对比文件名称：2010-10-20_KR100989133B_发明授权_KR100989133B1 유기 발광 표시 장치
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：深度思考模式
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基础层。《直接公开》 | [50] 第一基板构件111由玻璃、石英、陶瓷、塑料等形成的绝缘性基板形成。<br>[7] 基板构件。 | 对比文件公开了显示基板包括第一基板构件（基础层），该构件是绝缘性基板，用于支撑其他元件，相当于目标专利的基础层。因此直接公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物。《直接公开》 | [7] ……从像素定义膜向上突出形成的多个光散射间隔物；<br>[35] 光散射间隔物192形成在像素定义膜190上；<br>[64] 光散射间隔物形成在像素定义膜上，起到保持间隔作用。像素定义膜形成在基板构件上。 | 对比文件公开了多个光散射间隔物形成在像素定义膜上，像素定义膜在基础层上，因此间隔物通过像素定义膜设置于基础层上，涵盖目标专利“设置在基础层上”的含义。直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物。《直接公开》 | [13] 所述光散射间隔物可以包括截头棱锥、棱柱、截头圆锥、圆柱、半球(반구)、及半扁球(반편구)中的一种以上形状。<br>[37] 同样列举半球等形状。 | 对比文件明确公开光散射间隔物可以是半球形(반구)形状，半球形间隔物顶部自然呈现半球形部分，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分。《直接公开》 | 同上，半球形状本身即为弯曲形状。 | 半球形部分必然包含弯曲形状，是半球形的固有属性。对比文件公开了半球形间隔物，所以其半球形部分包含弯曲形状，直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何曲率或数值。目标专利限定最大曲率是为了配向处理均匀，对比文件无此需求。因此未直接或隐含公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物。《未公开》 | [13] 列举包括圆柱形状，但未公开半球形加柱状的组合。 | 对比文件未公开单个间隔物同时具有半球形部分和柱状部分且柱状部分高度高于半球形部分的结构。因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20%或更小。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开半球形高度范围和面积比率，这些特定数值未记载。未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小。《未公开》 | [37] 光散射间隔物可以均匀分布或不均匀分布。 | 对比文件仅概括描述分布可能性，未定义标准间距、正方形区域或标准偏差。未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何分布图概念。未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未描述半球形部分是否包含平坦区域。未公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开宽度范围。未公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分。《未公开》 | [13] 公开了截头棱锥(각뿔대)形状，但其截面轨迹为直线，非弯曲。未公开弯曲形状的渐缩部分。 | 对比文件未公开弯曲形状的渐缩部分，该特征与目标专利的半球形间隔物底部弯曲渐缩结构不同。未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件涉及OLED显示装置，未公开任何配向膜（取向膜）结构。未公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开间隔物选择方式。未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同。《未公开》 | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
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