**对比文件名称**：2012-06-19_US8201739B_发明授权_US08201739B2 Biometric sensor with delay layer
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
根据对目标专利说明书和权利要求书，以及对比文件说明书的技术内容分析，现将技术特征比对结果总结如下表：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落编号或位置) | 公开性论述 |
| **A. 超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》** | [0020] "The acoustic detector array 55 may be constructed ... Such an assembly may be used as the ultrasonic detector array 55, and may be sensitive to and produce signals in response to pressure waves impinging on the detector array 55." <br> [0024] "... the reflected energy passes though the platen 51, through the generator 52 through the delay layer and toward the detector 55. Upon contacting the detector 55, the reflected energy may be detected by one of the hydrophones of the hydrophone array ..." | 对比文件明确公开了超声探测器阵列（ultrasonic detector array 55），其功能是检测从物体（如手指）反射并到达其表面的超声波能量（压力波）。这与目标专利中超声波接收器用于检测在第一表面接收的超声波能量的功能完全相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **B. 所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》** | [0020] "... an acoustic detector array 55 ... may be constructed with standard thin film transistor (TFT) techniques by applying an array of TFT elements to an insulating substrate 110, then applying an electrode array 90 that is in electrical contact with the inputs of the TFT elements 100." | 对比文件公开了探测器阵列（acoustic detector array 55）包含应用于绝缘衬底（insulating substrate 110）上的TFT元件阵列（array of TFT elements）。TFT元件阵列即构成了像素电路阵列的核心部分（每个TFT构成像素电路的一部分）。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **C. 其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》** | [0020] "... Over the electrode array, a piezoelectric film 80 may be applied ..." | 对比文件仅提及压电薄膜“可以施加（may be applied）”在电极阵列上。该描述是概括性的，并未具体公开是通过“将含有聚合物的溶液涂布”这一特定工艺来形成压电层。涂布溶液是目标专利中形成压电层的具体、关键的制造步骤，对比文件未公开此具体工艺。因此，技术特征C未被公开。 |
| **D. 所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《直接公开》** | [0020] "... an array of TFT elements applied to an insulating substrate 110, then applying an electrode array 90 that is in electrical contact with the inputs of the TFT elements 100." | 对比文件明确公开了阵列包含TFT元件（array of TFT elements），并且具有与这些TFT元件的输入端电接触的电极阵列（electrode array 90）。该电极阵列的每个电极即对应于每个像素电路的像素输入电极。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| **E. 使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》** | 未提及 | 对比文件未提及任何关于使聚合物结晶以形成结晶聚合物层的工艺或步骤。这是目标专利中制造压电层的核心步骤之一。因此，技术特征E未被公开。 |
| **F. 执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》** | 未提及 | 对比文件虽然提到了压电薄膜（piezoelectric film），但并未描述使其具有压电性的具体工艺，特别是没有提及对结晶聚合物层进行“成极（poling）”以及施加电场的过程。成极是赋予铁电聚合物压电性的关键步骤。因此，技术特征F未被公开。 |
| **G. 沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》** | [0020] "... a continuous electrode 70 may be over-coated on the piezoelectric film 80." | 对比文件公开了在压电薄膜（piezoelectric film 80）上覆涂了一个连续电极（continuous electrode 70）。根据上下文，该电极用于为整个压电层提供偏置，其功能与目标专利中沉积在压电层上、用于控制信号传递至TFT元件的“接收器偏置电极”相同。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **H. 其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《隐含公开》** | [0020] "... applying an electrode array 90 ..." | 对比文件公开了“施加电极阵列90（applying an electrode array 90）”。虽然未明确说明其材质，但根据本领域的公知常识，在TFT阵列上形成电极阵列通常采用导电薄膜（如ITO、金属等）的工艺（如沉积、图案化）。对比文件隐含了该电极阵列由导电薄膜形成。因此，技术特征H被对比文件隐含公开。 |
| **I. 其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》** | 未提及 | 对比文件未提及在施加压电层之前或过程中使用助粘剂。因此，技术特征I未被公开。 |
| **J. 其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》** | 未提及 | 对比文件仅概括性描述“施加（applied）”压电薄膜，未具体公开任何涂布溶液的方法，如旋涂等。因此，技术特征J未被公开。 |
| **K. 其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》** | [0007] "The piezoelectric film may be a polymeric or ceramic film exhibiting ferroelectric or piezoelectric properties. For example, the piezoelectric film may be PVDF, PVDF-TrFE copolymer, or PVDF-TFE copolymer." | 对比文件明确列举了压电薄膜可以是表现出铁电或压电特性的聚合物膜，例如PVDF及其共聚物（PVDF-TrFE, PVDF-TFE）。PVDF及其共聚物是典型的铁电聚合物。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **L. 其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》** | 未提及 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及通过特定温度下的焙烤使聚合物结晶的工艺。因此，技术特征L未被公开。 |
| **M. 其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》** | 未提及 | 对比文件未提及在制造过程中，为了进行成极等操作而将像素电路端子短路到接地的步骤。因此，技术特征M未被公开。 |
| **N. 其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》** | 未提及 | 对比文件未提及任何用于短路端子的导电材料，更未具体公开导电橡胶或导电墨水。因此，技术特征N未被公开。 |
| **O. 其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》** | [0020] "... a continuous electrode 70 may be over-coated on the piezoelectric film 80." | 对比文件仅提及“连续电极70”，未公开该电极具有多层结构，特别是未公开其包含第一铜子层和第二镍子层。因此，技术特征O未被公开。 |
| **P. 其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》** | 未提及 | 对比文件未公开接收器偏置电极的任何具体厚度参数。因此，技术特征P未被公开。 |
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