**对比文件的名称：** 2008-10-30_JP2008261989A_发明专利_JP2008261989A Liquid crystal display apparatus
**目标专利的名称：** 1585基板CN110770646B
**本次调用的模型名称：** AI 模型（根据指令完成分析）
以下为特征比对表格，严格按目标专利权利要求划分的技术特征逐项比对，并给出公开性判断。对比文件引用内容均来自用户提供的中文翻译（原日文已译）。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层；《直接公开》 | “阵列基板10具有玻璃基板11”（对比文件说明书关于图1的描述） | 对比文件明确公开了玻璃基板作为阵列基板的基础层，与目标专利中的基础层（可包括玻璃等）实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物；《直接公开》 | “在阵列基板10上配置有柱状间隔物36”（对比文件说明书关于图1的描述） | 对比文件公开了在阵列基板（基础层）上形成有多个间隔物，因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物；《直接公开》 | “间隔物部件36b的顶端不是平坦而是弯曲的，可以是半球状”（对比文件说明书） | 对比文件明确间隔物頂端为半球状，即间隔物在顶部具有半球形部分，属于半球形间隔物，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分；《直接公开》 | “间隔物部件36b的先端是弯曲的”（同上） | 对比文件直接指出半球形部分为弯曲形状，与目标专利定义一致，因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹；《未公开》 | 对比文件未记载任何关于曲率数值的内容。 | 对比文件虽公开了弯曲形状，但完全没有公开具体的曲率数值或范围，本领域技术人员无法毫无疑义地得出最大曲率≤150mm⁻¹，也无法合理推断出该数值，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物；《直接公开》 | “间隔物36由间隔物用台座36a和间隔物部件36b构成”；“间隔物用台座的高度为2.5微米，间隔物部件的高度为1.5微米”（对比文件说明书第5例） | 对比文件公开了间隔物由柱状台座和半球形部件组成，且明确台座高度可大于半球形部件高度（如2.5＞1.5），因此直接公开了包括半球形部分且具有更高柱状部分的柱状间隔物。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小；《未公开》 | 对比文件公开间隔物部件（半球形部分）的高度为1.0～3.0微米；未公开面积比率。 | 半球形部分高度范围（1-3μm）与目标专利要求的5-20μm完全不同，且对比文件未提及间隔物所占据的面积比率，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小；《未公开》 | 对比文件未记载标准间距、正方形区域选取及间隔物数量标准偏差等内容。 | 对比文件完全没有涉及此类针对间隔物排列均匀性的统计参数，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示；《未公开》 | 对比文件未记载间距分布图或正态分布图。 | 对比文件没有公开任何关于间距分布图的特征，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上；《未公开》 | 对比文件未提及间隔正态分布图。 | 对比文件无相关公开，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1；《未公开》 | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开半高宽、最大高度等参数，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹；《未公开》 | 对比文件记载“先端是弯曲的”，未提及平坦部分。 | 对比文件强调间隔物顶端为弯曲形状，没有教导或暗示包括平坦（曲率为0）的部分，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内；《未公开》 | 对比文件未记载半球形部分的宽度，仅记载台座为15微米角。 | 对比文件没有公开半球形部分的宽度尺寸范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分；《未公开》 | 对比文件记载“间隔物用台座的底部是平坦的突起”。 | 对比文件中间隔物底部为平坦形状，并非渐缩弯曲形状，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形；《隐含公开》 | “最后，形成配向膜以便覆盖显示区域的整个表面”；“间隔物部件36b的先端是半球状”（对比文件说明书） | 对比文件直接公开了配向膜形成在基础层和间隔物上（全面覆盖），同时公开了间隔物顶部为半球形。本领域技术人员可以合理推断，配向膜作为保形涂层，其覆盖在半球形间隔物顶部后必然也会呈现半球形形状，因此该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小；《未公开》 | 对比文件未记载配向膜的曲率。 | 对比文件没有公开配向膜顶部半球形的具体曲率数值或范围，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹；《未公开》 | 对比文件未提及配向膜顶部有平坦部分。 | 对比文件无相关公开，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内；《未公开》 | 对比文件未记载配向膜的高度。 | 对比文件未公开配向膜在间隔物上的高度尺寸，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内；《未公开》 | 对比文件未记载配向膜的宽度。 | 对比文件未公开配向膜的宽度尺寸，因此未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时；《未公开》 | 对比文件未公开间隔物选择方式。 | 对比文件没有涉及任选间隔物形成闭合图形的任何教导，因此未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时；《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件无相关公开，因此未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物；《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件无相关公开，因此未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同；《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开间隔物排列中边长存在差异的特征，因此未公开。 |
基于上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、F，隐含公开了技术特征O，其余技术特征未公开或未隐含公开。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<F>>><<<o>>>