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1999-06-21_JP2907137B_发明专利_JP2907137B2 Liquid crystal display device_+++A_B_C_D_m_o_r_s+++.docx
2026-07-03 01:07
2000-10-16_KR100269196B_发明授权_KR100269196B1 액정표시장치_+++A_B_C_D_O+++.docx
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2003-07-07_KR1020030058113A_发明公开_KR1020030058113A 액정표시소자_+++A_B_C_D+++.docx
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2003-10-28_US6638781B_发明授权_US06638781B1 Semiconductor device and method of fabricating the same_+++A_B_D_N_O_Q_c_f_g_l_m_p_r_s+++.docx
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2004-04-20_US6724457B_发明授权_US06724457B1 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same_+++A_B_C_D_F_G_L_M_N_O_Q_R_S+++.docx
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2005-06-29_KR1020050064272A_发明公开_KR1020050064272A 액정 표시 소자 및 그 제조방법_+++A_B_C_D_o+++.docx
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2007-09-20_JP2007240599A_发明专利_JP2007240599A Liquid crystal display and method of manufacturing the liquid crystal display_+++A_B_D_F_c_n_o+++.docx
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2008-01-21_KR100796492B_发明授权_KR100796492B1 액정표시소자_+++A_C_D_b+++.docx
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2008-09-04_JP2008203854A_发明专利_JP2008203854A Liquid crystal display device and method for manufacturing the same_+++A_B_c_d_f_o+++.docx
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2008-10-15_CN101285971A_发明公开_CN101285971A 液晶显示装置_+++A_B_C_D_F_m_o+++.docx
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2008-10-15_KR1020080092307A_发明公开_KR1020080092307A 액정 표시 장치_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
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2008-10-16_US2008252841A_发明申请_US20080252841A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY_+++A_B_C_D_F+++.docx
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2008-10-30_JP2008261989A_发明专利_JP2008261989A Liquid crystal display apparatus_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
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2009-03-01_TW200909954A_发明专利_TW200909954A 液晶顯示裝置 LIQUID CRYSTAL DISPLAY_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
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2009-03-05_JP2009048052A_发明专利_JP2009048052A Method for manufacturing hemispherical structure, liquid crystal device and method for manufacturing the liquid crystal device_+++A_B_C_D_M+++.docx
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2009-09-21_KR100916847B_发明授权_KR100916847B1 폴리에틸렌 엠보싱 폼시트 제조장치_+++a_b_c_d+++.docx
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2010-05-13_US2010118254A_发明申请_US20100118254A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE_+++A_B_c_d_f_m_o_r_s_t_u_v_w+++.docx
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2010-07-08_US2010171106A_发明申请_US20100171106A1 ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY_+++A_B_C_D_f+++.docx
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2010-07-15_KR1020100081773A_发明公开_KR1020100081773A 유기 발광 표시 장치_+++A_B_C_D+++.docx
2026-07-03 01:07
2010-08-06_KR100974692B_发明授权_KR100974692B1 액정 표시 장치_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
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2010-10-20_KR100989133B_发明授权_KR100989133B1 유기 발광 표시 장치_+++A_B_C_D+++.docx
2026-07-03 01:07
2011-02-02_JP4623043B_发明专利_JP4623043B2 Liquid crystal display device_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
2026-07-03 01:07
2014-03-25_US8680513B_发明授权_US08680513B2 Organic light emitting diode display_+++A_B_C_D+++.docx
2026-07-03 01:07
2014-07-30_CN103959154A_发明公开_CN103959154A 液晶显示装置_+++A_B_C_D_F_L_M_e+++.docx
2026-07-03 01:07
2014-12-04_US2014354930A_发明申请_US20140354930A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE_+++A_B_C_D_L_M_f_o+++.docx
2026-07-03 01:07
2015-07-21_KR1020150083956A_发明公开_KR1020150083956A 표시장치 및 이의 제조방법_+++A_B_c_d_f_l_m+++.docx
2026-07-03 01:07
2015-11-25_CN105093709A_发明公开_CN105093709A 一种显示面板及其制作方法_+++A_B_c_d_f_n+++.docx
2026-07-03 01:07
2016-08-24_CN103959154B_发明授权_CN103959154B 液晶显示装置_+++A_B_L_M_c_d+++.docx
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2017-03-08_CN106483670A_发明公开_CN106483670A 偏振控制面板及其制造方法和使用其的立体显示装置_+++A_B_C_D+++.docx
2026-07-03 01:07
2009-09-21_KR100916847B_发明授权_KR100916847B1 폴리에틸렌 엠보싱 폼시트 제조장치_+++a_b_c_d+++.docx

对比文件名称:2009-09-21_KR100916847B_发明授权_KR100916847B1 폴리에틸렌 엠보싱 폼시트 제조장치

目标专利名称:1585基板CN110770646B

本次调用的模型名称:Claude-3-Opus

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:包括:基础层(隐含公开)对比文件[0001]:“폴리에틸렌 엠보싱 폼시트”即聚乙烯压花泡沫片材;[0002]:“폴리에틸렌 폼시트”即聚乙烯泡沫片材作为基材使用。对比文件公开了聚乙烯压花泡沫片材,其包含连续的基层(发泡聚乙烯基体)作为支撑结构。虽然对比文件未明确使用“基础层”术语,但本领域技术人员可合理推断该片材具有基层(泡沫基体),该基层起承载作用,与目标专利中基础层(如塑料膜)的功能类似(均为支撑层)。因此,技术特征A被隐含公开。
技术特征B:和设置在所述基础层上的复数个间隔物(隐含公开)对比文件[0022]:“암수 금형(31,32)은 적어도 어느 하나는 방사형으로 형성된 홈(33)이 일정간격으로 형성되어 발포된 중공 원통형태의 폴리에틸렌 폼에 각각의 홈(33)과 동일한 엠보스(1)가 … 길게 형성된다。”即阴阳模具中的至少一个形成有放射状的一定间隔的槽(33),从而在发泡的中空圆筒状聚乙烯泡沫上形成与各槽相同的压花(1)。对比文件中,复数个压花(1)形成于泡沫片材表面,这些压花是从基层突出的凸起结构,相当于设置在基层上的复数个间隔物。尽管压花与基层一体形成,但功能上构成基层上的突出物,且数量为多个(일정간격으로 형성되어),因此本领域技术人员可以合理推断该结构公开了“设置在基础层上的复数个间隔物”。技术特征B被隐含公开。
技术特征C:其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物(隐含公开)对比文件[0010]:“상기 암수 금형(31,32)에 형성된 각각의 홈(33)의 단면형상은 원형, 타원형, 반원형, 반 타원형, 다각형 형상으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 된 것을 특징으로 한다。”即各槽的截面形状选自圆形、椭圆形、半圆形、半椭圆形、多边形形状中的一种或其组合。对比文件明确公开了槽的截面形状可为“반원형”(半圆形),通过该形状的槽形成的压花(엠보스)对应于凸起的半球形结构,其顶部具有半球形部分。虽然对比文件未直接称压花为间隔物,但结合特征B的推断,该压花可视为间隔物,且为顶部具有半球形部分的半球形间隔物。技术特征C被隐含公开。
技术特征D:其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分(隐含公开)对比文件[0010]引用同上,半圆形、椭圆形、半椭圆形等均包含弯曲形状。对比文件中“반원형”(半圆形)本身即为弯曲形状,由其形成的压花的半球形部分自然包含弯曲形状。特征D仅为对半球形部分的定义描述,对比文件公开了半球形形状,因此必然公开了其包含弯曲形状。技术特征D被隐含公开。
技术特征E:其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹(未公开)对比文件全文未涉及曲率、曲率数值或相关概念。对比文件未记载任何关于曲率或截面轨迹最大曲率的内容,也未给出可能推导出该数值范围的技术信息。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该曲率范围。技术特征E未被公开。
技术特征F:其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物(未公开)对比文件[0025]图7显示压花截面包括四边形、六边形、椭圆形、圆形、菱形等,但未描述半球形部分下方具有柱状部分。对比文件中压花为发泡形成的凸起,通常为完整的半球形或其它形状,未提及在半球形部分下方存在高度较高的柱体。本领域技术人员无法从对比文件推断出柱状间隔物结构。技术特征F未被公开。
技术特征G:其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内;并且其中相对于所述基础层的总面积,被所述间隔物占据的面积比率为20%或更小(未公开)对比文件全文未提及微米级尺寸或面积比率。对比文件涉及的是聚乙烯泡沫片材,其厚度通常在毫米级(如用作缓冲材料),未公开任何关于压花高度在5-20μm的数值,也未公开压花所占面积比率。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该微米级尺寸和比率。技术特征G未被公开。
技术特征H:其中,所述复数个间隔物的标准间距为P,当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时,存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小(未公开)对比文件[0022]提到“일정간격”(一定间隔),但未定义标准间距或标准偏差。对比文件仅泛泛提及压花以“一定间隔”形成,未公开标准间距P的概念,更未公开特定区域内间隔物数量的标准偏差范围。该特征涉及间隔物排列的均匀性量化指标,对比文件无任何相关内容。技术特征H未被公开。
技术特征I:其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示(未公开)对比文件全文未涉及间距分布、正态分布图或类似统计描述。对比文件仅提及间隔为“一定间隔”,但未公开间距分布的具体形式,更未公开用正态分布图表示。技术特征I未被公开。
技术特征J:其中,在所述间隔正态分布图中,相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上(未公开)对比文件全文未涉及正态分布图坐标定义。对比文件无任何关于分布图坐标轴的信息。技术特征J未被公开。
技术特征K:其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1;并且其中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1(未公开)对比文件全文未涉及分布图比率总和、半高宽、最大高度等统计参数。对比文件未公开任何关于间距分布图的比例总和、半高宽范围或最大高度数值。技术特征K未被公开。
技术特征L:其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹(未公开)对比文件[0010]公开了槽截面可为多边形(如矩形),但针对半球形部分未提及曲率为0的平坦区域。对比文件中,当压花为半圆形等弯曲形状时,其轨迹通常为连续曲线,不包括曲率为0的直线部分。虽然多边形压花包含直线,但多边形不属于半球形。因此对于半球形间隔物,对比文件未公开其轨迹包含曲率为0的部分。技术特征L未被公开。
技术特征M:其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内(未公开)对比文件全文未涉及微米级宽度尺寸。对比文件未公开压花的具体宽度数值,更未限定在2-40μm范围。技术特征M未被公开。
技术特征N:其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分(未公开)对比文件全文未涉及间隔物底部的渐缩形状或曲率中心位置。对比文件无任何关于间隔物底部渐缩结构或截面轨迹曲率中心在外部的内容。技术特征N未被公开。
技术特征O:其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上;并且其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形(未公开)对比文件全文未涉及配向膜、取向处理或任何光学膜层。对比文件涉及的是聚乙烯泡沫片材的制造,完全不涉及配向膜的形成或结构。本领域技术人员无法从对比文件推断出配向膜及其半球形顶部特征。技术特征O未被公开。
技术特征P:其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小(未公开)对比文件全文未涉及配向膜相关曲率。基于特征O未被公开,其附属特征P亦未公开。对比文件无配向膜曲率内容。技术特征P未被公开。
技术特征Q:其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹(未公开)对比文件全文未涉及配向膜轨迹。同特征O,对比文件未公开配向膜。技术特征Q未被公开。
技术特征R:其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内(未公开)对比文件全文未涉及配向膜高度。对比文件无配向膜高度的任何信息。技术特征R未被公开。
技术特征S:其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内(未公开)对比文件全文未涉及配向膜宽度。对比文件无配向膜宽度的任何信息。技术特征S未被公开。
技术特征T:当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时(未公开)对比文件[0022]提到压花以“일정간격”(一定间隔)形成,但未涉及选择间隔物形成闭合图形。对比文件未公开选择性连接间隔物形成图形的方法或条件。技术特征T未被公开。
技术特征U:条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时(未公开)对比文件全文未涉及闭合图形(三角形、四边形、六边形)的定义。对比文件无任何关于间隔物连接形成闭合图形的教导。技术特征U未被公开。
技术特征V:在所述闭合图形中不存在其他间隔物(未公开)对比文件全文未涉及闭合图形内部无其他间隔物的条件。对比文件未公开关于闭合图形内不应存在其他间隔物的限定。技术特征V未被公开。
技术特征W:所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同(未公开)对比文件[0022]“일정간격”通常指等间距,未公开边长不同的不规则排列。对比文件记载压花以“一定间隔”形成,暗示为规则等距排列,与本特征要求的不规则排列(边长至少一者不同)相反。本领域技术人员无法从对比文件推断出该不规则排列特征。技术特征W未被公开。

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