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对比文件列表
1993-01-29_None_发明专利_JPH0519705A Light emission display body and manufacture thereof_+++A_B_C_W_Y+++.docx
2026-07-22 17:35
1995-01-04_EP0632511A_发明公开_EP0632511A2 A light emitting diode aggregate module and a method for manufacturing a light emitting diode aggregate module_+++A_B_C_W_Y+++.docx
2026-07-22 17:35
1997-06-10_None_发明专利_JPH09153646A Optical semiconductor device and manufacture of the same_+++A_B_F_Q_R_W_Y_c_p+++.docx
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1998-07-31_None_发明专利_JPH10200168A Light emitting diode device and lead frame therefor_+++A_B_C_R_w+++.docx
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2000-08-04_JP2000216443A_发明专利_JP2000216443A Surface mounted type led and its manufacture_+++A_B_C_W+++.docx
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2001-02-09_JP2001036150A_发明专利_JP2001036150A Light emitting diode_+++B_C_R_W_Y_a_q+++.docx
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2001-05-29_JP2001148514A_发明专利_JP2001148514A Illuminating light source_+++A_B_C_W+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-03-29_JP2002094129A_发明专利_JP2002094129A Optical device and apparatus using the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Z_x_y+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
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2002-11-22_JP2002335019A_发明专利_JP2002335019A Light emitting device_+++A_B_C_F_G_Q_R_U_V_W_X_Y_Z_p+++.docx
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2002-11-29_JP2002343123A_发明专利_JP2002343123A Led for light guide plate_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
2026-07-22 17:36
2002-11-29_JP2002344027A_发明专利_JP2002344027A Surface-mounted led_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-03-19_JP2003080537A_发明专利_JP2003080537A Mold for molding plastics and molding method_+++B_C_F_Q_W_Y_a_r+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-04-25_JP2003124524A_发明专利_JP2003124524A High-flux led array_+++B_F_Q_R_U_V_W_X_a_c+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-05-15_US2003089914A_发明申请_US20030089914A1 Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens_+++B_C_a_u_v_w_x+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-01-22_JP2004023474A_发明专利_JP2004023474A Apparatus and method for detecting state of device, and apparatus and method for informing of state of device_+++W+++.docx
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2004-01-27_US6682331B_发明授权_US06682331B1 Molding apparatus for molding light emitting diode lamps_+++A_B_W_c_r+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-04-15_US2004070990A_发明申请_US20040070990A1 LED illuminator and method of manufacture_+++A_B_C_F_P_R_W_Y_g+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-05-06_US2004084681A_发明申请_US20040084681A1 Radiation emitter device having an integral micro-groove lens_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-05-11_US6734465B_发明授权_US06734465B1 Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting_+++B_C_F_Q_R_a_g_w+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-08-12_JP2004228143A_发明专利_JP2004228143A Solid-state light source lighting device, projector, and optical apparatus_+++A_B_C_F_P_R_Y_w+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-08-12_WO2004068182A_发明申请_WO2004068182A2 HIGH DENSITY ILLUMINATION SYSTEM_+++A_B_C_P_U_V_f_r_w_x+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-11-11_JP2004319591A_发明专利_JP2004319591A Semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B_C_F_Q_R_W+++.docx
2026-07-22 17:36
2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
2026-07-22 17:36
2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source_+++a_b_c_f_g_q_r_t_w_y+++.docx
2026-07-22 17:36
DE10245946C1_Description_20260712_1508_+++U_V_W_a_b_c+++.docx
2026-07-22 17:36
JP2002317048A_Description_20260712_1511_+++R_a_b_c_q_t_w+++.docx
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2001-05-29_JP2001148514A_发明专利_JP2001148514A Illuminating light source_+++A_B_C_W+++.docx

**对比文件名称**:2001-05-29_JP2001148514A_发明专利_JP2001148514A Illuminating light source

**目标专利名称**:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

**本次调用的模型名称**:AI(通用语言模型)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:其包括具有中心轴的LED电路小片**原文:半導体発光素子(窒化ガリウム系化合物半導体より成る青色系のLED素子)【0030】。 中文翻译:半导体发光元件(由氮化镓系化合物半导体构成的蓝色系LED元件)。**直接公开**。对比文件明确公开了LED芯片(半导体发光素子),LED芯片通常具有对称的中心轴,本领域技术人员可直接确定该特征与目标专利的LED电路小片实质相同,属于直接公开。
**技术特征B:相对于LED电路小片固定的透镜**原文:樹脂は、基板の上方に向けて盛り上がる凸レンズ状に形成される【0032】。 中文翻译:树脂形成为向基板上方凸起的透镜形状。**直接公开**。对比文件中的树脂层被形成为凸透镜形状,且该树脂层直接覆盖并固定于LED芯片之上,因此相对于LED电路小片固定的透镜被直接公开。
**技术特征C:该透镜使LED电路小片发出的光折射**原文:凸レンズ状に形成される(结合【0032】以及【0033】中关于光出射的说明)。 中文翻译:形成为凸透镜形状(使光汇聚/折射)。**直接公开**。凸透镜的基本功能就是使光折射,对比文件将树脂形成凸透镜状,必然对LED发出的光产生折射作用,该特征被直接公开。
**技术特征D:从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内**对比文件全文未公开任何关于光强峰值角度的具体数值或范围。**未公开**。对比文件仅涉及普通照明光源,没有提及峰值强度角度分布,更未限定50-80度的范围。本领域技术人员从对比文件无法直接或隐含得出该特征。
**技术特征E:使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间**对比文件全文未公开中心轴强度与峰值强度的比例关系。**未公开**。对比文件未涉及任何光强分布量化指标,无法直接或隐含公开该特征。
**技术特征F:其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜**对比文件中的树脂层虽覆盖LED芯片,但该树脂层是单一整体(含荧光体),并未被区分为独立的“第一透镜”和“辅透镜”,且没有“密封”的专门透镜层。**未公开**。对比文件没有公开两个透镜的叠层结构,其树脂层集成了密封、波长转换和透镜功能,不同于目标专利中独立的第一透镜。
**技术特征G:围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜**对比文件无任何关于“辅透镜”的记载,仅有一个凸透镜状的树脂层。**未公开**。对比文件缺少第二层透镜(辅透镜)的结构,无法直接或隐含公开该特征。
**技术特征H:该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分**对比文件中的所有树脂层均与LED芯片直接接触,没有空气间隙。**未公开**。对比文件未公开任何中空部分或空气间隙,且树脂层为实心填充。
**技术特征I:该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面**对比文件不存在空气间隙,因此无对应的折射界面。**未公开**。特征H不成立,则特征I必然不公开。
**技术特征J:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内**对比文件无任何关于峰值强度角度的公开。**未公开**。与特征D类似,对比文件未涉及角度分布细节。
**技术特征K:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内**与特征J相同,对比文件无公开。**未公开**。理由同特征J。
**技术特征L:沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%**对比文件无任何关于光强比例的数据。**未公开**。对比文件未涉及中心轴强度比例。
**技术特征M:其中该辅透镜包括非球面外表面**对比文件没有公开辅透镜,也未公开任何非球面表面。**未公开**。对比文件中的凸透镜形状未具体限定为非球面。
**技术特征N:和非球面圆顶形内表面**对比文件无相应结构。**未公开**。对比文件未公开圆顶形内表面,更无非球面描述。
**技术特征O:其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面**对比文件未公开全内反射部分或TIR结构。**未公开**。对比文件不涉及TIR设计。
**技术特征P:其中该第一透镜为半球形**对比文件中的树脂凸透镜形状未限定为半球形,且不是单独的第一透镜。**未公开**。对比文件未公开半球形透镜。
**技术特征Q:其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜**对比文件中的树脂层是填充后在窪内固化,并非直接模制在LED芯片上的单一透镜。**未公开**。对比文件未公开直接模制在芯片上的透镜工艺。
**技术特征R:密封了该LED电路小片**对比文件中的树脂层确实覆盖并密封了LED芯片(【0032】充填),但该树脂层并非“第一透镜”,而是整体树脂。**未公开**。特征R是依附于第一透镜的,对比文件未明确第一透镜的密封功能,且树脂层还包含荧光体,功能不同。
**技术特征S:其中该间隙为圆顶形空气间隙**对比文件无空气间隙,更无圆顶形形状。**未公开**。对比文件无间隙。
**技术特征T:其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料**对比文件中的树脂采用硅树脂或环氧树脂,但未区分第一透镜和辅透镜的材料。**未公开**。对比文件未公开硅树脂第一透镜和塑料辅透镜的组合。
**技术特征U:进一步包括次级载具**对比文件中的LED芯片直接安装在基板窪み内,没有次级载具(submount)。**未公开**。对比文件无次级载具。
**技术特征V:其上安装了LED电路小片**对比文件无次级载具,故未公开该特征。**未公开**。依附于特征U,故不公开。
**技术特征W:印刷电路板**原文:基板は、印刷配線基板により成る【0029】、或いは印刷配線基板と反射枠とにより成る【0039】等。 中文翻译:基板由印刷配线基板构成。**直接公开**。对比文件明确公开了印刷配线基板(印刷电路板),与目标专利的印刷电路板实质相同。
**技术特征X:其上安装了次级载具**对比文件无次级载具,故未公开。**未公开**。对比文件未公开次级载具安装在印刷电路板上的结构。
**技术特征Y:其中该透镜直接接触该印刷电路板**对比文件中的透镜(树脂凸透镜)与基板接触,但基板并非印刷电路板表面(基板有窪み,透镜在窪み内),且目标专利的透镜是双透镜结构,直接接触PCB。**未公开**。对比文件未公开透镜直接接触印刷电路板(尤其是双透镜结构)。
**技术特征Z:围绕该次级载具**对比文件无次级载具,故未公开。**未公开**。对比文件无相应结构。

### 公开性代码输出

根据上述分析,以下特征被直接公开:

- 技术特征A:直接公开 → <<<A>>>

- 技术特征B:直接公开 → <<<B>>>

- 技术特征C:直接公开 → <<<C>>>

- 技术特征W:直接公开 → <<<W>>>

其他技术特征(D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V、X、Y、Z)未被对比文件直接或隐含公开,因此不输出任何代码。

<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<W>>>

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