**对比文件名称**：US5696471A Inductive coupled filter with electrically neutral holes between solid spiral inductors
**目标专利名称**：CN105191123B 三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法
**模型名称**：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译自说明书) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级 <br> **判断结果**：《隐含公开》 | [2] “...a solid spiral inductor device...comprising...a plurality of inductors 134 and 135 each are formed by coupling linear patterns 108 and 109 each formed on different surfaces of a substrate respectively...a first layer 151 and a second layer 152.” <br> 译文：“...一种固体螺旋电感器装置...包括...多个电感器134和135，每个电感器是通过耦合分别形成在基板不同表面上的线性图案108和109形成的...第一层151和第二层152。” | 对比文件公开了在多层基板（如第一层151、第二层152）上形成电感器（134， 135）。虽然其“层”的概念更侧重于印刷电路板（PCB）的多层结构，而目标专利的“层级”可能特指3DIC中堆叠的半导体层级，但就“在结构的不同层次/层上设置电感器”这一基本技术手段而言，本领域技术人员可以从对比文件的多层基板结构合理推断出“第一层级包括至少一个电感器”的技术方案。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 <br> **判断结果**：《直接公开》 | [2] “...each are formed by coupling linear patterns 108 and 109 each formed on different surfaces of a substrate respectively to holes 113 to 116 and 123 to 126... The holes 113 to 116 and 123 to 126 each are realized with through-holes or slits.” <br> 译文：“...每个电感器是通过将分别形成在基板不同表面上的线性图案108和109耦合到孔113至116和123至126而形成的...孔113至116和123至126各自通过通孔或狭缝实现。” | 对比文件明确公开了电感器是通过连接基板（substrate）两侧（即不同表面）的线性图案并通过通孔（through-holes）来实现的。这构成了穿基板通孔（Through-Substrate Via， TSV）电感器的典型结构。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“穿基板通孔电感器”。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级， <br> **判断结果**：《未公开》 | 对比文件全文中未提及“变抗器（varactor）”或任何可变电容元件。其滤波器中的电容元件（如132, 133, 137, 138）在等效电路图中表示为固定电容器（capacitor），用于表示耦合电容或浮动电容，其电容值由物理结构（如间距、面积）决定，并非电可调。 | 目标专利的核心改进之一在于引入“变抗器”以实现共用器的频率可调谐。对比文件仅公开了由固定电感和固定电容构成的滤波器，没有任何内容教导或暗示使用可变电容元件（变抗器）。本领域技术人员无法从对比文件得出或合理推断出“第二层级包括至少一个变抗器”的技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 <br> **判断结果**：《未公开》 | 对比文件公开了由电感器和固定电容器形成的滤波器（如带通滤波器， 图2A）。其说明书[2]段描述了通过调整电中性孔的数量、间距或截面来调整耦合度，从而改变滤波器的频率特性，但这属于设计时的物理结构调整，而非通过电调谐元件（如变抗器）实现的实时或可编程的“可调谐”。其滤波器是固定频率的。 | 目标专利要求保护的是“可调谐共用器”，其“可调谐”特性源于包含变抗器或可变电感器。对比文件形成的滤波器不具备通过电信号调谐其频率响应的能力。虽然对比文件的滤波器功能上与目标专利的共用器有相似之处（都是频率选择器件），但缺少“可调谐”这一关键限定。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 <br> **判断结果**：《未公开》 | 对比文件未公开任何变抗器，更未提及SOG（Silicon-On-Glass）这种特定类型的变抗器。 | 由于对比文件根本未公开“变抗器”，因此更不可能公开其具体类型为“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 <br> **判断结果**：《隐含公开》 | [2] “The holes 113 to 116 and 123 to 126 each are realized with through-holes or slits.” <br> 译文：“孔113至116和123至126各自通过通孔或狭缝实现。” | 对比文件明确公开了使用“通孔（through-holes）”连接基板两侧的导体以形成电感器。目标专利中的“穿玻通孔（TGV）”是“穿基板通孔（TSV）”的一种具体类型，其区别在于基板材料为玻璃。对比文件虽未明确限定基板材料为玻璃，但“通孔”技术是通用的。本领域技术人员知道，为实现高频高Q值电感，选用玻璃作为基板并制作TGV电感器是一种可行的技术选择，可以从对比文件公开的“通孔电感器”结构合理推断出。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 <br> **判断结果**：《隐含公开》 | [2] “FIG. 2A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the inductive coupling filter according to Embodiment 1...” 该等效电路显示了一个由电感（L1, L2）和电容（C1, C2, Ci1, Co1）构成的带通滤波器（BPF）结构。 <br> 对比文件未明确描述低通（LP）滤波器。 | 目标专利中，电感和变抗器形成的是可调谐共用器内的一个滤波器（如LP滤波器）。对比文件公开了由电感和（固定）电容构成滤波器（如带通滤波器）。虽然滤波器类型（带通 vs 低通）不同，但“由电感器和电容性元件构成滤波器”这一更上位的技术特征已被对比文件公开。本领域技术人员可以从对比文件公开的“电感-电容”滤波网络，合理推断出使用类似元件构建不同类型滤波器（包括低通滤波器）的可能性。因此，该技术特征被隐含公开。但需注意，对比文件未公开该滤波器是“可调谐”的。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 <br> **判断结果**：《未公开》 | 对比文件未公开任何“变抗器”，因此不可能公开“第二变抗器”。其附图3-4B虽然展示了具有更多电感器（244, 245, 250）的滤波器结构，但其中的电容元件（242, 243, 247, 248, 251）仍然是固定电容器，并非变抗器。 | 该技术特征进一步限定了使用多个电感和多个变抗器形成特定的LP滤波器结构。由于对比文件缺乏“变抗器”这一核心元件，因此无法公开由变抗器和电感器组合形成的、且位于不同层级的特定滤波器结构。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 <br> **判断结果**：《未公开》 | 对比文件未公开变抗器。其滤波器频率特性的调整（如说明书[2]段所述）是通过改变电中性孔的数量、间距、截面等物理结构参数来实现的，这是一种一次性、不可逆的制造过程中的调整，而非通过变抗器进行电调谐来实时调节陷波频率。 | 目标专利中变抗器的核心作用就是电调谐滤波器的频率特性（如陷波频率）。对比文件完全没有教导或暗示使用可变电容元件来实现频率调谐。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 <br> **判断结果**：《隐含公开》 | [2] “...by providing an electrically neutral surface 102 and changing the spacing between the inductors 134 and 135, the degree of coupling between the inductors 134 and 135 can be adjusted...” <br> 译文：“...通过提供电中性表面102并改变电感器134和135之间的间距，可以调节电感器134和135之间的耦合度...” | 在滤波器电路中，电感器的电感值是决定滤波器截止频率的关键参数之一。对比文件公开了通过调整电感器的物理结构（如间距）来调整电感器之间的耦合，这本质上会影响由这些电感器参与的谐振电路的频率特性，包括截止频率。虽然对比文件没有明确写出“控制截止频率”这几个字，但本领域技术人员可以理解，改变电感器的耦合特性（进而影响有效电感）是控制滤波器频率响应（包括截止频率）的一种常规手段。因此，可以合理推断出“电感器配置成控制滤波器的截止频率”这一技术特征。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 <br> **判断结果**：《隐含公开》 | 对比文件描述的是在“基板（substrate）”上制作电感器和滤波器，该基板可以是印刷电路板（PCB）（参见背景技术提及的“printed circuit board”）。没有明确记载集成到“半导体管芯（semiconductor die）”中。 | 目标专利的“三维集成电路（3DIC）”强调在半导体集成工艺中堆叠不同层级。对比文件的实施方式更偏向于PCB级别的集成。然而，将无源器件（如电感）与有源电路集成在半导体管芯或封装内是本领域的常见发展趋势。本领域技术人员可以从对比文件公开的在“基板”上集成无源滤波器的构思，合理推断出将其进一步集成到更先进的“半导体管芯”或3DIC封装中的可能性。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 <br> **判断结果**：《隐含公开》 | 对比文件没有明确列举其滤波器应用的具体终端设备类型。 | 对比文件公开的是一种“电感耦合滤波器”。滤波器是射频前端、通信系统中的基础部件。本领域技术人员公知，此类滤波器广泛应用于各种无线通信和电子设备中。目标专利权利要求中列举的设备（如移动电话、计算机、音乐播放器等）正是此类滤波器的典型应用场景。因此，可以合理推断对比文件公开的滤波器可以集成到这些设备中。该技术特征被隐含公开。 |
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