对比文件的名称：2008-10-15_KR1020080092307A_发明公开_KR1020080092307A 액정 표시 장치
目标专利的名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：DeepSeek
## 特征比对表格
| 第一栏（技术特征描述及公开性判断结果） | 第二栏（对比文件原文引用，翻译成中文） | 第三栏（公开性论述） |
| 技术特征A：包括基础层 – 直接公开 | 对比文件[17]：“阵列基板10包括玻璃基板11。” | 对比文件公开了阵列基板的玻璃基板作为基础层，该基础层用于支撑间隔物，其作用与目标专利中基础层完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物 – 直接公开 | 对比文件[16]：“在阵列基板10与对置基板30之间配置有柱状间隔物36。”；[19]参见图1明确多个间隔物。 | 对比文件明确公开了在阵列基板（基础层）上设置有复数个柱状间隔物，该间隔物用于保持基板间隙，作用与目标专利中间隔物相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物 – 直接公开 | 对比文件[21]：“间隔物构件36b的顶端可以是半球形状。” | 对比文件公开了间隔物构件（即间隔物的顶部部分）具有半球形状，因此间隔物在顶部具有半球形部分，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分 – 直接公开 | 对比文件[21]：“间隔物构件36b的顶端不是平坦的而是弯曲的。” | 对比文件明确半球形部分是弯曲的，即包含弯曲形状，与目标专利定义一致，直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹 – 未公开 | 无相关公开内容。对比文件仅提及“预定曲率”（[35]），但无任何具体数值。 | 对比文件未公开任何关于截面轨迹最大曲率的具体数值，本领域技术人员无法合理推断出必然为150mm⁻¹或更小，因此既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物 – 直接公开 | 对比文件[16]：“柱状间隔物36”；[28]：“间隔物36的高度为4.0μm，间隔物用基座的高度为1.0-3.0μm，间隔物构件的高度为1.0-3.0μm”。 | 对比文件公开了柱状间隔物（由基座和构件组成），且总高度（4.0μm）明确大于作为半球形部分的构件高度（1.0-3.0μm），因此具有高于半球形部分的高度，直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小 – 未公开 | 对比文件[28]：间隔物构件的高度为1.0-3.0μm，不在5-20μm范围。面积比率未公开。 | 对比文件公开的半球形部分（构件）高度为1-3μm，与5-20μm范围完全不同；且未公开任何关于间隔物面积比率的内容，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小 – 未公开 | 无相关公开内容。对比文件仅一般性提及间隔物密度可适当决定（[20]），但无标准间距、标准偏差等统计特征。 | 对比文件未公开任何关于标准间距、正方形区域选择方法以及标准偏差的具体技术方案，本领域技术人员无法从中获得该特征，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开间隔间距的任何分布形式，更未提及正态分布图，未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何关于间隔正态分布图的坐标定义，未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开关于比率总和、半高宽、最大高度等任何参数，未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 – 未公开 | 对比文件[21]：“间隔物构件36b的顶端不是平坦的而是弯曲的。” | 对比文件明确排除顶端平坦（即曲率为0）的情况，因此未公开包括曲率为0的轨迹。相反，教导的是弯曲（曲率非0），故未公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内 – 未公开 | 无相关公开内容。对比文件仅提及基座底部为15μm见方（[23]），未公开半球形部分（构件）的宽度。 | 对比文件未公开半球形部分的宽度数值范围，未公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分 – 未公开 | 对比文件[23]：“间隔物用基座的底部是15μm见方的平坦突起。” | 对比文件公开间隔物基座底部为平坦突起，没有渐缩的弯曲形状，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形 – 隐含公开 | 对比文件[24]：“最后，形成覆盖显示区域整个面的取向膜。”结合[21]间隔物构件顶端为半球形状。 | 对比文件直接公开了配向膜（取向膜）覆盖基础层和间隔物；并且由于间隔物顶端为半球形，本领域技术人员可以合理推断形成在其上的配向膜顶部也会呈现相应的半球形形状，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开配向膜的任何曲率参数，未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开配向膜截面轨迹是否包含曲率为0的部分，未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开配向膜的高度，未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开配向膜的宽度，未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开这种间隔物选择方式，未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开形成多边形闭合图形的条件，未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开关于闭合图形内无其他间隔物的要求，未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同 – 未公开 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开间隔物排列使得多边形边长不同的特征，未公开。 |
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