对比文件名称：2008-01-21_KR100796492B_发明授权_KR100796492B1 액정표시소자；目标专利名称：1585基板CN110770646B；本次调用的模型名称：DeepSeek
## 特征比对表格
| 第一栏 (技术特征描述及公开性判断) | 第二栏 (对比文件原文引用及中文翻译) | 第三栏 (公开性论述) |
| 技术特征A：包括：基础层《直接公开》 | [34] “제 1 기판(101)” (第一基板101); [35] “제 2 기판(110)” (第二基板110) | 对比文件明确公开了第一基板和第二基板作为承载间隔物等元件的基底，与目标专利的“基础层”在结构和功能上完全相同，本领域技术人员可毫无疑义地确定该技术特征已被直接公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物《隐含公开》 | [36] “상기 두 기판(101,110)의 일정한 간격을 가지도록 형성된 비구형의 스페이서(100)를 더 포함하여 구성된다.” (还包括非球形的间隔物100，其形成为使两个基板保持恒定间隔); [23] 传统技术中 “스페이서(6)는 플라스틱 볼이나 실리카 구와 같은 모양으로 산포되어 있다.” (间隔物6以塑料球或硅石球形状散布) | 对比文件虽未直接写明“复数个”，但本领域公知液晶显示器件需多个间隔物以维持均匀的单元间隙。对比文件背景技术记载了散布多个球形间隔物的方式，并且本发明提出的非球形间隔物应用于同一领域，本领域技术人员能够合理推断出该间隔物为多个设置，因此该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物《直接公开》 | [37] “상기 스페이서(100)는 반구형으로” (所述间隔物100为半球形) | 对比文件明确记载间隔物为“반구형”(半球形)，即间隔物顶部具有半球形部分，本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该技术特征。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分《直接公开》 | [37] “반구형” (半球形) 的定义本身即由弯曲表面构成 | 半球形在几何上必然包含弯曲形状的截面，这是基本常识。对比文件公开了半球形间隔物，其半球形部分自然为包含弯曲形状的部分，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未对半球形部分的曲率进行任何数值限定，也未提及曲率参数。本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理推断出“最大曲率为150mm⁻¹或更小”这一具体范围。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物《未公开》 | [37] 仅描述半球形间隔物；[41] 描述了圆锥形(100a)、截头圆锥形(100b)等形状 | 对比文件的半球形间隔物仅包含半球形部分，无柱状部分；其他形状如截头圆锥形虽有类似柱状的结构，但顶部为平面或锥面，并非半球形。目标专利的“半球形部分加柱状部分”的组合结构未被对比文件公开或暗示。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20%或更小《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未记载半球形部分的高度数值，也未提及间隔物占据的面积比率。本领域技术人员无法从对比文件中得出该具体尺寸和比率范围。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未涉及间隔物的排列间距、标准间距或标准偏差等统计参数，也未公开任何关于位置均匀性的评估方法。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开任何关于间隔物间距分布图的描述，也未暗示排列的随机性或正态分布特性。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未提及分布图的坐标定义或图表内容。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开分布图的半高宽、最大高度等量化参数，也未涉及比率总和为1的限定。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | [41] 公开了截头圆锥形间隔物(100b)具有平坦顶端，但该形状为圆锥形而非半球形 | 对比文件的半球形间隔物(반구형)通常为完整半球形，无平坦顶部。虽然截头圆锥形有平坦面，但该形状不属于半球形，因此对于半球形部分的轨迹不含曲率为0的轨迹。目标专利的该特征未在对比文件的半球形间隔物中公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未记载半球形部分的宽度数值。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分《未公开》 | [41] 公开了圆锥形(100a)和截头圆锥形(100b)，其底部为直线斜面而非弯曲渐缩 | 对比文件未公开间隔物底部具有曲率中心在截面外部的弯曲渐缩形状，该特定结构的几何特征未被对比文件记载或暗示。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形《未公开》 | [34] “제 1 배향막(109a)”; [35] “제 2 배향막(109b)”; 均形成于基板表面 | 对比文件公开了配向膜形成在基板表面，但未公开配向膜覆盖间隔物。根据图示和描述，间隔物与配向膜接触但未被配向膜包覆，且无任何内容暗示配向膜在间隔物上形成半球形顶部。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开配向膜在间隔物上形成的半球形及其曲率参数。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开配向膜的高度尺寸。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开配向膜的宽度尺寸。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未涉及间隔物的选择方式或形成闭合图形的概念。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开间隔物排列的几何图形形成条件。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开该选取规则。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开边长差异度的特征。 |
<<<A>>><<<b>>><<<C>>><<<D>>>