对比文件名称：1999-04-23_None_发明专利_JPH11112264A Filter
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《直接公开》 | 【0012】このフィルタ１０（３０）は、...２つのインダクタンス素子である伝送線路Ｌ１，Ｌ２と...からなるＬＣ共振回路...で構成される。<br>【0018】...その表面上には、インダクタンス素子である伝送線路Ｌ１，Ｌ２を構成する略ミアンダ形状の伝送線路導体１４１，１４２が形成される。<br>【0028】この際、フィルタ１０を構成する伝送線路Ｌ１，Ｌ２（図２）は、第３の誘電体層１１３上に設けた伝送線路導体１４１，１４２で、それぞれ形成される。 | 对比文件公开的滤波器10（30）包含作为电感元件的传输线路L1、L2（【0012】）。这些传输线路由形成在第三介电层113上的传输线路导体141、142构成（【0018】，【0028】）。该第三介电层113是积层体11中的一个层级（【0016】）。因此，对比文件明确公开了在积层体（即一种三维结构）的特定层级中包含至少一个电感器（传输线路L1/L2）。这构成了包含电感器的“第一层级”。该电感器在对比文件中作为LC谐振电路的组成部分，用于构成滤波器，其作用与目标专利中作为可调谐双工器组成部分的电感器作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《隐含公开》 | 【0018】...伝送線路導体１４１，１４２の一端と第２の誘電体層１１２上のコンデンサ電極１３１，１３３とを電気的に接続するために、第３の誘電体層１１３にはビアホール電極１５が設けられる。...第３の誘電体層１１３にはビアホール電極１６が設けられる。<br>【0054】...伝送線路Ｌ１，Ｌ２（図２）は、第３の誘電体層３１３上に設けた伝送線路導体３４１，３４２と第４の誘電体層３１４上に設けた伝送線路導体３６１，３６２とを第４の誘電体層３１４に設けたビアホール電極３７を介して...それぞれを電気的に直列に接続することにより、それぞれ形成される。 | 目标专利说明书第[0049]段将“穿基板通孔(TSV)电感器”与“穿玻通孔(TGV)电感器”并列为高Q电感器的实现方式，并提及TGV电感器提供更高Q值。对比文件中，电感器（传输线路L1、L2）是通过在积层体的多个介电层中形成平面导体图案（如141、142或341、342、361、362），并利用通孔电极（ビアホール電極）进行层间垂直互连而构成的（【0018】、【0054】）。这种通过垂直互连结构在多层基板中形成电感器的方法，在广义上属于“穿基板通孔”结构的范畴。虽然对比文件未明确使用“穿基板通孔电感器”这一术语，但其披露的利用通孔电极垂直连接多层导体以形成电感器的方法，是本领域技术人员能够合理推断出的实现“穿基板通孔电感器”的一种技术手段。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《直接公开》 | 【0012】このフィルタ１０（３０）は、...２つのインダクタンス素子である伝送線路Ｌ１，Ｌ２と、５つのキャパシタンス素子であるコンデンサＣ１〜Ｃ５と、２つのピンダイオードＰＤ１，ＰＤ２とからなるＬＣ共振回路...で構成される。<br>【0013】...伝送線路Ｌ１と並列にコンデンサＣ４とピンダイオードＰＤ１とからなる直列回路が接続され、伝送線路Ｌ２と並列にコンデンサＣ５とピンダイオードＰＤ２とからなる直列回路が接続される。<br>【0022】...その表面上には、ピンダイオードＰＤ１，ＰＤ２...を実装するためのランド２１１〜２１７が形成される。<br>【0067】さらに、スイッチング素子としてピンダイオードを用いる場合について説明したが、バリキャップダイオード、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ等でも同様の効果が得られる。 | 对比文件明确公开了滤波器包含由传输线路（电感器L1、L2）、电容器（C1-C5）和PIN二极管（PD1、PD2）组成的LC谐振电路（【0012】）。PIN二极管PD1、PD2分别与电容器C4、C5串联后，并联在电感器L1、L2上（【0013】）。PIN二极管作为开关元件，通过控制其偏压可以改变其电容状态（导通时短路，截止时开路），从而改变并联到电感器上的有效电容值（【0031】-【0033】），这实质上起到了“变抗器”（可变电容）的作用。对比文件【0067】段更明确指出，开关元件不限于PIN二极管，也可使用变容二极管（バリキャップダイオード），而变容二极管是典型的变抗器。这些PIN二极管（或可替换的变容二极管）安装于积层体的第七介电层117上的焊盘（【0022】），构成了不同于电感器所在层级（第三介电层）的“第二层级”。因此，对比文件直接公开了包括耦合到电感器的至少一个变抗器（功能等同的PIN二极管/变容二极管）的第二层级。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《隐含公开》 | 【0009】...スイッチング素子に印加する電圧を制御することにより、ＬＣ共振回路の合成インダクタンス値、あるいは合成キャパシタンス値を制御することができ、その結果、フィルタの共振周波数を制御することができる。<br>【0033】以上のような構成で、ピンダイオードＰＤ１，ＰＤ２をオン、オフすることにより、フィルタ１０の共振周波数を変えることができる。<br>【0034】...ピンダイオードＰＤがオン...の際には、９００ＭＨｚの高周波信号を通過させる、ピンダイオードＰＤがオフ...の際には、１．８ＧＨｚの高周波信号を通過させる...<br>【0036】...１つで複数の周波数帯域に対応することができるフィルタ１０... | 目标专利中的“可调谐共用器”是一种能够分离或组合两个不同频段信号的可调谐滤波器组件。对比文件公开的滤波器10（30）是一个可通过控制PIN二极管（变抗器功能）来改变其谐振频率（即调谐）的低通滤波器（【0009】、【0033】）。如图6及【0036】-【0038】段所述，该可调谐滤波器被用于移动通信系统中，使得单个天线可以分时复用两个不同频段（如900MHz和1.8GHz）的发送和接收信号，这体现了“共用”天线的功能。虽然对比文件的实施例是通过开关切换在不同时间使用不同频段，而目标专利的共用器可能同时处理两个频段，但两者核心都是利用可调谐滤波器来实现多频段信号与天线端口的路径管理。因此，本领域技术人员从对比文件公开的“可调谐滤波器”用于“天线共用”系统这一教导中，能够合理推断出电感器和变抗器（功能等同的PIN二极管）可以合起来形成一种用于频率复用/分离的可调谐装置，即“可调谐共用器”或其关键滤波部件。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | 无相关引用。 | 对比文件中作为变抗器功能使用的元件是PIN二极管（【0012】）或可替换的变容二极管（【0067】），并未提及任何关于“玻璃上覆硅(SOG)”的变抗器结构。SOG变抗器是目标专利中提及的一种特定高Q变抗器实现方式（见说明书第[0044]段）。对比文件完全没有公开或暗示这一特定类型的变抗器。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》 | 无相关引用。 | 对比文件中电感器由形成在陶瓷介电层（例如第3层113）上的传输线路导体构成（【0018】），并通过通孔电极进行层间连接。说明书通篇未提及使用“玻璃”作为基板材料，也未提及“穿玻通孔(TGV)”这一特定结构。TGV电感器是目标专利中强调的一种高性能电感器实现方式（见说明书第[0044]段）。对比文件完全没有涉及这一特定技术。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《直接公开》 | 【0012】このフィルタ１０（３０）は、５次の低域通過フィルタであり...<br>【0065】なお、上記の第１及び第２の実施例において、フィルタが低域通過フィルタの場合を示した... | 对比文件明确且反复指出其描述的滤波器10（30）是“低域通過フィルタ”，即低通(LP)滤波器（【0012】、【0065】）。该低通滤波器正是由电感器（传输线路L1、L2）和起变抗器作用的PIN二极管（与电容器组合）等元件形成的LC谐振电路构成。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《直接公开》 | 【0012】...２つのインダクタンス素子である伝送線路Ｌ１，Ｌ２と...２つのピンダイオードＰＤ１，ＰＤ２とからなるＬＣ共振回路...<br>【0013】...伝送線路Ｌ１と並列にコンデンサＣ４とピンダイオードＰＤ１とからなる直列回路が接続され、伝送線路Ｌ２と並列にコンデンサＣ５とピンダイオードＰＤ２とからなる直列回路が接続される。 | 对比文件公开的低通滤波器包含两个电感器（L1、L2）和两个起变抗器作用的PIN二极管（PD1、PD2）。PD1通过电容器C4耦合到电感器L1，PD2通过电容器C5耦合到电感器L2（【0013】）。这两个PIN二极管（第二变抗器）都位于不同于电感器层级的“第二层级”（安装于第七介电层，见【0022】）。它们与第一层级中的多个（两个）电感器（L1、L2）共同构成了完整的低通滤波器。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《直接公开》 | 【0009】...スイッチング素子に印加する電圧を制御することにより、ＬＣ共振回路の合成インダクタンス値、あるいは合成キャパシタンス値を制御することができ、その結果、フィルタの共振周波数を制御することができる。<br>【0033】以上のような構成で、ピンダイオードＰＤ１，ＰＤ２をオン、オフすることにより、フィルタ１０の共振周波数を変えることができる。<br>【0034】...ピンダイオードＰＤがオン...の際には、９００ＭＨｚ...ピンダイオードＰＤがオフ...の際には、１．８ＧＨｚ... | 目标专利中“陷波频率”指滤波器阻带的中心频率。对比文件明确教导，通过控制作为开关/变抗器使用的PIN二极管（PD1、PD2）的电压，可以改变LC谐振电路的合成电容值，从而控制滤波器的谐振频率（【0009】、【0033】）。如图5及【0034】段所示，这直接导致了滤波器通带边缘（即截止频率）和阻带特性（可视为陷波）的改变，使得滤波器在900MHz和1.8GHz两个不同频率点表现出不同的通过/抑制特性。因此，对比文件直接公开了变抗器（PIN二极管）被配置用于调节滤波器阻带频率（即陷波频率）的技术特征。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《隐含公开》 | 【0012】このフィルタ１０（３０）は、５次の低域通過フィルタであり、２つのインダクタンス素子である伝送線路Ｌ１，Ｌ２と、５つのキャパシタンス素子であるコンデンサＣ１〜Ｃ５と...からなるＬＣ共振回路...で構成される。 | 在LC滤波器中，电感器和电容器的值共同决定了滤波器的频率响应特性，包括截止频率。对比文件公开的低通滤波器由包含电感器（L1、L2）和电容器（C1-C5）的LC谐振电路构成（【0012】）。作为该滤波器不可或缺的组成部分，电感器（即目标专利所称的穿基板通孔电感器）的感值必然会影响滤波器的截止频率。虽然对比文件没有明确文字指出电感器“配置成控制截止频率”，但对于本领域技术人员而言，电感器作为LC滤波器的基本元件，其用于设定滤波器频率特性（包括截止频率）是公知常识和必然结果。因此，可以合理推断该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》 | 【0006】また、前記インダクタンス素子、前記キャパシタンス及び前記スイッチング素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体に内蔵、あるいは搭載されることを特徴とする。 | 对比文件描述的技术方案是将电感、电容和开关元件内置于或安装在由多个介电层叠层而成的“积层体”中（【0006】）。该“积层体”是一种低温共烧陶瓷(LTCC)或类似结构的封装组件，并非“半导体管芯”。半导体管芯通常指基于硅等半导体材料的单片集成电路芯片。对比文件完全没有提及将所述三维结构集成到半导体管芯中。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《直接公开》 | 【0001】本発明は、移動体通信機、例えば複数の周波数帯域に対応する携帯電話器等に用いられるフィルタに関する。<br>【0035】ここで、上述のフィルタ１０を、比較的近接した２つの周波数帯域、例えば９００ＭＨｚ帯の携帯電話システムであるＧＳＭ...と、１．８ＧＨｚ帯の携帯電話システムであるＤＣＳ...とにおいて１つのアンテナを共用する場合の一例... | 对比文件在【0001】段明确说明本发明涉及用于移动通信设备（例如对应多个频带的蜂窝电话等）的滤波器。在【0035】段及图6中，进一步具体给出了将滤波器10应用于GSM和DCS蜂窝电话系统以共用天线的示例。蜂窝电话（携帯電話）明确包含在目标专利权利要求L所列的设备清单中。因此，对比文件直接公开了该滤波器（即其三维集成电路结构）可集成到“蜂窝电话”这一具体设备中。 |
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