对比文件名称：US2015241393A1_Description_20260223_1513
目标专利名称：204具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。<br>《直接公开》 | 对比文件段落[0061]: “The ultrasonic receiver 30 may include a piezoelectric material and an array of pixel circuits disposed on a substrate. In operation, the ultrasonic transmitter 20 generates one or more ultrasonic waves... reflected back toward the ultrasonic receiver 30 for detection... The control electronics 50 may then receive signals from the ultrasonic receiver 30 that are indicative of reflected ultrasonic energy...” | 对比文件明确公开了超声波接收器，其包含压电材料和像素电路阵列，并用于检测反射的超声波能量。这与目标专利中超声波接收器用于检测在其表面接收到的超声波能量的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征B：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。<br>《直接公开》 | 对比文件段落[0061]: “The ultrasonic receiver 30 may include a piezoelectric material and an array of pixel circuits disposed on a substrate.” | 对比文件明确公开了超声波接收器包含设置在衬底上的像素电路阵列。这与目标专利的技术特征描述完全一致。 |
| 技术特征C：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。<br>《隐含公开》 | 对比文件段落[0061], [0067]: “The ultrasonic receiver 30 may include a piezoelectric material... Examples of piezoelectric materials that may be employed include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件公开了超声波接收器包含压电材料，并具体列举了PVDF、PVDF-TrFE等铁电聚合物作为压电材料的实例。在超声波传感器制造领域，在衬底（如TFT背板）上形成此类聚合物压电层的常规方法之一就是涂布含有该聚合物的溶液。虽然对比文件未明确描述涂布步骤，但本领域技术人员为了实现所公开的包含聚合物压电层的接收器结构，完全有可能且合理地从已知的常规制造方法中选择“涂布溶液”这一步骤。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征D：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。<br>《直接公开》 | 对比文件段落[0063]: “The ultrasonic receiver 30 may include an array of pixel circuits disposed on a substrate... each pixel circuit may include one or more TFT elements... Each pixel circuit may include a pixel input electrode that electrically couples the piezoelectric receiver layer to the pixel circuit.” | 对比文件明确公开了像素电路阵列包含TFT元件，并且每个像素电路包含一个将压电接收层电耦合至像素电路的像素输入电极。这与目标专利的技术特征描述完全一致。 |
| 技术特征E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。<br>《未公开》 | 对比文件未提及使聚合物结晶的步骤。 | 对比文件虽然公开了使用铁电聚合物（如PVDF-TrFE）作为压电材料，但完全没有提及为了使该聚合物层具备压电性而必须进行的“结晶”处理步骤。结晶是铁电聚合物获得压电性能的关键热处理过程，并非必然隐含于材料选择中。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开此技术特征。 |
| 技术特征F：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。<br>《未公开》 | 对比文件未提及对聚合物层进行成极（极化）的工艺。 | 对比文件公开了包含聚合物压电材料的接收器层，但未提及任何形成压电层的具体工艺，特别是“成极（极化）”这一关键步骤。对于铁电聚合物，涂布后形成的层通常需要经过极化（施加强电场）才能使偶极子定向排列，从而获得压电性。这一步骤并非制造聚合物层的必然或隐含步骤。因此，对比文件未公开此技术特征。 |
| 技术特征G：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。<br>《直接公开》 | 对比文件段落[0063]: “In the illustrated implementation, a receiver bias electrode is disposed on a side of the piezoelectric receiver layer proximal to platen 40. The receiver bias electrode may be a metallized electrode and may be grounded or biased to control which signals are passed to the TFT array.” | 对比文件明确公开了在压电接收层上设置有接收器偏置电极，并且该电极被接地或偏置以控制哪些信号被传递到TFT阵列。这与目标专利中接收器偏置电极配置为控制信号传递至TFT元件的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征H：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。<br>《隐含公开》 | 对比文件段落[0063]提及“pixel input electrode”，但未明确其材质。在TFT阵列制造领域，像素电极通常由透明导电薄膜（如ITO）或金属薄膜形成，这是本领域的公知常识。结合对比文件公开了TFT阵列和像素输入电极的结构，本领域技术人员为了实现其电耦合功能，能够合理推断出使用导电薄膜来形成该电极。 | 虽然对比文件未明确记载像素输入电极的材质，但在本领域，用于连接TFT像素电路和上方功能层（如压电层）的输入电极通常由导电薄膜（如金属薄膜或ITO等透明导电氧化物）制成。这是制造TFT阵列传感器的常规技术手段。因此，基于对比文件公开的像素输入电极结构及其电耦合作用，本领域技术人员能够合理推断出该电极由导电薄膜形成。 |
| 技术特征I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何关于涂布助粘剂的步骤或内容。 | 助粘剂涂布是特定制造工艺中的一个可选或优化步骤，旨在改善聚合物层与下层基板（如TFT阵列）之间的粘附力。对比文件完全没有提及任何与粘附或界面处理相关的工艺。因此，该技术特征既未被直接公开，也无法从对比文件公开的内容中合理推断出来。 |
| 技术特征J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。<br>《隐含公开》 | 对比文件未明确具体涂布方法。 | 如对特征C的论述，对比文件隐含公开了通过涂布溶液形成聚合物层。在半导体和微电子制造领域，旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配和喷射是涂布液体材料（如聚合物溶液）的常规且公知的方法。本领域技术人员为了实现“涂布含有聚合物的溶液”这一步骤，必然会从这些常规方法中选择一种或多种。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征K：其中所述聚合物包含铁电聚合物。<br>《直接公开》 | 对比文件段落[0067]: “Examples of piezoelectric materials that may be employed include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件明确列举了可采用的压电材料实例，包括PVDF和PVDF-TrFE等铁电聚合物。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。<br>《未公开》 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及在特定温度范围内焙烤聚合物以使其结晶的工艺。 | 该技术特征涉及非常具体的结晶工艺参数（温度范围、时间）。对比文件仅公开了使用铁电聚合物作为材料，完全没有涉及任何具体的结晶热处理步骤及其条件（如温度、时间）。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。<br>《未公开》 | 对比文件未提及在成极（极化）工艺之前或任何其他工艺中，使用导电材料将像素电路端子短路到接地的保护措施。 | 该技术特征是一种在高压极化过程中保护敏感TFT电路的具体工艺步骤。对比文件完全没有提及任何与极化工艺相关的步骤，更谈不上在此步骤之前采取的保护措施。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何用于短路像素电路端子的导电材料，更未具体提及导电橡胶或导电墨水。 | 由于技术特征M（施加导电材料短路）未被公开，作为其具体材料限定的技术特征N自然也未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。<br>《未公开》 | 对比文件段落[0063]提到接收器偏置电极是“metallized electrode”，但未具体说明其层状结构或材料组成。 | 对比文件仅公开了接收器偏置电极是金属化电极，但未揭示其具体构成。第一铜子层和第二镍子层是一种特定的多层金属结构，并非金属化电极的唯一或必然选择（例如，也可以是单层铝、铬、金等）。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开此具体的层状结构特征。 |
| 技术特征P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。<br>《未公开》 | 对比文件未提及接收器偏置电极的任何厚度参数。 | 该技术特征限定了非常具体的子层厚度。对比文件完全没有公开任何关于电极厚度的信息，因此该技术特征未被公开。 |
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