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对比文件列表
1997-06-10_None_发明专利_JPH09153646A Optical semiconductor device and manufacture of the same_+++A_B_F_Q_R_W_Y_c_p+++.docx
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1998-12-08_US5847507A_发明授权_US5847507A Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
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1999-09-28_None_发明专利_JPH11266036A Planar light source device and manufacture thereof_+++A_B_C_F_P_Q_R+++.docx
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2001-02-09_JP2001036150A_发明专利_JP2001036150A Light emitting diode_+++B_C_R_W_Y_a_q+++.docx
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2001-08-14_US6274924B_发明授权_US06274924B1 Surface mountable LED package_+++B_C_U_V_a_f_q_r+++.docx
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2001-10-04_US2001026011A_发明申请_US20010026011A1 Radiation emitter devices and method of making the same_+++A_B_C_F_R_p_q+++.docx
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2002-03-29_JP2002094129A_发明专利_JP2002094129A Optical device and apparatus using the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Z_x_y+++.docx
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2002-05-10_JP2002134794A_发明专利_JP2002134794A Optical device for optical element_+++A_B_C_F_Q_R_U_V+++.docx
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2002-06-27_US2002080615A_发明申请_US20020080615A1 LED collimation optics with improved performance and reduced size_+++A_B_C_F_G_H_I_M_P_R_o_q_t+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
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2002-10-03_US2002141006A_发明申请_US20020141006A1 Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction_+++B_C_Q_a+++.docx
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2002-10-11_JP2002299699A_发明专利_JP2002299699A Light-emitting device and method of manufacturing the same_+++R_V_b_c_f_g_p_q_t_u+++.docx
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2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx
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2002-11-22_JP2002335019A_发明专利_JP2002335019A Light emitting device_+++A_B_C_F_G_Q_R_U_V_W_X_Y_Z_p+++.docx
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2002-11-29_JP2002343123A_发明专利_JP2002343123A Led for light guide plate_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2002-11-29_JP2002344027A_发明专利_JP2002344027A Surface-mounted led_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2003-03-19_JP2003080537A_发明专利_JP2003080537A Mold for molding plastics and molding method_+++B_C_F_Q_W_Y_a_r+++.docx
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2003-04-25_JP2003124524A_发明专利_JP2003124524A High-flux led array_+++B_F_Q_R_U_V_W_X_a_c+++.docx
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2003-05-23_JP2003152227A_发明专利_JP2003152227A Means and method for correcting color of led_+++B_C_F_R_a_q+++.docx
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2003-07-04_JP2003188421A_发明专利_JP2003188421A Light emitter_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
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2003-11-25_US6653157B_发明授权_US06653157B2 Manufacturing method for device including function block, and light transmitting device_+++B_C_Q_a+++.docx
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2003-12-25_US2003235050A_发明申请_US20030235050A1 SIDE EMITTING LED AND LENS_+++A_B_C_R_V_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_s_t_u+++.docx
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2004-05-06_US2004084681A_发明申请_US20040084681A1 Radiation emitter device having an integral micro-groove lens_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2004-05-11_US6734465B_发明授权_US06734465B1 Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting_+++B_C_F_Q_R_a_g_w+++.docx
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2004-09-22_EP1460738A_发明公开_EP1460738A2 Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices_+++A_C_b_q+++.docx
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2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
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2004-10-14_JP2004288698A_发明专利_JP2004288698A Chip led_+++A_B_C_F_R_U_V_q+++.docx
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2004-10-21_JP2004532533A_发明专利_JP2004532533A Manufacturing method of optoelectronic components and optoelectronic element_+++A_B_C_F_Q_R_p+++.docx
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2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
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2004-11-11_JP2004319591A_发明专利_JP2004319591A Semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B_C_F_Q_R_W+++.docx
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2004-11-18_US2004227149A_发明申请_US20040227149A1 High powered light emitter packages with compact optics_+++A_B_C_R_a_f_o_q_t_u_v+++.docx
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2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
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2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source_+++a_b_c_f_g_q_r_t_w_y+++.docx
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2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_X_Z+++.docx
2026-07-22 17:36
JP2002317048A_Description_20260712_1511_+++R_a_b_c_q_t_w+++.docx
2026-07-22 17:36
JPS63283174A_Description_20260712_1509_+++B_C_Q_U_V_a_f_r+++.docx
2026-07-22 17:36
WO2004082036A1_Description_20260712_1509_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_p_z+++.docx
2026-07-22 17:36
2002-11-29_JP2002344027A_发明专利_JP2002344027A Surface-mounted led_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx

对比文件名称:2002-11-29_JP2002344027A_发明专利_JP2002344027A Surface-mounted led

目标专利名称:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

本次调用的模型名称:DeepSeek Chat

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:其包括具有中心轴的LED电路小片(直接公开)[0022]:“…チップ基板12上に搭載されたLEDチップ13…”;[0026]:“凹部14aは、その中心軸がLEDチップ13からチップ基板12に対して垂直な光軸とほぼ一致するように配置されている。” 译文:LED芯片13搭载在芯片基板12上;凹部14a的中心轴配置为与LED芯片垂直于芯片基板的光轴大致一致。对比文件明确公开了LED芯片(LED电路小片),并公开了其光轴(中心轴),因此技术特征A被直接公开。
技术特征B:相对于LED电路小片固定的透镜(直接公开)[0022]:“…LEDチップ13そしてチップ基板12の表面全体を覆うように形成されたレンズ部14…” 译文:透镜部分14形成为覆盖LED芯片13和芯片基板12的整个表面。透镜部分14覆盖并固定于LED芯片和芯片基板,相对于LED芯片固定,因此技术特征B被直接公开。
技术特征C:该透镜使LED电路小片发出的光折射(直接公开)[0030]:“レンズ部14の側面14bに入射する光L2は、…側面14bを通過する際に、やや下向きに屈折されることにより、レンズ部14の側面14bからほぼ水平に出射する。” 译文:入射到侧面14b的光L2,通过侧面时稍向下折射,从侧面大致水平出射。对比文件明确描述了透镜侧面使光折射,因此技术特征C被直接公开。
技术特征D:从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内(未公开)无直接引用。对比文件[0032]提到“ほぼ180度の広い指向性を有することになり、特に横方向への光量が多くなる”,即大约180度宽指向性,横向光量多。对比文件未给出峰值强度的具体角度范围,本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出峰值强度在50-80度范围内,也不能合理推断出该具体范围。因此未公开。
技术特征E:使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间(未公开)无直接引用。对比文件没有公开中心轴强度与峰值强度的相对比例,未公开。
技术特征F:其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜(直接公开)[0004]:“レンズ部4は、透明または半透明材料…から構成されており…LEDチップ3からの光を透過させることにより、発光部として作用する。” [0022]:“…LEDチップ13そしてチップ基板12の表面全体を覆うように形成されたレンズ部14…”对比文件的透镜部分覆盖并密封LED芯片,充当第一透镜的作用,因此技术特征F被直接公开。
技术特征G:围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜(未公开)对比文件仅有一个透镜部分,没有公开任何辅透镜。对比文件没有公开辅透镜,因此未公开。
技术特征H:该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分(未公开)对比文件没有辅透镜,也没有空气间隙。未公开。
技术特征I:该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面(未公开)对比文件没有间隙。未公开。
技术特征J:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内(未公开)同特征D。对比文件未公开具体角度范围,未公开。
技术特征K:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内(未公开)同特征J。未公开。
技术特征L:沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%(未公开)无引用。未公开。
技术特征M:其中该辅透镜包括非球面外表面(未公开)对比文件透镜侧面为球面或锥台,未提及非球面。未公开。
技术特征N:和非球面圆顶形内表面(未公开)对比文件没有辅透镜内表面概念。未公开。
技术特征O:其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面(未公开)对比文件没有TIR部分。未公开。
技术特征P:其中该第一透镜为半球形(未公开)对比文件透镜部分具有凹部,不是半球形。未公开。
技术特征Q:其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜(直接公开)[0004]:“レンズ部4は、…トランスファーモールド工法により成形される。” [0022]:“レンズ部14は、LEDチップ13そしてチップ基板12の表面全体を覆うように形成された。”透镜部分通过转移模塑直接模制在LED芯片和基板上,因此技术特征Q被直接公开。
技术特征R:密封了该LED电路小片(直接公开)同[0022],透镜部分覆盖LED芯片,形成密封。透镜部分覆盖LED芯片,实现密封,因此技术特征R被直接公开。
技术特征S:其中该间隙为圆顶形空气间隙(未公开)对比文件没有间隙。未公开。
技术特征T:其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料(未公开)对比文件透镜材料为热塑性树脂或环氧树脂,未提及硅树脂。未公开。
技术特征U:进一步包括次级载具(直接公开)[0022]:“チップ基板12”作为安装LED芯片的载体。芯片基板12相当于次级载具,用于安装LED芯片,然后安装在实装基板上,因此技术特征U被直接公开。
技术特征V:其上安装了LED电路小片(直接公开)[0022]:“チップ基板12上に搭載されたLEDチップ13”LED芯片安装在芯片基板上,因此技术特征V被直接公开。
技术特征W:印刷电路板(直接公开)[0022]:“実装基板11”实装基板11相当于印刷电路板,因此技术特征W被直接公开。
技术特征X:其上安装了次级载具(直接公开)[0022]:“実装基板11上に載置されるべきチップ基板12”芯片基板(次级载具)安装在实装基板(印刷电路板)上,因此技术特征X被直接公开。
技术特征Y:其中该透镜直接接触该印刷电路板(未公开)对比文件未明确透镜部分是否直接接触实装基板。对比文件透镜部分覆盖芯片基板,芯片基板放置在实装基板上,透镜部分通常不直接接触实装基板,无公开。
技术特征Z:围绕该次级载具(未公开)对比文件未描述透镜围绕次级载具。对比文件透镜部分覆盖芯片基板表面,但未明确围绕整个次级载具,未公开。

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