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对比文件列表
1997-02-14_None_发明专利_JPH0945866A Microwave integrated circuit_+++K_l+++.docx
2026-03-19 23:33
1997-12-09_US5696471A_发明授权_US5696471A Inductive coupled filter with electrically neutral holes between solid spiral inductors_+++B_a_f_g_j_k_l+++.docx
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1999-04-23_None_发明专利_JPH11112264A Filter_+++A_C_G_H_I_L_b_d_j+++.docx
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1999-08-06_None_发明专利_JPH11215023A High-frequency composite component_+++a_c_d_g_i_l+++.docx
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2000-08-08_US6100776A_发明授权_US6100776A High-frequency composite transmission section with switch, LC filter, and notch filter_+++A_C_D_I_L_j+++.docx
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2001-01-30_US6180976B_发明授权_US06180976B2 Thin-film capacitors and methods for forming the same_+++k_l+++.docx
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2001-05-18_JP2001136045A_发明专利_JP2001136045A Layered composite electronic component_+++A_B_c_d_f_g_h_i_j_k_l+++.docx
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2002-01-11_JP2002008942A_发明专利_JP2002008942A Capacitor device, method of manufacturing the same, and module mounted with the device_+++k_l+++.docx
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2002-04-02_US6366564B_发明授权_US06366564B1 Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment_+++B_L_a_f_g+++.docx
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2002-07-09_US6417754B_发明授权_US06417754B1 Three-dimensional coil inductor_+++A_K_L+++.docx
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2003-07-22_US6597258B_发明授权_US06597258B2 High performance diplexer and method_+++A_L_i+++.docx
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2003-07-22_US6597315B_发明授权_US06597315B2 Antenna_+++a_b_k_l+++.docx
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2003-09-12_JP2003258675A_发明专利_JP2003258675A Communication control method_+++A_L_a_l+++.docx
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2004-10-07_JP2004281847A_发明专利_JP2004281847A Multilayer composite electronic component_+++A_L+++.docx
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2004-10-07_JP2004281850A_发明专利_JP2004281850A Multilayer composite electronic component_+++a_b_j_l+++.docx
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2005-11-24_JP2005328026A_发明专利_JP2005328026A Thin film device, integrated circuit, electrooptic device, and electronic device_+++L_a+++.docx
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2008-06-12_WO2008069783A_发明申请_WO2008069783A1 TUNING DEVICE WITH DIPLEXER INPUT_+++D_G_K_L_i+++.docx
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2008-07-17_DE102008003952A_发明专利_DE102008003952A1 Microminiature inverter_+++A_B_k_l+++.docx
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2008-12-04_JP2008544494A_发明专利_JP2008544494A Linear variable voltage diode capacitor and adaptive matching networks_+++E_i_k_l+++.docx
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2009-07-16_JP2009159328A_发明专利_JP2009159328A Multiplexer, triplexer and diplexer_+++A_B_l+++.docx
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2009-10-01_WO2009118694A_发明申请_WO2009118694A1 INTEGRATED 3D HIGH DENSITY AND HIGH QUALITY INDUCTIVE ELEMENT_+++A_B_K_L+++.docx
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2009-10-22_WO2009128047A_发明申请_WO2009128047A1 HIGH DENSITY INDUCTOR, HAVING A HIGH QUALITY FACTOR_+++B_L_a_k+++.docx
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2010-09-23_WO2010107430A_发明申请_WO2010107430A1 INTEGRATED CIRCUIT INDUCTORS WITH REDUCED MAGNETIC COUPLING_+++k_l+++.docx
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2010-11-18_US2010289126A_发明申请_US20100289126A1 Semiconductor Device and Method of Forming a 3D Inductor from Prefabricated Pillar Frame_+++K_a_b_l+++.docx
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2011-04-14_WO2011044392A_发明申请_WO2011044392A1 THREE DIMENSIONAL INDUCTOR AND TRANSFORMER_+++A_B_K_L+++.docx
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2011-04-28_US2011095395A_发明申请_US20110095395A1 Inductors and Methods for Integrated Circuits_+++B_K_l+++.docx
2026-03-19 23:33
2011-12-01_US2011291786A_发明申请_US20110291786A1 Through Via Inductor Or Transformer In A High-Resistance Substrate With Programmability_+++B_F_L+++.docx
2026-03-19 23:33
2012-03-27_US8143952B_发明授权_US08143952B2 Three dimensional inductor and transformer_+++A_B_K_L+++.docx
2026-03-19 23:33
2012-03-29_US2012075216A_发明申请_US20120075216A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++B_F_L_a_c_k+++.docx
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2012-03-29_WO2012040063A_发明申请_WO2012040063A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++A_B_F_K_L_c_g_h_i_j+++.docx
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2012-05-10_US2012112853A_发明申请_US20120112853A1 TUNABLE FILTER, TUNABLE DUPLEXER AND MOBILE COMMUNICATION TERMINAL USING THE SAME_+++A_C_D_I_J_L+++.docx
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2012-11-29_US2012302188A_发明申请_US20120302188A1 TUNABLE MULTI-BAND RECEIVER_+++D_I_K_L_a_c_g_j+++.docx
2026-03-19 23:33
2012-12-04_US8324984B_发明授权_US08324984B2 Variable bandwidth tunable silicon duplexer_+++D_K_l+++.docx
2026-03-19 23:33
2013-02-13_EP2556730A_发明公开_EP2556730A1 SELECTIVE PATTERNING FOR LOW COST THROUGH VIAS_+++L+++.docx
2026-03-19 23:33
US2011110385A1_Description_20260309_2155_+++K_a_g_j_l+++.docx
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US2011248405A1_Description_20260309_2155_+++B_F_L+++.docx
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WO2012144482A1_Description_20260309_2155_+++a_b_l+++.docx
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2002-07-09_US6417754B_发明授权_US06417754B1 Three-dimensional coil inductor_+++A_K_L+++.docx

对比文件名称:2002-07-09_US6417754B_发明授权_US06417754B1 Three-dimensional coil inductor

目标专利名称:三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B

本次调用的模型名称:GPT-4

根据目标专利权利要求的技术特征划分,创建特征比对表格如下:

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:** 包括:包括至少一个电感器的第一层级<br>**《直接公开》**说明书第4页第15-21行:“The inductor 102 consists of a set of traces formed about a central core 106. The traces include a set of lower traces 108 formed over an oxide 110 on the substrate 104, a set of side traces 112 formed about the core 106, and a set of upper traces 114 formed on top of the core 106. The traces 108, 112, 114 are connected to each other at a series of joints 116 to form a continuous spiral loop which is the inductor 102.”对比文件公开了一种三维线圈电感器(102),其包含由下部迹线(108)、侧部迹线(112)和上部迹线(114)围绕核心(106)形成的线圈结构。这些导电迹线形成在基板(104)上方,构成了一个电感器。该电感器在对比文件中是作为独立的电感元件存在,用于例如RF电路等应用。在目标专利中,电感器是可调谐共用器的一个组成部分。尽管应用场景不同,但“包括至少一个电感器的第一层级”这一结构特征已被对比文件明确公开。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术方案。因此,技术特征A被**直接公开**。
**技术特征B:** 其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器<br>**《未公开》**说明书第4页第15-21行(同上)。图1B显示了电感器结构,其中下部迹线(108)形成在基板(104)表面的氧化物(110)上,核心(106)置于其上。目标专利说明书第[0044]段明确将“穿基板通孔(TSV)电感器”与“穿玻通孔(TGV)电感器”作为电感器的具体实施方式,其特点是导电元件“穿过”基板。对比文件公开的电感器(102)是由沉积在基板表面(下部迹线108)、核心侧面(侧部迹线112)和顶部(上部迹线114)的导电迹线构成的三维线圈,其导电路径并未“穿过”基板材料本身。对比文件图1B也显示下部迹线(108)厚度为5µm,而核心(106)侧边尺寸为650µm,核心尺寸远大于迹线厚度,进一步表明其是表面上的结构而非穿过基板的通孔。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开“穿基板通孔电感器”。
**技术特征C:** 包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级<br>**《未公开》**无相关引用。对比文件全文仅描述了三维线圈电感器的结构、制造及其性能,未提及任何变抗器(Varactor)或可变电容器元件。目标专利中的“变抗器”是用于提供可变电容、从而调谐滤波器频率特性的关键元件。对比文件(US6417754B1)的主题是“三维线圈电感器”,其说明书的全部内容都围绕如何制造高性能的微型三维电感器展开,并未涉及任何电容可变的元件,也未描述任何与电感器耦合以形成可调谐电路的变抗器。因此,技术特征C既未被对比文件**直接公开**,也未被**隐含公开**。
**技术特征D:** 所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器<br>**《未公开》**无相关引用。“可调谐共用器”是目标专利的核心发明点,是一种包含高通和低通滤波器的特定电路结构,用于频域复用和滤波,并通过变抗器实现频率调谐。对比文件仅公开了独立的电感器元件,未公开任何共用器(Diplexer)电路结构,更未公开由电感器和变抗器结合形成的“可调谐共用器”。因此,技术特征D未被公开。
**技术特征E:** 其特征在于,所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器<br>**《未公开》**无相关引用。如特征C所述,对比文件未公开任何变抗器。因此,更不可能公开变抗器的具体类型,如“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。
**技术特征F:** 其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器<br>**《未公开》**无相关引用。目标专利中的“穿玻通孔(TGV)电感器”是“穿基板通孔电感器”的一种具体类型。如特征B所述,对比文件未公开任何“穿基板通孔电感器”。因此,该具体类型也未被公开。
**技术特征G:** 其特征在于,所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器<br>**《未公开》**无相关引用。对比文件未公开变抗器,也未公开任何滤波器电路结构(如低通滤波器)。因此,该特征未被公开。
**技术特征H:** 其特征在于,进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器,所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器<br>**《未公开》**无相关引用。该特征涉及更复杂的共用器内部结构,包含多个电感器与变抗器的特定组合以形成LP滤波器。对比文件未公开任何变抗器,也未公开此类组合电路。因此,该特征未被公开。
**技术特征I:** 其特征在于,所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率<br>**《未公开》**无相关引用。该特征限定了变抗器在电路中的功能——调节滤波器的陷波频率。由于对比文件未公开任何变抗器,因此该功能特征自然也未被公开。
**技术特征J:** 其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率<br>**《未公开》**无相关引用。该特征限定了穿基板通孔电感器在可调谐共用器中的具体功能。首先,对比文件未公开“穿基板通孔电感器”(见特征B)。其次,对比文件中的电感器是作为独立元件描述的,并未涉及其在“可调谐共用器”中控制滤波器截止频率的功能。因此,该特征未被公开。
**技术特征K:** 其特征在于,所述三维集成电路集成到半导体管芯中<br>**《直接公开》**说明书第1页第4行:“Monolithic High-Performance Three-Dimensional Coil Inductors for Wireless Communication Applications”。<br>说明书第2页第2段第3-4行:“Many of these inductors are required to fabricate oscillators, filters and matching networks that go into such devices”。<br>说明书第3页第2段第5-6行:“possibly enabling construction of monolithic wireless transceivers”。对比文件多次提及“单片(Monolithic)”制造,并明确指出其三维线圈电感器可用于制造振荡器、滤波器、匹配网络以及单片无线收发机等。本领域技术人员能够理解,“单片”制造通常意味着将多个电子组件(如本发明的电感器)集成到单个半导体管芯(Die)或芯片上。目标专利的“三维集成电路”也是将元件(电感器、变抗器)集成在多层结构中。虽然对比文件主要展示单个电感器元件,但其明确指出了集成到更复杂IC(如收发机)中的应用前景。因此,将三维电感结构集成到半导体管芯中这一特征,已被对比文件**直接公开**。
**技术特征L:** 其特征在于,所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器<br>**《直接公开》**说明书第1页第4行:“for Wireless Communication Applications”。<br>说明书第2页第1段第1-3行:“RF communication devices are becoming increasingly popular... A typical RF communication device, such as a cellular telephone operates at around 1 GHz and requires inductors...”。对比文件明确其三维线圈电感器是为“无线通信应用”而设计,并具体例举了“蜂窝电话(cellular telephone)”作为典型的RF通信设备。蜂窝电话明确包含在目标专利权利要求列举的设备列表中(“移动电话、蜂窝电话”)。因此,将包含此类电感器的三维集成电路集成到通信设备(如蜂窝电话)中,已被对比文件**直接公开**。列表中其他设备虽未明确提及,但作为同属无线通信或电子设备领域,其集成可能性已被隐含覆盖。

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