**对比文件名称**：2012-05-10_US2012111119A_发明申请_US20120111119A1 METHOD AND APPARATUS FOR SENSING AN INPUT OBJECT RELATIVE TO A SENSING REGION OF AN ULTRASOUND SENSOR DEVICE
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器 CN105264545B
**本次调用模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 《直接公开》**<br>超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量 | 第[0042]段：“The sensor element 306 generally includes a first electrode 402 and a second electrode 404 sandwiching a piezoelectric material 406.”<br>第[0043]段：“In an ultrasound detector application, ultrasound waves impacting the sensor element 306 apply a force, which deforms the piezoelectric material , thus generating charge.” | 对比文件明确公开了包含压电材料的传感器元件306，其作用在于接收冲击的超声波，使压电材料变形并产生电荷，从而实现超声波能量的检测。这与目标专利中超声波接收器的功能和作用完全相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **B: 《直接公开》**<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列 | 第[0049]段：“In some embodiments, the array 500 of sensors elements 306 comprising the sensor module 204 is part of a TFT panel. For example, the array of sensors elements 306 and/or the receiver circuits 504 may be manufactured with TFT technology, the substrate 514 may be TFT glass...”<br>图5展示了耦合到检测模块502的传感器元件306的阵列500。 | 对比文件明确公开了传感器元件306的阵列500，并且该阵列形成在TFT面板上，即安置在衬底（如TFT玻璃）上。传感器元件306的阵列对应于目标专利中的像素电路阵列。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **C: 《未公开》**<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上 | 未发现相关内容。 | 对比文件描述了传感器元件包含压电材料406（如第[0042]段），但未公开该压电材料是通过“将含有聚合物的溶液涂布到阵列上”这一特定工艺形成的。对比文件未提及任何涂布溶液形成层的制造步骤。因此，技术特征C未被对比文件公开（既非直接也非隐含）。 |
| **D: 《直接公开》**<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极 | 第[0049]段：“...the array of sensors elements 306 and/or the receiver circuits 504 may be manufactured with TFT technology...”<br>第[0056]段：“The receiver circuit 504 of FIG. 6 may be operated to... (e) provide addressable readout of the charge stored on a storage capacitor.”<br>图6所示的接收电路504包含由晶体管614, 615, 624, 625, 634, 635等组成的晶体管网络600，这些是TFT元件。<br>第[0042]段：“...a second electrode 404...” 该第二电极404连接至压电材料406并输出信号，其功能等同于像素输入电极。 | 对比文件明确公开了检测模块/接收电路是使用TFT技术制造的（第[0049]段），并且图6的电路图示了包含多个晶体管的网络，这些晶体管即TFT元件。每个传感器元件306具有第二电极404（第[0042]段），其电耦合至压电材料并用于输出信号，这对应于像素输入电极的功能。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| **E: 《未公开》**<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层 | 未发现相关内容。 | 对比文件仅提及压电材料406的存在，但完全未涉及任何关于“使聚合物结晶”的工艺步骤。结晶是目标专利中形成特定压电层的关键步骤，在对比文件中无任何记载或暗示。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| **F: 《未公开》**<br>执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触 | 未发现相关内容。 | 对比文件虽然公开了压电材料406与电极402、404接触（第[0042]段），但并未公开任何通过施加电场对材料进行“成极(poling)”以使其具备压电性的工艺。成极是目标专利中激活压电特性的特定步骤。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **G: 《直接公开》**<br>以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | 第[0042]段：“The sensor element 306 generally includes a first electrode 402 and a second electrode 404 sandwiching a piezoelectric material 406.”<br>第[0045]段：“In those embodiments where the sensor element 306 is used as an ultrasound detector, the first electrode 402 may be connected to a reference node such as ground...” | 对比文件公开了传感器元件306具有第一电极402和第二电极404，两者夹着压电材料406。当用作检测器时，第一电极402可以连接到参考节点如地（第[0045]段）。这个第一电极402位于压电材料的一侧，其接地或偏置的操作会影响电荷/信号的传递，其作用相当于目标专利中用于控制信号传递的接收器偏置电极。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **H: 《直接公开》**<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | 第[0049]段：“...the second electrode 404 may be a top layer of the TFT panel. The top electrode of the TFT panel may be placed in direct contact with the array 500, or be the second electrode 404 of the array 500 of piezoelectric transducers being in contact with the piezoelectric material 406.” | 对比文件明确描述了第二电极404可以是TFT面板的顶层电极。在TFT制造领域中，此类电极通常由透明导电薄膜（如ITO）或金属薄膜形成。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该像素输入电极（对应第二电极404）是由导电薄膜形成的。技术特征H被对比文件直接公开。 |
| **I: 《未公开》**<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未提及任何关于“助粘剂”的内容，无论是作为涂布工艺的一部分还是独立步骤。因此，技术特征I未被对比文件公开。 |
| **J: 《未公开》**<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未描述任何涂布工艺，因此自然未公开涂布的具体方式，如旋涂、槽缝式涂布等。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| **K: 《未公开》**<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未具体限定压电材料406的种类，未提及“铁电聚合物”。因此，技术特征K未被对比文件公开。 |
| **L: 《未公开》**<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未涉及任何关于聚合物结晶的工艺，更未提及居里温度、熔点以及特定温度下的焙烤步骤。因此，技术特征L未被对比文件公开。 |
| **M: 《未公开》**<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未提及在执行任何工艺（尤其是成极）之前，使用导电材料将像素电路端子短路到接地的步骤。因此，技术特征M未被对比文件公开。 |
| **N: 《未公开》**<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未提及导电橡胶或导电墨水。因此，技术特征N未被对比文件公开。 |
| **O: 《未公开》**<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未描述接收器偏置电极（对应第一电极402）具有多层结构，特别是由铜和镍子层构成。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| **P: 《未公开》**<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未公开任何关于电极厚度的具体数值。因此，技术特征P未被对比文件公开。 |
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