对比文件：2010-12-29_WO2010150539A_发明申请_WO2010150539A1 超音波診断装置
目标专利：1346具有被动热耗散的矩阵超声波探针CN103533896B
本次调用的模型名称：AI专利代理师助手
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括换能器堆《直接公开》 | 对比文件图2对应的说明书记载：“超音波探触子１３は探触子外装２０１で覆われ、その内部には…超音波振動子２０３、バッキング材２０４、レンズ材２０５、電子回路基板２０６”。（翻译：超声波探触子13被探触子外装201覆盖，其内部有…超声波振子203、背衬材料204、透镜材料205、电子电路基板206） | 对比文件公开了超声探头内部包含换能器元件、背衬、透镜、电子电路等组件，这些组件构成换能器堆，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述换能器堆具有联接到用于换能器阵列的专用集成电路ASIC的换能器元件阵列《隐含公开》 | 对比文件开头段记载：“超音波探触子の内部に電子回路を配置することによって２次元アレイの超音波振動子を駆動し”；图2描述：“電子回路基板２０６…”。（翻译：通过将电子电路配置在超声波探触子内部来驱动二维阵列的超声波振子；电子电路基板206） | 对比文件公开了探头内部设有电子电路基板，用于驱动二维阵列换能器元件。虽然未明确写明“ASIC”，但本领域技术人员知晓，在高密度集成的超声探头中，电子电路通常采用专用集成电路（ASIC）实现驱动和信号处理，因此可以合理推断该电子电路基板包含ASIC，且换能器元件阵列与之联接，故技术特征B被隐含公开。 |
| 技术特征C：导热框架《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开任何导热框架结构，其内部采用屏蔽材料、冷媒循环等，没有描述用于支撑和导热的独立框架，因此技术特征C未公开。 |
| 技术特征D：所述导热框架热联接到所述换能器堆《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开导热框架，故无热联接，技术特征D未公开。 |
| 技术特征E：壳体《直接公开》 | 对比文件图2描述：“探触子外装２０１”。（翻译：探触子外装201） | 对比文件明确公开了探触子外装，即壳体，用于容纳探头内部部件，因此技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：所述壳体形成探针手柄且包封所述框架的至少一部分《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件公开了壳体，但未公开导热框架，更未提及壳体包封框架，故技术特征F未公开。 |
| 技术特征G：导热散热器《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开导热散热器，其冷却主要依靠冷媒循环，没有被动散热器，故技术特征G未公开。 |
| 技术特征H：所述导热散热器热联接到所述框架且呈现外表面区域《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开散热器和框架，故技术特征H未公开。 |
| 技术特征I：该外表面区域与所述壳体的内表面区域对准且热联接到所述内表面区域《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开散热器，故无外表面区域对准，技术特征I未公开。 |
| 技术特征J：其中主要热传导路径自所述散热器到所述热联接的壳体中且然后到围绕所述壳体的空气中以防止热点在所述壳体中的形成《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开散热器及该热传导路径，其冷却路径主要通过冷媒循环，故技术特征J未公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述换能器堆进一步包括位于所述ASIC与所述框架之间的导热衬块《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件公开了背衬材料204，但背衬材料主要用于声学背衬，并非位于ASIC与框架之间的导热衬块，且无ASIC和框架，故技术特征K未公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述换能器元件阵列进一步包括换能器元件的二维矩阵阵列《直接公开》 | 对比文件开头段记载：“２次元アレイの超音波振動子”。（翻译：二维阵列的超声波振子） | 对比文件明确公开了换能器元件为二维阵列，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述ASIC进一步包括波束成形器ASIC《隐含公开》 | 对比文件开头段记载：“超音波探触子の内部に電子回路を配置することによって…ビームフォーミングすることが可能な装置”。（翻译：通过将电子电路配置在超声波探触子内部，能够对观察部位进行波束成形的装置） | 对比文件公开了探头内部电子电路可实现波束成形，本领域技术人员可以合理推断该电子电路包含波束成形器ASIC，因此技术特征M被隐含公开。 |
| 技术特征N：所述波束成形器ASIC使来自所述矩阵阵列的传输波束及由所述矩阵阵列的元件接收的回波信号至少部分地波束成形《隐含公开》 | 同上 | 基于对比文件公开的波束成形功能，可以合理推断波束成形器ASIC对传输波束和接收回波进行至少部分波束成形，故技术特征N被隐含公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括提供所述框架与所述散热器之间的热联接的导热垫片或导热腻子《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开框架和散热器，故无相关热联接，技术特征O未公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述框架具有侧部凸缘《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开框架，故无侧部凸缘，技术特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述散热器以与所述框架的所述侧部凸缘导热接触的方式紧固《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开框架和散热器，故技术特征Q未公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述散热器用螺钉或螺栓固定到所述框架的所述侧部凸缘《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开框架和散热器，故技术特征R未公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括提供所述散热器与所述壳体之间的热联接的导热垫片或导热腻子《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开散热器，故技术特征S未公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，其中所述散热器直接热联接到所述衬块《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开散热器和衬块，故技术特征T未公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括紧固至所述框架的印刷电路板《未公开》 | 对比文件公开了电子回路基板206，但未提及紧固至框架。 | 对比文件公开了电子回路基板，但未公开其紧固至框架，且无框架，故技术特征U未公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括具有金属编织层的探针电缆《隐含公开》 | 对比文件公开了“プローブケーブル１２”（探头电缆12），但未详细描述其内部结构。 | 虽然对比文件未明确电缆具有金属编织层，但本领域公知，超声探头电缆通常包含金属编织层作为电磁屏蔽和热传导路径，且对比文件也使用了屏蔽材料，本领域技术人员可以合理推断该电缆具有金属编织层，故技术特征V被隐含公开。 |
| 技术特征W：其中所述框架进一步热联接到所述电缆的所述金属编织层《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开框架，故无热联接，技术特征W未公开。 |
| 技术特征X：其特征在于，所述散热器由铝或镁制成《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开散热器，故技术特征X未公开。 |
| 技术特征Y：其特征在于，所述框架由铝或镁制成《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开框架，故技术特征Y未公开。 |
| 技术特征Z：其特征在于，所述壳体的至少一部分被围绕所述散热器的至少一部分模塑而成以形成单件式单元《未公开》 | 无直接相关记载 | 对比文件未公开散热器，故技术特征Z未公开。 |
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