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对比文件列表
1997-06-10_None_发明专利_JPH09153646A Optical semiconductor device and manufacture of the same_+++A_B_F_Q_R_W_Y_c_p+++.docx
2026-07-22 17:35
1998-12-08_US5847507A_发明授权_US5847507A Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
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1999-09-28_None_发明专利_JPH11266036A Planar light source device and manufacture thereof_+++A_B_C_F_P_Q_R+++.docx
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2001-08-14_US6274924B_发明授权_US06274924B1 Surface mountable LED package_+++B_C_U_V_a_f_q_r+++.docx
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2001-10-04_US2001026011A_发明申请_US20010026011A1 Radiation emitter devices and method of making the same_+++A_B_C_F_R_p_q+++.docx
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2002-03-29_JP2002094129A_发明专利_JP2002094129A Optical device and apparatus using the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Z_x_y+++.docx
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2002-05-10_JP2002134794A_发明专利_JP2002134794A Optical device for optical element_+++A_B_C_F_Q_R_U_V+++.docx
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2002-06-27_US2002080615A_发明申请_US20020080615A1 LED collimation optics with improved performance and reduced size_+++A_B_C_F_G_H_I_M_P_R_o_q_t+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
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2002-10-11_JP2002299699A_发明专利_JP2002299699A Light-emitting device and method of manufacturing the same_+++R_V_b_c_f_g_p_q_t_u+++.docx
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2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx
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2002-11-22_JP2002335019A_发明专利_JP2002335019A Light emitting device_+++A_B_C_F_G_Q_R_U_V_W_X_Y_Z_p+++.docx
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2002-11-29_JP2002343123A_发明专利_JP2002343123A Led for light guide plate_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2002-11-29_JP2002344027A_发明专利_JP2002344027A Surface-mounted led_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2003-03-19_JP2003080537A_发明专利_JP2003080537A Mold for molding plastics and molding method_+++B_C_F_Q_W_Y_a_r+++.docx
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2003-04-25_JP2003124524A_发明专利_JP2003124524A High-flux led array_+++B_F_Q_R_U_V_W_X_a_c+++.docx
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2003-05-23_JP2003152227A_发明专利_JP2003152227A Means and method for correcting color of led_+++B_C_F_R_a_q+++.docx
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2003-07-04_JP2003188421A_发明专利_JP2003188421A Light emitter_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
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2003-12-25_US2003235050A_发明申请_US20030235050A1 SIDE EMITTING LED AND LENS_+++A_B_C_R_V_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_s_t_u+++.docx
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2004-01-20_US6679621B_发明授权_US06679621B2 Side emitting LED and lens_+++A_B_C_G_P_f_r+++.docx
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2004-04-15_US2004070990A_发明申请_US20040070990A1 LED illuminator and method of manufacture_+++A_B_C_F_P_R_W_Y_g+++.docx
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2004-05-06_US2004084681A_发明申请_US20040084681A1 Radiation emitter device having an integral micro-groove lens_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2004-05-11_US6734465B_发明授权_US06734465B1 Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting_+++B_C_F_Q_R_a_g_w+++.docx
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2004-08-12_JP2004228143A_发明专利_JP2004228143A Solid-state light source lighting device, projector, and optical apparatus_+++A_B_C_F_P_R_Y_w+++.docx
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2004-08-12_WO2004068182A_发明申请_WO2004068182A2 HIGH DENSITY ILLUMINATION SYSTEM_+++A_B_C_P_U_V_f_r_w_x+++.docx
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2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
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2004-10-14_JP2004288698A_发明专利_JP2004288698A Chip led_+++A_B_C_F_R_U_V_q+++.docx
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2004-10-21_JP2004532533A_发明专利_JP2004532533A Manufacturing method of optoelectronic components and optoelectronic element_+++A_B_C_F_Q_R_p+++.docx
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2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
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2004-11-11_JP2004319591A_发明专利_JP2004319591A Semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B_C_F_Q_R_W+++.docx
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2004-11-18_US2004227149A_发明申请_US20040227149A1 High powered light emitter packages with compact optics_+++A_B_C_R_a_f_o_q_t_u_v+++.docx
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2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
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2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source_+++a_b_c_f_g_q_r_t_w_y+++.docx
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2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_X_Z+++.docx
2026-07-22 17:36
JPS63283174A_Description_20260712_1509_+++B_C_Q_U_V_a_f_r+++.docx
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WO2004082036A1_Description_20260712_1509_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_p_z+++.docx
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2004-01-20_US6679621B_发明授权_US06679621B2 Side emitting LED and lens_+++A_B_C_G_P_f_r+++.docx

对比文件名称:2004-01-20_US6679621B_发明授权_US06679621B2 Side emitting LED and lens

目标专利名称:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

本次调用的模型名称:AI专利分析模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:其包括具有中心轴的LED电路小片<br>《直接公开》对比文件说明书第4栏第1-3行:“LED package 40 includes a longitudinal package axis 43”以及第4栏第12-13行:“LED chip 52 (a semiconductor chip having a light emitting pn junction)”。(中文翻译:LED封装40包括纵向封装轴线43;LED芯片52(具有发光pn结的半导体芯片))对比文件明确公开了LED封装具有纵向轴线43,且LED芯片52位于该轴线上,即LED电路小片具有中心轴。该特征在对比文件中用于定义光学对称轴,与目标专利中LED电路小片具有中心轴的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征已被直接公开。
技术特征B:相对于LED电路小片固定的透镜<br>《直接公开》对比文件说明书第4栏第4-6行:“Lens 44 is coupled to LED package base 42”以及第4栏第12-14行:“a surface of LED package base 42 supports an LED chip 52”。(中文翻译:透镜44耦合到LED封装基座42上;LED封装基座42的表面支撑LED芯片52)对比文件公开了透镜44通过耦合到基座42而固定,基座42上安装有LED芯片52,因此透镜相对于LED芯片是固定的。该固定关系与目标专利中透镜相对于LED电路小片固定完全相同,均用于保证光学系统的稳定性。因此直接公开。
技术特征C:该透镜使LED电路小片发出的光折射<br>《直接公开》对比文件说明书第4栏第30-33行:“Lens 44 includes a refractive portion 56 … The sawtooth portion 56 is designed to refract and bend light”。(中文翻译:透镜44包括折射部分56……锯齿部分56被设计成折射和弯曲光线)对比文件明确指出了透镜44具有折射部分,能够使LED芯片发出的光发生折射,从而改变光路。目标专利中透镜同样使光折射,二者作用完全一致。因此直接公开。
技术特征D:从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内<br>《未公开》对比文件说明书第4栏第36-38行:“light exits from lens 44 as close to 90 degrees to the longitudinal package axis 43 as possible”。(中文翻译:光从透镜44出射,尽可能接近与纵向封装轴线43成90度)对比文件的设计目标是使光从侧面出射,峰值强度方向为大致垂直于轴线(约90度),而非50-80度。虽然文中提及“approximately 80 degrees”是指反射面角度,并非出射光峰值角度。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出峰值强度出现在50-80度范围。因此未公开。
技术特征E:使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间<br>《未公开》对比文件说明书第4栏第44-46行:“approximately 33% of the light emitted from LED chip 52 is reflected off the TIR surface”。(中文翻译:来自LED芯片52的大约33%的光被TIR表面反射)对比文件仅公开了TIR表面反射的光比例,未涉及沿中心轴的强度与峰值强度的百分比关系,更未给出5%-33%的范围。本领域技术人员无法从该信息得出中心轴强度比例。因此未公开。
技术特征F:其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜<br>《隐含公开》对比文件说明书第4栏第17-20行:“There is a volume 54 between lens 44 and LED chip 52. Volume 54 may be filled and sealed to prevent contamination of LED 52 using silicone.”以及图5D及其说明:“FIG. 5D illustrates a cross-sectional view of a lens cap 55 mating to a conventional LED package 10 with a hemispherical lens 12”。(中文翻译:透镜44与LED芯片52之间存在体积54。体积54可用硅胶填充和密封以防止LED 52污染;图5D示出了透镜帽55与具有半球形透镜12的常规LED封装10配合的剖视图)对比文件第一部分公开了透镜44与芯片之间的体积54可用硅胶密封,但未明确该硅胶作为第一透镜。第二部分公开了透镜帽55与半球形透镜12组合,其中半球形透镜12在常规封装中起密封LED芯片的作用。虽然对比文件未明确将半球形透镜12定义为密封芯片的第一透镜,但本领域技术人员结合常规LED封装知识,可以合理推断透镜12密封了LED芯片,从而构成第一透镜。因此隐含公开。
技术特征G:围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜<br>《直接公开》对比文件图5D及其说明:“FIG. 5D illustrates a cross-sectional view of a lens cap 55 mating to a conventional LED package 10 with a hemispherical lens 12”。(中文翻译:图5D示出了透镜帽55与具有半球形透镜12的常规LED封装10配合的剖视图)对比文件明确公开了透镜帽55(辅透镜)与半球形透镜12(第一透镜)配合,透镜帽55围绕透镜12和其下方的LED芯片。该透镜帽55即相当于目标专利中的辅透镜,其作用为改变光路。因此直接公开。
技术特征H:该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分<br>《未公开》对比文件说明书第5栏第18-20行:“Lens cap 55 may be affixed to lens 12 by an optical adhesive”。(中文翻译:透镜帽55可通过光学粘合剂附着到透镜12上)对比文件描述透镜帽55与透镜12之间使用光学粘合剂,未形成空气间隙。虽然体积54可以是空气,但其位于芯片与透镜44之间,而非第一透镜与辅透镜之间。因此未公开。
技术特征I:该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面<br>《未公开》无相关原文。对比文件未公开位于第一透镜与辅透镜之间的空气间隙,更未公开该间隙产生的折射界面能使光远离中心轴弯曲。因此未公开。
技术特征J:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内<br>《未公开》同特征D,对比文件出射光方向为约90度。对比文件未公开峰值强度在70-80度范围,其设计目标是90度侧发射。因此未公开。
技术特征K:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内<br>《未公开》同特征J。同上。
技术特征L:沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%<br>《未公开》无相关数值。对比文件未提供沿中心轴强度与峰值强度的比例,更未给出5-15%的具体范围。因此未公开。
技术特征M:其中该辅透镜包括非球面外表面<br>《未公开》对比文件描述透镜帽55有“refractive portion 56”和“funnel portion 58”,但未明确表面形状为非球面。(说明书第4-5栏)对比文件虽提及透镜表面为曲线,但未明确其为非球面。本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出辅透镜外表面为非球面。因此未公开。
技术特征N:和非球面圆顶形内表面<br>《未公开》无相关描述。对比文件未公开辅透镜内表面为非球面圆顶形。因此未公开。
技术特征O:其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面<br>《未公开》对比文件说明书第4栏第36-39行:“total internal reflection (TIR) funnel portion 58”。(中文翻译:全内反射漏斗部分58)对比文件中的TIR部分58位于透镜内表面(漏斗形内表面),而非外表面。特征O要求辅透镜外表面具有TIR部分,对比文件未公开此结构。因此未公开。
技术特征P:其中该第一透镜为半球形<br>《直接公开》对比文件图5D及其说明:“conventional LED package 10 with a hemispherical lens 12”。(中文翻译:具有半球形透镜12的常规LED封装10)对比文件明确公开了第一透镜(透镜12)为半球形,与目标专利第一透镜为半球形完全相同。因此直接公开。
技术特征Q:其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜<br>《未公开》对比文件说明书第4栏第49-51行:“lens 44 may be formed onto LED package base 42 and LED chip 52 by injection molding”。(中文翻译:透镜44可通过注塑成型形成在LED封装基座42和LED芯片52上)对比文件公开的是整体透镜44直接模制在芯片上,但该透镜44并非第一透镜(在透镜帽实施例中第一透镜12为常规透镜,非直接模制)。因此未公开第一透镜直接模制在LED电路小片上。
技术特征R:密封了该LED电路小片<br>《隐含公开》对比文件说明书第4栏第17-20行:“Volume 54 may be filled and sealed to prevent contamination of LED 52 using silicone”。(中文翻译:体积54可用硅胶填充和密封以防止LED 52污染)以及图5D实施例中半球形透镜12在常规封装中通常密封芯片。对比文件公开了体积54填充硅胶密封芯片,但未明确第一透镜密封芯片。然而,在透镜帽实施例中,第一透镜12作为常规封装的一部分,本领域技术人员可以合理推断其密封了LED芯片。因此隐含公开。
技术特征S:其中该间隙为圆顶形空气间隙<br>《未公开》无相关形状描述。对比文件未公开第一透镜与辅透镜之间的空气间隙,更未公开其为圆顶形。因此未公开。
技术特征T:其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料<br>《未公开》对比文件说明书第4栏第23-28行:“Lens 44 is made of a transparent material, including but not limited to cyclic olefin copolymer (COC) …”以及“Volume 54 may be filled … using silicone”。(中文翻译:透镜44由透明材料制成,包括但不限于环烯烃共聚物等;体积54可用硅胶填充)对比文件公开透镜44可由塑料制成,体积54可填充硅胶,但硅胶并非第一透镜,且未明确第一透镜材质为硅树脂。因此未公开。
技术特征U:进一步包括次级载具<br>《未公开》对比文件有LED封装基座42,但未明确为次级载具。(说明书第4栏)对比文件仅公开了基座42,该基座可视为初级载具,但未公开次级载具的概念。因此未公开。
技术特征V:其上安装了LED电路小片<br>《未公开》对比文件公开LED芯片52安装在基座42上,但基座并非次级载具。(说明书第4栏第12-14行)由于特征U未公开,特征V中的“其上”指代次级载具,故该特征也未公开。若单独考虑载体安装芯片,对比文件公开的基座安装芯片并非次级载具,因此仍不构成公开。
技术特征W:印刷电路板<br>《未公开》无相关原文。对比文件未提及印刷电路板。因此未公开。
技术特征X:其上安装了次级载具<br>《未公开》无相关原文。对比文件未公开次级载具安装在印刷电路板上。因此未公开。
技术特征Y:其中该透镜直接接触该印刷电路板<br>《未公开》无相关原文。对比文件未公开透镜直接接触印刷电路板。因此未公开。
技术特征Z:围绕该次级载具<br>《未公开》无相关原文。对比文件未公开透镜围绕次级载具。因此未公开。

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