返回项目页面
对比文件列表
1997-06-10_None_发明专利_JPH09153646A Optical semiconductor device and manufacture of the same_+++A_B_F_Q_R_W_Y_c_p+++.docx
2026-07-22 17:35
1998-12-08_US5847507A_发明授权_US5847507A Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
2026-07-22 17:35
1999-09-28_None_发明专利_JPH11266036A Planar light source device and manufacture thereof_+++A_B_C_F_P_Q_R+++.docx
2026-07-22 17:35
2001-08-14_US6274924B_发明授权_US06274924B1 Surface mountable LED package_+++B_C_U_V_a_f_q_r+++.docx
2026-07-22 17:35
2001-10-04_US2001026011A_发明申请_US20010026011A1 Radiation emitter devices and method of making the same_+++A_B_C_F_R_p_q+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-03-29_JP2002094129A_发明专利_JP2002094129A Optical device and apparatus using the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Z_x_y+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-05-10_JP2002134794A_发明专利_JP2002134794A Optical device for optical element_+++A_B_C_F_Q_R_U_V+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-06-27_US2002080615A_发明申请_US20020080615A1 LED collimation optics with improved performance and reduced size_+++A_B_C_F_G_H_I_M_P_R_o_q_t+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-10-11_JP2002299699A_发明专利_JP2002299699A Light-emitting device and method of manufacturing the same_+++R_V_b_c_f_g_p_q_t_u+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-11-22_JP2002335019A_发明专利_JP2002335019A Light emitting device_+++A_B_C_F_G_Q_R_U_V_W_X_Y_Z_p+++.docx
2026-07-22 17:36
2002-11-29_JP2002343123A_发明专利_JP2002343123A Led for light guide plate_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
2026-07-22 17:36
2002-11-29_JP2002344027A_发明专利_JP2002344027A Surface-mounted led_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-03-19_JP2003080537A_发明专利_JP2003080537A Mold for molding plastics and molding method_+++B_C_F_Q_W_Y_a_r+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-04-25_JP2003124524A_发明专利_JP2003124524A High-flux led array_+++B_F_Q_R_U_V_W_X_a_c+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-05-23_JP2003152227A_发明专利_JP2003152227A Means and method for correcting color of led_+++B_C_F_R_a_q+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-07-04_JP2003188421A_发明专利_JP2003188421A Light emitter_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-12-25_US2003235050A_发明申请_US20030235050A1 SIDE EMITTING LED AND LENS_+++A_B_C_R_V_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_s_t_u+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-01-20_US6679621B_发明授权_US06679621B2 Side emitting LED and lens_+++A_B_C_G_P_f_r+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-04-15_US2004070990A_发明申请_US20040070990A1 LED illuminator and method of manufacture_+++A_B_C_F_P_R_W_Y_g+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-05-06_US2004084681A_发明申请_US20040084681A1 Radiation emitter device having an integral micro-groove lens_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-05-11_US6734465B_发明授权_US06734465B1 Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting_+++B_C_F_Q_R_a_g_w+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-08-12_JP2004228143A_发明专利_JP2004228143A Solid-state light source lighting device, projector, and optical apparatus_+++A_B_C_F_P_R_Y_w+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-08-12_WO2004068182A_发明申请_WO2004068182A2 HIGH DENSITY ILLUMINATION SYSTEM_+++A_B_C_P_U_V_f_r_w_x+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-10-14_JP2004288698A_发明专利_JP2004288698A Chip led_+++A_B_C_F_R_U_V_q+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-10-21_JP2004532533A_发明专利_JP2004532533A Manufacturing method of optoelectronic components and optoelectronic element_+++A_B_C_F_Q_R_p+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-11-11_JP2004319591A_发明专利_JP2004319591A Semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B_C_F_Q_R_W+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-11-18_US2004227149A_发明申请_US20040227149A1 High powered light emitter packages with compact optics_+++A_B_C_R_a_f_o_q_t_u_v+++.docx
2026-07-22 17:36
2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
2026-07-22 17:36
2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source_+++a_b_c_f_g_q_r_t_w_y+++.docx
2026-07-22 17:36
2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_X_Z+++.docx
2026-07-22 17:36
JPS63283174A_Description_20260712_1509_+++B_C_Q_U_V_a_f_r+++.docx
2026-07-22 17:36
WO2004082036A1_Description_20260712_1509_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_p_z+++.docx
2026-07-22 17:36
JPS63283174A_Description_20260712_1509_+++B_C_Q_U_V_a_f_r+++.docx

对比文件名称:JPS63283174A_Description_20260712_1509

目标专利名称:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

本次调用的模型名称:AI模型(例如:OpenAI GPT-4)

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:其包括具有中心轴的LED电路小片(隐含公开)[0001]:“如图1所示,在发光二极管芯片的发光面上部注入成型用透明树脂构成菲涅尔透镜。”其中提及“发光二极管芯片”。对比文件公开了LED芯片,但未明确提及“中心轴”。然而,LED芯片通常具有几何对称中心轴,本领域技术人员在阅读对比文件时能够认识到芯片存在中心轴,因此该特征被隐含公开。
技术特征B:相对于LED电路小片固定的透镜(直接公开)[0001]:“在发光二极管芯片的发光面上部注入成型用透明树脂构成菲涅尔透镜。”透镜直接形成在芯片上。对比文件公开了透镜直接形成在芯片发光面上,即透镜相对于芯片固定,因此该特征被直接公开。
技术特征C:该透镜使LED电路小片发出的光折射(直接公开)[0001]:构成菲涅尔透镜,菲涅尔透镜具有折射光线的功能。对比文件采用菲涅尔透镜,任何透镜均对光线具有折射作用,因此该特征被直接公开。
技术特征D:从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件旨在获得中心单一发光图案,其峰值强度位于中心轴附近,未提及偏离中心轴50-80度,也未具有相应结构实现该角度范围,故未公开。
技术特征E:使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件未涉及中心轴方向的强度比例,也未公开任何数值范围,故未公开。
技术特征F:其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜(隐含公开)[0001]:“在芯片12上形成环形坝14,注入紫外光硬化树脂15,用透明模16压制成菲涅尔透镜15a。”透镜覆盖芯片。对比文件中将透镜直接模制在芯片上,透镜覆盖芯片发光面,客观上起到密封作用,但未明确提及“密封”一词。本领域技术人员可合理推断透镜具有密封效果,故隐含公开。
技术特征G:围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件仅具有单个透镜(菲涅尔透镜),没有任何围绕第一透镜和芯片的辅透镜,故未公开。
技术特征H:该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件无辅透镜,更无空气间隙,故未公开。
技术特征I:该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件无间隙,无使光远离中心轴的折射界面,故未公开。
技术特征J:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内(未公开)对比文件未记载相关内容。同特征D,对比文件未公开任何偏离中心轴的角度范围,故未公开。
技术特征K:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内(未公开)对比文件未记载相关内容。同特征J,未公开。
技术特征L:沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件未公开中心轴强度比例,故未公开。
技术特征M:其中该辅透镜包括非球面外表面(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件无辅透镜,故未公开。
技术特征N:和非球面圆顶形内表面(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件无辅透镜,故未公开。
技术特征O:其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件无辅透镜,无TIR结构,故未公开。
技术特征P:其中该第一透镜为半球形(未公开)[0001]背景技术中提到“半球状の樹脂製レンズ3”,但本发明采用菲涅尔透镜,非半球形。对比文件的本发明方案中透镜为菲涅尔透镜,并非半球形,背景技术中半球形透镜属于现有技术,并非本发明的技术特征,故未公开。
技术特征Q:其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜(直接公开)[0001]:“在芯片12上形成环形坝14,注入紫外光硬化树脂15,用透明模16压制成菲涅尔透镜15a。”透镜直接在芯片上模制。对比文件明确描述了透镜通过注入树脂并模制直接在芯片上形成,因此该特征被直接公开。
技术特征R:密封了该LED电路小片(隐含公开)同特征F引用。同特征F论述,透镜模制在芯片上起到密封作用,故隐含公开。
技术特征S:其中该间隙为圆顶形空气间隙(未公开)对比文件未记载相关内容。对比文件无间隙,故未公开。
技术特征T:其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料(未公开)对比文件使用“紫外線硬化樹脂”(紫外光硬化树脂),未提及硅树脂;辅透镜不存在。对比文件未公开第一透镜材质为硅树脂,也未公开任何辅透镜,故未公开。
技术特征U:进一步包括次级载具(直接公开)[0001]:“基板11上に電極を介して取付けられている二層の発光ダイオードチップ12”翻译:“安装在基板11上的双层发光二极管芯片12”。对比文件明确公开了基板11,基板用于承载LED芯片,即相当于次级载具,因此该特征被直接公开。
技术特征V:其上安装了LED电路小片(直接公开)同上引用。对比文件公开了芯片安装在基板11上,即次级载具上安装了LED电路小片,因此被直接公开。
技术特征W:印刷电路板(未公开)对比文件未记载印刷电路板。对比文件仅提及基板,未涉及印刷电路板,故未公开。
技术特征X:其上安装了次级载具(未公开)对比文件未记载印刷电路板上安装次级载具。对比文件未公开印刷电路板,也未公开次级载具安装在印刷电路板上,故未公开。
技术特征Y:其中该透镜直接接触该印刷电路板(未公开)对比文件未记载透镜接触印刷电路板。对比文件透镜仅接触芯片,未接触印刷电路板,故未公开。
技术特征Z:围绕该次级载具(未公开)对比文件未记载透镜围绕次级载具。对比文件透镜覆盖芯片,未覆盖或围绕基板(次级载具),故未公开。

<<<B>>><<<C>>><<<Q>>><<<U>>><<<V>>><<<a>>><<<f>>><<<r>>>

权利要求与技术特征
Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE