且有与TFT元件输入端电接触的电极阵列（electrode array）。该电极阵列即相当于目标专利中的像素输入电极。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：未被公开 | 未提及相关内容。 | 对比文件完全没有提及使聚合物结晶以形成结晶聚合物层的工艺步骤。目标专利的该特征涉及压电层制造过程中的具体结晶步骤，是对比文件未曾描述的技术手段。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：未被公开 | 未提及相关内容。 | 对比文件虽然公开了存在压电薄膜（piezoelectric film 80），但完全没有提及对该薄膜执行“成极工艺”（poling），更没有公开通过施加电场使聚合物层成为压电层的具体工艺步骤。这是目标专利的核心制造方法之一，对比文件未予揭示。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：《直接公开》 | 说明书第[0020]段：“...a continuous electrode 70 may be over-coated on the piezoelectric film 80.” | 对比文件明确公开了在压电薄膜（piezoelectric film 80）上覆盖（over-coated）了一个连续电极（continuous electrode 70）。该连续电极用于施加偏置电压，其位置和功能（控制信号传递至下方的TFT阵列）与目标专利中的“接收器偏置电极”完全相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：《隐含公开》 | 说明书第[0020]段：“...applying an electrode array 90 that is in electrical contact with the inputs of the TFT elements 100.” | 对比文件公开了“电极阵列90”与TFT元件的输入端电接触。在TFT阵列制造领域，此类电极通常由导电薄膜（如ITO、金属等）形成，这是本领域的公知常识和常规技术手段。本领域技术人员根据对比文件公开的“电极阵列”能够毫无疑义地推知其由导电薄膜形成。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：未被公开 | 未提及相关内容。 | 对比文件完全没有提及在形成任何层之前涂布助粘剂的步骤。目标专利中该特征是为了改善聚合物溶液与下方阵列的粘附性而采取的特定工艺，对比文件中没有相关教导或启示。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：未被公开 | 说明书第[0020]段：“...a piezoelectric film 80 may be applied...” | 对比文件仅使用“applied”（应用）这一宽泛术语来描述压电薄膜的形成，并未具体限定为“旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射”中的任何一种涂布方式。这些具体的溶液涂布工艺是对比文件未曾公开的。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：《直接公开》 | 说明书第[0007]段：“The piezoelectric film may be a polymeric or ceramic film exhibiting ferroelectric or piezoelectric properties. For example, the piezoelectric film may be PVDF, PVDF-TrFE copolymer...” | 对比文件明确列举了压电薄膜可以是表现出铁电或压电性质的聚合物，并以PVDF、PVDF-TrFE共聚物为例。PVDF及其共聚物是本领域公知的铁电聚合物。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：未被公开 | 未提及相关内容。 | 对比文件完全没有提及聚合物具有居里温度和熔点，更没有公开在特定温度范围内焙烤至少一小时以使其结晶的具体工艺条件。这是目标专利中关于结晶步骤的特定工艺参数，对比文件未予揭示。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：未被公开 | 未提及相关内容。 | 对比文件完全没有提及在执行任何工艺（如成极）之前，施加导电材料将像素电路端子短接到接地的保护措施。这是目标专利为避免敏感TFT电路在高压成极过程中受损而采取的特定技术手段。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：未被公开 | 未提及相关内容。 | 由于对比文件未公开技术特征M，因此也自然不会公开用于实现该特征的具体导电材料（导电橡胶或导电墨水）。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：未被公开 | 说明书第[0020]段：“...a continuous electrode 70 may be over-coated on the piezoelectric film 80.” | 对比文件仅公开了“连续电极70”，但并未公开该电极具有包含第一铜子层和第二镍子层的多层结构。目标专利的这一特征限定了接收器偏置电极的具体材料构成，是对比文件未曾描述的。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：未被公开 | 未提及相关内容。 | 对比文件完全没有提及接收器偏置电极各子层的具体厚度。目标专利中“150埃厚的铜子层”和“850埃厚的镍子层”是具体的、数值化的结构特征，对比文件未予揭示。因此，该特征未被公开。 |
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