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对比文件列表
1997-06-10_None_发明专利_JPH09153646A Optical semiconductor device and manufacture of the same_+++A_B_F_Q_R_W_Y_c_p+++.docx
2026-07-22 17:35
1998-12-08_US5847507A_发明授权_US5847507A Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
2026-07-22 17:35
1999-09-28_None_发明专利_JPH11266036A Planar light source device and manufacture thereof_+++A_B_C_F_P_Q_R+++.docx
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2001-02-09_JP2001036150A_发明专利_JP2001036150A Light emitting diode_+++B_C_R_W_Y_a_q+++.docx
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2001-08-14_US6274924B_发明授权_US06274924B1 Surface mountable LED package_+++B_C_U_V_a_f_q_r+++.docx
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2001-10-04_US2001026011A_发明申请_US20010026011A1 Radiation emitter devices and method of making the same_+++A_B_C_F_R_p_q+++.docx
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2002-03-29_JP2002094129A_发明专利_JP2002094129A Optical device and apparatus using the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Z_x_y+++.docx
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2002-05-10_JP2002134794A_发明专利_JP2002134794A Optical device for optical element_+++A_B_C_F_Q_R_U_V+++.docx
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2002-06-27_US2002080615A_发明申请_US20020080615A1 LED collimation optics with improved performance and reduced size_+++A_B_C_F_G_H_I_M_P_R_o_q_t+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
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2002-10-03_US2002141006A_发明申请_US20020141006A1 Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction_+++B_C_Q_a+++.docx
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2002-10-11_JP2002299699A_发明专利_JP2002299699A Light-emitting device and method of manufacturing the same_+++R_V_b_c_f_g_p_q_t_u+++.docx
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2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx
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2002-11-22_JP2002335019A_发明专利_JP2002335019A Light emitting device_+++A_B_C_F_G_Q_R_U_V_W_X_Y_Z_p+++.docx
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2002-11-29_JP2002343123A_发明专利_JP2002343123A Led for light guide plate_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2002-11-29_JP2002344027A_发明专利_JP2002344027A Surface-mounted led_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2003-03-19_JP2003080537A_发明专利_JP2003080537A Mold for molding plastics and molding method_+++B_C_F_Q_W_Y_a_r+++.docx
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2003-04-25_JP2003124524A_发明专利_JP2003124524A High-flux led array_+++B_F_Q_R_U_V_W_X_a_c+++.docx
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2003-05-23_JP2003152227A_发明专利_JP2003152227A Means and method for correcting color of led_+++B_C_F_R_a_q+++.docx
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2003-07-04_JP2003188421A_发明专利_JP2003188421A Light emitter_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
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2003-11-25_US6653157B_发明授权_US06653157B2 Manufacturing method for device including function block, and light transmitting device_+++B_C_Q_a+++.docx
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2003-12-25_US2003235050A_发明申请_US20030235050A1 SIDE EMITTING LED AND LENS_+++A_B_C_R_V_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_s_t_u+++.docx
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2004-05-06_US2004084681A_发明申请_US20040084681A1 Radiation emitter device having an integral micro-groove lens_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-05-11_US6734465B_发明授权_US06734465B1 Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting_+++B_C_F_Q_R_a_g_w+++.docx
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2004-09-22_EP1460738A_发明公开_EP1460738A2 Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices_+++A_C_b_q+++.docx
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2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
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2004-10-14_JP2004288698A_发明专利_JP2004288698A Chip led_+++A_B_C_F_R_U_V_q+++.docx
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2004-10-21_JP2004532533A_发明专利_JP2004532533A Manufacturing method of optoelectronic components and optoelectronic element_+++A_B_C_F_Q_R_p+++.docx
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2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
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2004-11-11_JP2004319591A_发明专利_JP2004319591A Semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B_C_F_Q_R_W+++.docx
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2004-11-18_US2004227149A_发明申请_US20040227149A1 High powered light emitter packages with compact optics_+++A_B_C_R_a_f_o_q_t_u_v+++.docx
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2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
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2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source_+++a_b_c_f_g_q_r_t_w_y+++.docx
2026-07-22 17:36
2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_X_Z+++.docx
2026-07-22 17:36
JP2002317048A_Description_20260712_1511_+++R_a_b_c_q_t_w+++.docx
2026-07-22 17:36
JPS63283174A_Description_20260712_1509_+++B_C_Q_U_V_a_f_r+++.docx
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WO2004082036A1_Description_20260712_1509_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_p_z+++.docx
2026-07-22 17:36
2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source_+++a_b_c_f_g_q_r_t_w_y+++.docx

好的,作为一名资深专利代理师,我将严格遵循您的指示,对目标专利与对比文件进行逐一特征比对,并给出严谨的公开性判断。

**对比文件名称:** 2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source

**目标专利名称:** 1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

**本次调用的模型名称:** 无(请在实际调用时填写)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:** 其包括具有中心轴的LED电路小片 <br> **《隐含公开》**原文:[0008] “...リードフレームであるマウント・リード1のカップ内にLEDチップ2をマウントし...” <br> 译文:[0008] “...将LED芯片2安装在作为引线框架的安装引线1的杯内...”对比文件公开了“LED芯片2”(即LED电路小片)。在任何LED光源中,LED芯片本身即具有一个几何中心轴(通常为光轴方向),这是本领域的公知常识。对比文件虽然未明确提及“中心轴”这一术语,但LED芯片作为发光元件,其对称结构必然隐含了中心轴这一概念。因此,对比文件隐含公开了技术特征A。
**技术特征B:** 相对于LED电路小片固定的透镜 <br> **《隐含公开》**原文:[0013] “...樹脂300は、透光性の樹脂により成り、...”以及[0014] “...樹脂300は、基板100の上方に向けて盛り上がる凸レンズ状に形成される。” <br> 译文:[0013] “...树脂300由透光性树脂构成...”以及[0014] “...树脂300形成为朝向基板100上方凸起的凸透镜状。”对比文件公开了位于LED芯片前方的“树脂300”,并明确该树脂被形成为“凸透镜状”。此透镜状树脂是相对于LED芯片固定的(通过填充在基板的凹陷内)。尽管其材料为树脂,但其结构功能即为透镜,相对于LED芯片固定。因此,对比文件隐含公开了技术特征B。
**技术特征C:** 该透镜使LED电路小片发出的光折射 <br> **《隐含公开》**原文:[0014] “...樹脂300は、基板100の上方に向けて盛り上がる凸レンズ状に形成される。” <br> 译文:[0014] “...树脂300形成为朝向基板100上方凸起的凸透镜状。”透镜的基本功能即是折射光线。对比文件公开了LED芯片前方的“凸透镜状”树脂,本领域技术人员根据其“凸透镜状”的结构可以毫无疑义地确定其作用是对LED芯片发出的光进行折射,从而实现聚光或其他光学分布。因此,该透镜具有折射光的功能是隐含公开的。
**技术特征D:** 从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内 <br> **《无公开》**无相关描述。对比文件通篇未提及任何关于光强分布角度(如峰值强度偏离中心轴的角度范围)的具体参数或教导。其目的在于提供一种便于更换透镜、寿命长的照明光源,并未对配光曲线的具体形状进行限定。因此,技术特征D既未被直接公开,也无法从对比文件内容中合理推断。
**技术特征E:** 使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间 <br> **《无公开》**无相关描述。对比文件未公开任何关于中心轴光强与峰值光强比例关系的参数。技术特征E涉及具体的数值范围,这种特定的光学性能指标在对比文件中完全没有提及。因此,技术特征E既未被直接公开,也无法从对比文件内容中合理推断。
**技术特征F:** 其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜 <br> **《隐含公开》**原文:[0013] “...樹脂300は、透光性の樹脂により成り、半導体発光素子200からの青色系の光を吸収して黄色系の光を発する蛍光体(図示せず)を分散保持し、基板100の各窪みCavに充填されている。” <br> 译文:[0013] “...树脂300由透光性树脂构成,分散保持有吸收来自半导体发光元件200的蓝色光并发出黄色光的荧光体(未图示),并填充在基板100的各凹坑Cav中。”对比文件中的“树脂300”直接填充在容纳LED芯片的凹坑中,并覆盖LED芯片,起到了密封和封装LED芯片的作用。在目标专利中,第一透镜的作用是密封LED芯片。对比文件中的树脂300虽然包含荧光体,但其结构上覆盖LED芯片,隐含了其密封LED芯片的功能。因此,该树脂300可视为一种密封LED芯片的透镜结构,隐含公开了技术特征F。
**技术特征G:** 围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜 <br> **《隐含公开》**原文:[0060] “...樹脂309b,309cは、図14(b)に示すように予め一体に形成され、基板102の各窪みに個別に設けられる。”及其后描述:“樹脂309cと同形状のガラス部材を使用し、このガラス部材と樹脂309bとを予め一体に形成するようにしてもよい。” <br> 译文:[0060] “...树脂309b、309c如图14(b)所示预先一体形成,并分别设置在基板102的各凹坑中。”及其后描述:“也可以使用与树脂309c相同形状的玻璃部件,将该玻璃部件与树脂309b预先一体形成。”对比文件的第13实施例公开了由多层树脂(309a, 309b, 309c)构成的结构,其中树脂309c可以被替换为“玻璃部件”(即透镜体)。该部分(309b/309c或玻璃部件/309b)设置在填充于凹坑的树脂309a(相当于第一透镜)之上,并围绕其构成的区域。虽然对比文件未明确使用“辅透镜”一词,但该结构在功能上相当于围绕第一透镜和LED芯片的辅透镜。因此,技术特征G被隐含公开。
**技术特征H:** 该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分 <br> **《无公开》**无相关描述。对比文件中的透镜结构均为实心树脂填充,如[0060]中描述的树脂309a填充整个凹坑,树脂309b、309c一体化形成并直接叠放在树脂309a上。无论何种实施例,均未公开或暗示在透镜之间存在用于形成折射界面的“空气间隙”或“中空部分”。相反,对比文件中的层与层之间是紧密接触的。因此,技术特征H没有公开。
**技术特征I:** 该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面 <br> **《无公开》**无相关描述。由于技术特征H(空气间隙)未被公开,因此依赖于该间隙所实现的功能(使光远离中心轴弯曲的折射界面)也自然未被公开。对比文件未描述任何通过空气-树脂界面来实现特定光路控制的技术方案。因此,技术特征I没有公开。
**技术特征J:** 其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内 <br> **《无公开》**无相关描述。同技术特征D的论述。对比文件未公开任何关于峰值强度角度的具体数值范围。因此,技术特征J既未被直接公开,也无法从对比文件内容中合理推断。
**技术特征K:** 其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内 <br> **《无公开》**无相关描述。同技术特征J,此特征重复出现。对比文件未公开任何关于峰值强度角度的具体数值范围。因此,技术特征K没有公开。
**技术特征L:** 沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15% <br> **《无公开》**无相关描述。同技术特征E的论述。对比文件未公开任何关于中心轴光强与峰值光强比例关系的参数。因此,技术特征L没有公开。
**技术特征M:** 其中该辅透镜包括非球面外表面 <br> **《无公开》**无相关描述。对比文件仅提及“凸透镜状”或“球面状”等一般性描述,或者使用“玻璃部材”这类未限定具体形状的术语。其并未明确公开透镜表面是“非球面”的。虽然“非球面”是常用技术,但对比文件未提及,因此不能认为其直接或隐含公开了该技术特征。
**技术特征N:** 和非球面圆顶形内表面 <br> **《无公开》**无相关描述。对比文件未公开任何关于透镜内表面(即朝向LED芯片的表面)的具体形状,特别是“非球面圆顶形”这一特定组合。因此,技术特征N没有公开。
**技术特征O:** 其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面 <br> **《无公开》**无相关描述。对比文件完全没有提及“全内反射(TIR)”部分或任何用于“减少中心轴附近的光强度”的具体结构。TIR是一种特定的光学设计,对比文件未公开。因此,技术特征O没有公开。
**技术特征P:** 其中该第一透镜为半球形 <br> **《无公开》**无相关描述。对比文件填充的树脂300虽为“凸透镜状”,但未限定其为“半球形”。其形状由基板的凹坑和填充量决定,通常为球冠或更复杂的形状,并非特指半球形。因此,技术特征P没有公开。
**技术特征Q:** 其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜 <br> **《隐含公开》**原文:[0014] “...ワイヤボンディングによりリード線Wで、半導体発光素子200の各電極を対応する配線パターン導体100cに接続する。この後、樹脂300として、上記蛍光体を混合しながら透光性の樹脂を基板100の各窪みCavに充填する。” <br> 译文:[0014] “...通过引线键合将半导体发光元件200的各电极连接到对应的布线图案导体100c。之后,将混合了上述荧光体的透光性树脂作为树脂300填充到基板100的各凹坑Cav中。”对比文件公开了将LED芯片安装并引线键合后,直接向凹坑中填充液态树脂,该树脂固化后直接在LED芯片上形成透镜。这种工艺即为“直接模制在LED电路小片上”。树脂300直接接触并覆盖LED芯片,固化后成为其上的透镜。因此,技术特征Q被隐含公开。
**技术特征R:** 密封了该LED电路小片 <br> **《隐含公开》**原文:[0013] “...樹脂300は、透光性の樹脂により成り、...基板100の各窪みCavに充填されている。”以及[0014] “...樹脂300は、基板100の上方に向けて盛り上がる凸レンズ状に形成される。” <br> 译文:[0013] “...树脂300由透光性树脂构成,...填充在基板100的各凹坑Cav中。”以及[0014] “...树脂300形成为朝向基板100上方凸起的凸透镜状。”对比文件中的树脂300必须填充凹坑,而LED芯片位于凹坑底部,因此树脂300必然包裹并覆盖LED芯片,起到密封作用。将LED芯片封入树脂中以实现电气绝缘和物理保护是本领域的常规做法。因此,虽然对比文件未明确使用“密封”一词,但根据其结构,该功能是隐含公开的。
**技术特征S:** 其中该间隙为圆顶形空气间隙 <br> **《无公开》**无相关描述。基于技术特征H(空气间隙)未被公开,技术特征S(特定的圆顶形空气间隙)自然也没有被公开。
**技术特征T:** 其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料 <br> **《隐含公开》**原文:[0049] “...樹脂307aには柔軟性を有するシリコーン樹脂が使用され、樹脂307cには耐候性を有するエポキシ樹脂が使用される。”以及[0055] “...樹脂310aにはシリコーン樹脂が使用され、樹脂310bにはエポキシ樹脂が使用される。” <br> 译文:[0049] “...树脂307a使用具有柔韧性的硅树脂,树脂307c使用具有耐候性的环氧树脂。”以及[0055] “...树脂310a使用硅树脂,树脂310b使用环氧树脂。”对比文件中的树脂307a(或310a)是直接与LED芯片接触的填充层,相当于第一透镜,其公开使用“硅树脂”(シリコーン樹脂)。对比文件中的树脂307c(或310b)是上层的透镜,相当于辅透镜,其公开使用“环氧树脂”(エポキシ樹脂)。环氧树脂属于塑料的一种。虽然对比文件未明确限定辅透镜必须为“塑料”,但“环氧树脂”是典型的塑料材料。因此,技术特征T被隐含公开。
**技术特征U:** 进一步包括次级载具 <br> **《无公开》**无相关描述。对比文件的LED芯片直接安装在基板(如100、102)的凹坑内,或者安装在引线框架的杯内。其结构中没有独立的“次级载具”(submount)这一中间结构。LED芯片直接安装在主基板或引线框架上。因此,技术特征U没有公开。
**技术特征V:** 其上安装了LED电路小片 <br> **《无公开》**无相关描述。由于技术特征U(次级载具)未被公开,因此该特征自然没有公开。
**技术特征W:** 印刷电路板 <br> **《隐含公开》**原文:[0012] “基板100は、所望の回路が設けられる印刷配線基板であって、...” <br> 译文:[0012] “基板100是设置有期望电路的印刷布线基板,...”对比文件明确公开了“基板100”是“印刷配線基板”,即印刷电路板(PCB)。因此,技术特征W被隐含公开(或直接公开,因为原文明确)。
**技术特征X:** 其上安装了次级载具 <br> **《无公开》**无相关描述。由于技术特征U(次级载具)未被公开,因此该特征自然没有公开。
**技术特征Y:** 其中该透镜直接接触该印刷电路板 <br> **《隐含公开》**原文:[0014] “...樹脂300は、基板100の各窪みCavに充填する。”以及图1。 <br> 译文:[0014] “...将树脂300填充到基板100的各凹坑Cav中。”以及图1。对比文件中,树脂300填充在基板100的凹坑Cav内,该凹坑形成于基板表面。因此,树脂透镜(第一透镜或辅透镜的底部)必然与基板(印刷电路板)的凹坑内壁和边缘直接接触。因此,技术特征Y被隐含公开。
**技术特征Z:** 围绕该次级载具 <br> **《无公开》**无相关描述。由于技术特征U(次级载具)未被公开,因此该特征自然没有公开。

### 公开性代码汇总

根据以上分析,本对比文件(JP2005050827A)相对于目标专利(CN101160670B)的权利要求,公开情况如下:

直接公开的技术特征:无

隐含公开的技术特征:

A, B, C, F, G, Q, R, T, W, Y

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权利要求与技术特征
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